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          DRAM能否成為半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)晴雨表?

          •   在今年Gartner的半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告中指出,從歷史角度來看,存儲(chǔ)市場(chǎng)一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動(dòng)中。2021年DRAM市場(chǎng)存在一個(gè)供不應(yīng)求的情況,使得價(jià)格上漲,但在2022年下半年會(huì)恢復(fù)并且進(jìn)入供過于求的周期,這個(gè)周期會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導(dǎo)致DRAM的周期波動(dòng)。1.地緣問題導(dǎo)致消費(fèi)市場(chǎng)向下修正  俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)打破歐洲和平局面,導(dǎo)致能源價(jià)格大幅提升,整體社會(huì)的消費(fèi)水平降低,企業(yè)和消費(fèi)者會(huì)減少很多不必要的開支。早在4月底,美國(guó)商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示,美國(guó)一季度G
          • 關(guān)鍵字: DRAM  半導(dǎo)體  市場(chǎng)  

          潛力無限的汽車存儲(chǔ)芯片

          •   隨著智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn),汽車芯片的含量成倍提升,電動(dòng)車半導(dǎo)體含量約為燃油車2倍,智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片,2035年增長(zhǎng)為1285億顆。價(jià)值增量端,2020年汽車芯片價(jià)值量為339億美元,2035年為893億美元??梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧?rùn)增長(zhǎng)點(diǎn),有望成為引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展新驅(qū)動(dòng)力。  汽車芯片從應(yīng)用環(huán)節(jié)可以分為5類:主控芯片、存儲(chǔ)芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等,以存儲(chǔ)芯片為例,2022年全球汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模約52億美元,國(guó)內(nèi)汽車存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模
          • 關(guān)鍵字: 北京君正  兆易創(chuàng)新  DRAM  NAND  

          美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM, 推動(dòng)下一代服務(wù)器平臺(tái)發(fā)展

          • 關(guān)鍵優(yōu)勢(shì):● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加,改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍,進(jìn)而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2],比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達(dá) 64GB 的模組容量,能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能,有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司)今日宣布
          • 關(guān)鍵字: 美光  數(shù)據(jù)中心  DRAM  DDR5  

          中國(guó)DRAM和NAND存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國(guó)嗎?

          • 近日,韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所(OERI)推算,韓國(guó)和中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為:DRAM的差距約為 5年,NAND 的差距約為2年。該研究院分析,中國(guó)DRAM制造企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2022年將推進(jìn)第二代10nm(1y或16nm至17nm)DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國(guó)企業(yè)計(jì)劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm)DRAM??紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半,兩國(guó)之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測(cè),在NAND閃存領(lǐng)域,中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為2年。中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

          中國(guó)SSD行業(yè)企業(yè)勢(shì)力全景圖

          • 全球范圍看,2021-2023年存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將分別達(dá)到1552億美元、1804億美元及2196億美元,增幅分別達(dá)到22.5%、16.2%和21.7%。其中,2021年DRAM市場(chǎng)規(guī)模約占56%,NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模約占41%(IC Insights數(shù)據(jù))。另外,根據(jù)CFM 閃存市場(chǎng)預(yù)計(jì),2021年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1620億美元,增長(zhǎng)29%,其中DRAM為945億美元,NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)相近,相差100億美元。目前,全球儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)主要被韓國(guó)、歐美以及
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  DRAM  NAND Flash  

          2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研 半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

          •   國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)市場(chǎng)前景及現(xiàn)狀如何?半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支:半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè),根據(jù)功能的不同,集成電路又可以分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細(xì)分領(lǐng)域。2022半導(dǎo)體儲(chǔ)存器市場(chǎng)調(diào)研半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析  國(guó)內(nèi)開始布局存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)規(guī)?;?,中國(guó)大陸的存儲(chǔ)器公司陸續(xù)成立,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進(jìn)展。在半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機(jī)遇。  半導(dǎo)體儲(chǔ)存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)、網(wǎng)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  DRAM  市場(chǎng)  

          TrendForce:DRAM原廠降價(jià)意愿提高 第三季跌至近10%

          • 根據(jù)TrendForce最新研究顯示,盡管今年上半年的整體消費(fèi)性需求快速轉(zhuǎn)弱,但先前DRAM原廠議價(jià)強(qiáng)勢(shì),并未出現(xiàn)降價(jià)求售跡象,使得庫(kù)存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下,部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價(jià)意圖,尤其發(fā)生在需求相對(duì)穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫(kù)存壓力,此情況將使第三季DRAM價(jià)格由原先的季跌3至8%,擴(kuò)大至近10%,若后續(xù)引發(fā)原廠競(jìng)相降價(jià)求售的狀況,跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望,且綜觀各家DRAM庫(kù)存水位平均超過兩個(gè)月以上,除非有極大的價(jià)格
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          國(guó)產(chǎn)首個(gè)電腦系統(tǒng)正式發(fā)布 “開放麒麟”交付

          • 今天一早國(guó)產(chǎn)首個(gè)桌面操作系統(tǒng)正式發(fā)布,最終命名為“openKylin(開放麒麟)”將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)產(chǎn)操作系統(tǒng)的發(fā)展,而目前該系統(tǒng)已經(jīng)陸續(xù)交付給PC、筆記本廠商,目前已經(jīng)有新產(chǎn)品即將上市。作為開發(fā)者的麒麟軟件表示,openKylin社區(qū)將充分利用其數(shù)十年的操作系統(tǒng)研發(fā)成果,中標(biāo)麒麟、銀河麒麟就是由中國(guó)麒麟軟件有限公司基于Linux開發(fā)的操作系統(tǒng),目前國(guó)產(chǎn)系統(tǒng)基本已經(jīng)能夠適配手機(jī)、筆記本、電腦以及眾多的電子設(shè)備。
          • 關(guān)鍵字: PC  操作系統(tǒng)  國(guó)產(chǎn)  

          TrendForce:第三季DRAM價(jià)格預(yù)估下跌3~8%

          • 據(jù)TrendForce研究,盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐,第三季DRAM市場(chǎng)仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響,進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升,成為第三季DRAM價(jià)格下跌3~8%的主因,且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8%的跌幅。PC DRAM方面,在需求持續(xù)走弱情況下,引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo),同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升,第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存,采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí),由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求,因此即便
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  DRAM  

          “618” PC換機(jī)好時(shí)機(jī),助力混合辦公

          • 隨著京滬等地疫情形勢(shì)得到控制,2022年電商行業(yè)年中大促——“618購(gòu)物節(jié)”伴隨著復(fù)工、復(fù)產(chǎn)的腳步正式拉開帷幕。本次618的開啟不僅極大程度地助力了疫后的消費(fèi)重啟,同時(shí)也承載著各大電商平臺(tái)以及商家的期待。進(jìn)入2020年以來,疫情的反復(fù)促使居家辦公、線上會(huì)議等混合辦公的場(chǎng)景成為當(dāng)下流行趨勢(shì),而混合辦公所需的終端產(chǎn)品也逐漸受到大家的關(guān)注,成為當(dāng)下電商平臺(tái)的主流產(chǎn)品。近年來大火的直播電商,也慢慢發(fā)生著一些微妙的改變, “店鋪直播” 開始慢慢取代頭部流量主播成為帶貨主力?;旌限k公促進(jìn)終端產(chǎn)品碎片化進(jìn)入2022年,
          • 關(guān)鍵字: PC  混合辦公  

          SK海力士將向英偉達(dá)供應(yīng)業(yè)界首款HBM3 DRAM

          • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片,從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配,以實(shí)現(xiàn)加速計(jì)算(accelerated computing)SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位* HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲(chǔ)器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內(nèi)存
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  英偉達(dá)  HBM3  DRAM   

          3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎?

          • 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個(gè)問題之前,我
          • 關(guān)鍵字: DRAM  3D DRAM  華為  三星  美光  制程  納米  

          利基型DRAM持續(xù)擴(kuò)產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

          • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴(kuò)大利基型DDR3產(chǎn)出,爭(zhēng)取韓系DRAM廠退出后的市占率,推升營(yíng)收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程,將于明年導(dǎo)入至高雄廠量產(chǎn),為長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長(zhǎng)動(dòng)能,同時(shí)滿足5G基地臺(tái)、人工智能物聯(lián)網(wǎng)(AIoT)、電動(dòng)車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢(shì)強(qiáng)勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價(jià)格回升,SLC NAND及NOR Flash價(jià)格回穩(wěn),季度營(yíng)收265.14億元為歷史次高,歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達(dá)45.59億元并創(chuàng)下歷史新高,每股凈利1.15元優(yōu)于預(yù)期
          • 關(guān)鍵字: DRAM  華邦電  AIoT  元宇宙  

          三星推出512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器CXL DRAM

          • 2022年5月10日 ,作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商,三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 (CXL,Compute Express Link) DRAM,朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步,CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導(dǎo)體512GB 內(nèi)存擴(kuò)展器 CXL DRAM與以往版本相比,新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍,從而讓服務(wù)器擴(kuò)展至數(shù)十TB,而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級(jí)版本,以推動(dòng)CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
          • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存擴(kuò)展器  CXL DRAM  

          英特爾推動(dòng)PC行業(yè)可持續(xù)發(fā)展,攜手合作伙伴減少碳排放

          • 英特爾最近宣布了推動(dòng)實(shí)現(xiàn)溫室氣體凈零排放的愿景,并設(shè)定了促進(jìn)科技行業(yè)減少碳足跡的新目標(biāo)。為支持這一愿景,臺(tái)式機(jī)、工作站和游戲(DWG)部門將持續(xù)改進(jìn)產(chǎn)品和平臺(tái)的性能與效率,幫助合作伙伴和客戶降低系統(tǒng)總體碳足跡。近日,英特爾臺(tái)式機(jī)和工作站可持續(xù)發(fā)展技術(shù)專家Kathleen Fiehrer撰文,闡述英特爾的可持續(xù)發(fā)展承諾及相應(yīng)舉措。DWG當(dāng)前正在努力降低臺(tái)式機(jī)、塔式工作站等固定式產(chǎn)品的碳足跡,這項(xiàng)工作頗為不易。碳足跡模型顯示,筆記本電腦系統(tǒng)的排放主要來自制造階段,服務(wù)器排放則主要來自運(yùn)營(yíng)階段。然而,固定式產(chǎn)品
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  PC  碳排放  
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