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          三星4Q再降DRAM價(jià)

          •   據(jù)外電報(bào)導(dǎo),三星電子(SamsungElectronics)已較其他競爭公司更具優(yōu)越的成本競爭力,但在2010年第4季將持續(xù)調(diào)降DRAM價(jià)格,且計(jì)劃于2011年下半推出20奈米制程產(chǎn)品,欲獨(dú)霸DRAM市場。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          DRAM市場價(jià)格持續(xù)下跌

          •   隨著DRAM和NANDFlash市場價(jià)格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲(chǔ)器模塊廠亦受到牽累,10月營收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營收較9月減少達(dá)17.1%。威剛表示,預(yù)期11月營收將因?yàn)楫a(chǎn)業(yè)景氣進(jìn)入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位,將庫存維持在約3~4周水平。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

          坂本幸雄:DRAM下半年觸底

          •   日本DRAM廠爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄接受彭博信息(Bloomberg)專訪時(shí)提到,目前惡化的DRAM市況可望在2010年度下半觸底;2011年度第1季(4~6月)回穩(wěn)。他同時(shí)透露爾必達(dá)考慮將廣島廠產(chǎn)線轉(zhuǎn)為生產(chǎn)Mobile DRAM的訊息。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          爾必達(dá)削減產(chǎn)能試圖阻止芯片降價(jià)

          •   據(jù)國外媒體報(bào)道,去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達(dá)今天表示,由于芯片價(jià)格的“意外”下滑,該公司計(jì)劃將產(chǎn)能削減25%。   在芯片制造業(yè)中,產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計(jì)算。爾必達(dá)將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時(shí)恢復(fù)產(chǎn)能。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  晶圓  DRAM  

          DRAM臺(tái)商又臨困境

          •   由于DRAM價(jià)格再度崩跌,原本財(cái)務(wù)體質(zhì)就相當(dāng)孱弱的臺(tái)廠再度面臨難關(guān),DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動(dòng),但業(yè)者預(yù)期這次參與整并成員將單純?cè)S多,美光(Micron)陣營的南亞科和華亞科在臺(tái)塑集團(tuán)財(cái)務(wù)支持下,已走出自己的路,不過,力晶、茂德、瑞晶合計(jì)26萬片12寸產(chǎn)能,恐怕都將成為爾必達(dá)(Elpida)囊中物。   
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          基于雙工方式的PC機(jī)與單片機(jī)之間的串行通信實(shí)現(xiàn)

          •  單片微型計(jì)算機(jī)簡稱單片機(jī),它是將中央處理器(CPU)、存儲(chǔ)器(RAM,ROM)、定時(shí)/計(jì)數(shù)器和各種接口電路都集成到一塊集成電路芯片上的微型計(jì)算機(jī)。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)尤其是單片機(jī)技術(shù)的發(fā)展,人們已越來越多地采用單片機(jī)來
          • 關(guān)鍵字: 串行  通信  實(shí)現(xiàn)  之間  單片機(jī)  雙工  方式  PC  基于  

          DRAM產(chǎn)業(yè)恐掀二次整并潮

          •   由于DRAM價(jià)格再度崩跌,原本財(cái)務(wù)體質(zhì)就相當(dāng)孱弱的臺(tái)廠再度面臨難關(guān),DRAM產(chǎn)業(yè)整并潮恐再次啟動(dòng),但業(yè)者預(yù)期這次參與整并成員將單純?cè)S多,美光(Micron)陣營的南亞科和華亞科在臺(tái)塑集團(tuán)財(cái)務(wù)支持下,已走出自己的路,不過,力晶、茂德、瑞晶合計(jì)26萬片12寸產(chǎn)能,恐怕都將成為爾必達(dá)(Elpida)囊中物。   DRAM產(chǎn)業(yè)2年前的整并賽轟轟烈烈開演,最后卻草草收?qǐng)觯蠹叶及牙碛赏平oDRAM價(jià)格反彈,不需再由政府插手,經(jīng)濟(jì)部亦樂得拋開燙手山芋,臺(tái)系DRAM廠則沈溺在報(bào)價(jià)反彈的榮景,紛購買機(jī)臺(tái)及轉(zhuǎn)換制程擴(kuò)產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: Micron  DRAM  

          爾必達(dá)削減產(chǎn)能應(yīng)對(duì)芯片降價(jià)

          •   據(jù)國外媒體報(bào)道,去年獲得日本政府救助的芯片廠商爾必達(dá)今天表示,由于芯片價(jià)格的“意外”下滑,該公司計(jì)劃將產(chǎn)能削減25%。   在芯片制造業(yè)中,產(chǎn)能以晶圓數(shù)量計(jì)算。爾必達(dá)將把每月的晶圓產(chǎn)量從23萬下調(diào)至17萬。但該公司并未透露何時(shí)恢復(fù)產(chǎn)能。   爾必達(dá)總裁阪本幸雄說:“目前還不清楚價(jià)格會(huì)下降多少。我們這樣做是試圖阻止價(jià)格進(jìn)一步下滑。”   據(jù)存儲(chǔ)芯片網(wǎng)絡(luò)交易商集邦科技(DrameXchange.com)的數(shù)據(jù)顯示,基準(zhǔn)芯片價(jià)格在上一季度暴跌24%后,本
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收僅增3.4%

          •   集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,全球DRAM產(chǎn)業(yè)第3季營收數(shù)字達(dá)108億美元,雖然DRAM 總產(chǎn)出量季成長15%,但在第3季合約價(jià)跌幅超乎預(yù)期拖累,相較于上季營收104億美元,僅微幅成長約3.4%。而在全球市占上,韓系DRAM廠第3季已囊括全球61.2%市占率,日系廠占16.3%,美系廠占12.2%,臺(tái)廠則微幅下滑至10.3%。  
          • 關(guān)鍵字: 集邦科技  DRAM  

          爾必達(dá)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM將依賴臺(tái)廠

          •   日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達(dá)在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品在線,將越來越依賴臺(tái)系DRAM合作伙伴的產(chǎn)能奧援,爾必達(dá)自己的12寸晶圓廠將聚焦在附加價(jià)值高的Mobile RAM產(chǎn)品在線。   
          • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  

          DRAM價(jià)格跌不停

          •   臺(tái)系DRAM廠茂德公布第3季財(cái)報(bào),一如市場預(yù)期,第3季在沒有巨額業(yè)外獲利挹注的情況下,虧損持續(xù)擴(kuò)大,稅后虧損達(dá)新臺(tái)幣38.96億元,以減資后股本計(jì)算,每股稅后虧損1.5元;茂德第3季營收則是呈現(xiàn)成長,主要是導(dǎo)入爾必達(dá)(Elpida)63納米制程技術(shù)所帶來的出貨量成長貢獻(xiàn),但也因?yàn)镈RAM平均單價(jià)下滑影響,營收成長幅度未如預(yù)期,僅小幅成長8.76%。   
          • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

          多因素致DRAM供過于求

          •   路透報(bào)導(dǎo),全球第2大手機(jī)廠商三星電子(Samsung Electronics)表示,因PC市場需求降溫,DRAM供過于求的狀況將持續(xù)到2011年第2季。   三星的高層指出,雖然市場需求逐漸疲軟,但因投資增加的結(jié)果,供給會(huì)持續(xù)上揚(yáng),這也使得DRAM市場出現(xiàn)供給過剩的問題,可能要等到2011年中狀況才會(huì)解除。   
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  DRAM  

          海力士Q3獲利翻5倍

          •   受惠于出貨成長及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢芯片的策略奏效,南韓海力士半導(dǎo)體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估,內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。   海力士周四公布,第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元),超越市場預(yù)期的9610億韓元,并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍,同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          DRAM廠3Q成績僅瑞晶逆勢突圍 

          •   DRAM廠第3季經(jīng)歷最冷的傳統(tǒng)旺季,營運(yùn)成績單并不亮眼,其中南亞科和華亞科虧損較第2季擴(kuò)大,力晶雖然第3季是少數(shù)獲利的DRAM廠,但獲利幅度較第2季大幅縮水,瑞晶則是臺(tái)系DRAM廠中,唯一獲利幅度逆勢超過第2季的業(yè)者,而茂德第3季則是續(xù)虧;展望第4季營運(yùn),目前DRAM價(jià)格還有修正空間,各廠力拼制程演進(jìn)來降低成本。   
          • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

          海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

          •   韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置,相較26納米存儲(chǔ)器,晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  20納米  
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