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臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)

　　臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力;與韓國處于高度競(jìng)爭(zhēng)的DRAM廠表示，若新臺(tái)幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競(jìng)爭(zhēng)上的確區(qū)居下風(fēng)，不過臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，匯率是影響競(jìng)爭(zhēng)力因素之一，但絕不是影響臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的最關(guān)鍵因素，主要因素還是在售價(jià)。　　
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海力士DRAM制程升級(jí)到30納米級(jí)

　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。　
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海力士2011年計(jì)劃投資26億美元

　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。　　彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
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臺(tái)日DRAM是否會(huì)產(chǎn)業(yè)整合？

　　DRAM報(bào)價(jià)面臨二次崩盤危機(jī)，過去曾被提及但最后鎩羽的臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺(tái)面!日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄將于2011年初訪臺(tái)，洽談在臺(tái)灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺(tái)廠連同爾必達(dá)進(jìn)行4合1大整并的細(xì)節(jié)，若能整并成功，“新爾必達(dá)”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺(tái)廠表示，未聽聞此事。
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12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

　　據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降，跌勢(shì)不止，經(jīng)過幾個(gè)月的大幅下滑，價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。　　12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價(jià)格為21.50美元，遠(yuǎn)低于6月時(shí)的38.80美元。　　圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價(jià)格，包括1GB和2GB兩種密度。　　與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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下季DRAM和NAND Flash報(bào)價(jià)看跌

　　美系內(nèi)存大廠美光(Micron)預(yù)測(cè)2011會(huì)計(jì)年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報(bào)價(jià)將持續(xù)走跌，其中DRAM價(jià)格會(huì)下跌約25%，而NANDFlash價(jià)格會(huì)下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術(shù)微縮，以期能持續(xù)降低生產(chǎn)成本，因應(yīng)需求不如預(yù)期的市況。　　
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手機(jī)記憶芯片熱銷

　　美國計(jì)算機(jī)記憶芯片大廠美光日前公布會(huì)計(jì)年度第1季(迄12月2日)財(cái)報(bào)，由于供智能型手機(jī)使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個(gè)人計(jì)算機(jī)記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續(xù)第5個(gè)季度出現(xiàn)獲利。　　
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DRAM合約價(jià)再跌10%

　　2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%，平均售價(jià)跌破20美元，低價(jià)來到17美元價(jià)格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過50%，市場(chǎng)預(yù)期供過于求的情況至少還會(huì)再持續(xù)1季，因?yàn)?011年第1季的供給增加幅度相當(dāng)大，預(yù)計(jì)要到2011年4月之后，等個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)大廠準(zhǔn)備下半年旺季的備料，DRAM價(jià)格才有機(jī)會(huì)落底止跌。　　
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2010全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)遠(yuǎn)超預(yù)期

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來最大規(guī)模的增長(zhǎng)，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。　　
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(BitGrowth)將增加50%。　　
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2011年DRAM位元成長(zhǎng)率上看50%

　　2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程，但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產(chǎn)出，集邦科技預(yù)估2011年全球DRAM產(chǎn)業(yè)位元成長(zhǎng)率(Bit Growth)將增加50%。　　三星電子201
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基于ARM920T設(shè)計(jì)的SMC接口研究與PC/104總線仿真

基于ARM920T設(shè)計(jì)的SMC接口研究與PC/104總線仿真,摘要：通過分析920T核ARM 處理器的高速片上系統(tǒng)總線AHB時(shí)序及其靜態(tài)存儲(chǔ)控制器SMC接口模型，研究IBM PC／AT和IEEE PC／104總線規(guī)范，提出一種在ARM 平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)兼容PC／104總線的方案．深入探討兩種平臺(tái)體系在存儲(chǔ)器結(jié)
關(guān)鍵字： PC/104 總線仿真研究接口 ARM920T 設(shè)計(jì) SMC 基于

金士頓擴(kuò)大在DRAM模組領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)

　　據(jù)iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位，在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。　　2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場(chǎng)中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于總體DRAM模組市場(chǎng)，后者同期增長(zhǎng)26%。　　
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三星TSV應(yīng)用DRAM模塊首次實(shí)現(xiàn)商用化

　　據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)應(yīng)用可大幅提升內(nèi)存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時(shí)已裝設(shè)在客戶商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測(cè)試。　　
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爾必達(dá)與Rambus簽署新一期專利授權(quán)協(xié)議

　　Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內(nèi)存大廠爾必達(dá)簽署了新一期的專利授權(quán)協(xié)議。　　此次雙方簽署的協(xié)議涉及產(chǎn)品極其廣泛，從久遠(yuǎn)的SDR內(nèi)存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協(xié)議為期五年，爾必達(dá)將向Rambus總共支付1.8億美元的授權(quán)費(fèi)，首次付賬4700萬美元。　　
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