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          未來PC和數(shù)據(jù)中心處理器將基于移動設(shè)計原則

          • 多年來,移動處理器的生產(chǎn)商致力于優(yōu)化設(shè)計,以在有限的功耗預(yù)算、存儲空間和帶寬范圍內(nèi)獲得最佳性能。過去,顯然這些考量因素在數(shù)據(jù)中心或個人電腦(PC)等市場并未得到重視。如今,傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心和PC市場的變革正在悄然發(fā)生——改變處理器設(shè)計規(guī)則,讓開發(fā)人員重新考慮其芯片架構(gòu)以獲得更高的性能功耗比。移動處理器設(shè)計原則運用于PC和數(shù)據(jù)中心今天,越來越多的云游戲、數(shù)據(jù)挖掘、人工智能/數(shù)據(jù)分析和高性能計算均在云端實現(xiàn)。雖然這些應(yīng)用的要求各不相同,但在不斷提高計算量的要求方面如出一轍。數(shù)據(jù)中心無法通過不斷擴(kuò)大物理占地面積來滿
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)中心  PC  處理器設(shè)計  

          第二季度DRAM跌幅估縮小

          • 根據(jù)市調(diào)預(yù)估,第二季整體DRAM平均價格跌幅約0~5%,跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高,再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰(zhàn)事和高通膨影響,進(jìn)而削弱消費者購買力道,目前僅服務(wù)器為主要支撐內(nèi)存需求來源,故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM方面,受俄烏戰(zhàn)爭影響,引發(fā)PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略,且可能持續(xù)影響下半年旺季訂單情形,進(jìn)而下修今年的出貨目標(biāo),然而整體供給位卻仍在增長,故第二季PC DRAM價格跌幅達(dá)3~8%,且可能會進(jìn)一步惡化。在服務(wù)器DR
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          三星LPDDR5X DRAM已在高通驍龍移動平臺上驗證使用

          • 今日三星宣布,高通技術(shù)公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經(jīng)驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X (LPDDR5X) DRAM,并應(yīng)用于高通技術(shù)公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發(fā)出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以來,三星與高通技術(shù)公司密切合作,優(yōu)化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X,用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍,有
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          從實用角度聊聊 Wintel為何還是勝過蘋果一籌

          • 大家可以試著考慮一個問題,如果從實用性角度來看,英特爾11代酷睿+Windows 11是否更勝蘋果M1+MacOS一籌呢?對于我個人以及身邊不少朋友來說確實如此。無論是在兼容性、易用性,還是在拓展性、泛用性方面,基于英特爾11代酷睿+Windows 11的電腦都更容易上手,使用起來也無需擔(dān)心兼容性問題。作為一名11代酷睿+Windows和蘋果M1+MacOS雙修的打工人,我個人對此深有感觸。而如果你正在為此事而煩惱、正在為選擇哪個陣營而糾結(jié),那么不妨來看看這篇文章。筆者現(xiàn)在自用的筆記本電腦有兩臺,
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          英特爾發(fā)布新PC芯片 預(yù)期研發(fā)的超算速度將翻倍

          •   10月28日消息,據(jù)外媒報道,美國當(dāng)?shù)貢r間周三,芯片巨頭英特爾發(fā)布了一款速度更快的新個人電腦(PC)處理器芯片系列,并稱其正在幫助美國政府開發(fā)的超級計算機速度將達(dá)到先前預(yù)期的兩倍?! ≡谳斀oAMD和蘋果等競爭對手后,英特爾正在努力奪回制造速度最快計算芯片的領(lǐng)先地位。蘋果和AMD都使用外包方式來制造芯片,而英特爾始終在內(nèi)部制造模式中苦苦掙扎?! ≡谥荚谡f服軟件開發(fā)商為其芯片編寫代碼的活動上,英特爾展示了其用于PC的第12代英特爾酷睿芯片,代號為“奧爾德湖”(Alder Lake)。該公司表示,該產(chǎn)品線最
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          微結(jié)構(gòu)不均勻性(負(fù)載效應(yīng))及其對器件性能的影響:對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

          • 隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中,電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM,晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中,我們將為大家呈現(xiàn),如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
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          美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn):1γ節(jié)點導(dǎo)入

          • 三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息,CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn),預(yù)
          • 關(guān)鍵字: 美光  EUV  DRAM  

          TrendForce:第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

          • 根據(jù)TrendForce調(diào)查,第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成,受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng),本季合約價調(diào)漲3~8%,但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起,DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存,持續(xù)降價求售。合約市場方面,先前PC OEMs因擔(dān)憂長短料問題而大量備料,使DRAM庫存已達(dá)高水位,庫存迭高問題成為漲價的阻力,再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低,進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此,預(yù)估PC DRAM合約價于第四
          • 關(guān)鍵字: TrendForce  PC DRAM  

          三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

          •   三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好,其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計該部門將持續(xù)增長,尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算(HPC)市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊,該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊,從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。  但事實證明,這家韓國巨頭可能還不滿足,因為它計劃在不久的將來的某個時候更進(jìn)一步,生產(chǎn)768GB DDR5模塊,也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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          EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

          • SK海力士公司在7月12日表示,本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外(EUV)工藝,這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法,比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品,第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%,成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機制造商,并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明,正式啟用EUV光刻機閃存內(nèi)存芯片,批量生產(chǎn)采用
          • 關(guān)鍵字: EUV  DRAM  

          SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

          • SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米(1a)級工藝的?8Gigabit(Gb)?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格?!癉DR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council,簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱,DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  10納米  DRAM  

          擁抱開放的英特爾 讓PC行業(yè)再次越過創(chuàng)新鴻溝

          • 2021年6月24日晚11點,微軟正式發(fā)布了Windows 11操作系統(tǒng)。相比全新的UI設(shè)計、各項新特性、新功能的加入,帶給我們更大驚喜的,是Windows 11系統(tǒng)打通了跨平臺壁壘,可以直接使用安卓應(yīng)用,這或許會改變我們使用PC和手機的方式。而Windows 11之所以能夠?qū)崿F(xiàn)對安卓應(yīng)用的支持,則要歸功于背后的英特爾Bridge技術(shù),這項技術(shù)支持所有安裝Windows 11操作系統(tǒng)的x86設(shè)備直接使用安卓應(yīng)用。這意味著,英特爾以開放態(tài)度,將x86生態(tài)下的所有設(shè)備囊括進(jìn)來,從而徹底突破了Windo
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  PC  Windows 11  

          美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

          • 近日,在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中,美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新,涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品,并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景,從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新,突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后,有一
          • 關(guān)鍵字: 美光  176層NAND  1α DRAM   

          PC業(yè)務(wù)提振,戴爾Q1營收245億美元利潤9.38億美元

          •   5月28日消息,當(dāng)?shù)貢r間周四戴爾科技公布截至4月30日的2022財年第一季度財報。財報顯示,戴爾第一季度營收為244.87億美元,與去年同期的218.97億美元相比增長12%,而分析師平均預(yù)期為233億美元;凈利潤為9.38億美元,與去年同期的1.82億美元相比增長415%;不包含某些項目的每股收益為2.13美元,而分析師平均預(yù)期為1.60美元?! 〈鳡柈?dāng)季營收之所以能超出分析師預(yù)期,主要原因是消費者和企業(yè)在筆記本電腦和臺式電腦方面的開支巨大。  戴爾首席執(zhí)行官邁克爾·戴爾(Michael Dell)
          • 關(guān)鍵字: 戴爾  財報  PC    

          美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

          • 2021 年1 月,美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品,是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù),在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此,《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代,其最小特征尺寸(通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距)在(10~19) nm之間。要做到這一點,需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
          • 關(guān)鍵字: 202104  DRAM  
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