pwm ic 文章進(jìn)入pwm ic技術(shù)社區(qū)

無毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個(gè)稱為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來生成明確或可靠的復(fù)位信號，而在該最低電源電壓到來之前，復(fù)位信號的狀態(tài)是不確定的。一般來說，我們將其稱之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即開漏和推挽（圖1），兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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2021-2022年度（第五屆）中國 IC 獨(dú)角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國具有市場競爭實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國際和國內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
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不畏亂流半導(dǎo)體市場逆風(fēng)揚(yáng)

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對今年全球經(jīng)濟(jì)成長將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場仍會較去年成長一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷售成長幅度或有消長。其中，微處理器及功率分離式組件銷售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長強(qiáng)勁，功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長幅度增加，至于CMOS影像傳感器
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一種基于STM32的PID直流電機(jī)控制系統(tǒng)

本文是以PID（比例、積分、微分）算法為核心，基于STM32控制芯片的直流電機(jī)控制系統(tǒng)研究，硬件模塊包括L298N電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊、編碼器測速、PWM（脈沖寬度調(diào)制，Pulse Width Modulation）輸出等，軟件部分以Keil MDK（混合開發(fā)工具，Mix Development Kit）為開發(fā)環(huán)境，實(shí)現(xiàn)調(diào)速系統(tǒng)各子模塊功能，并對結(jié)果進(jìn)行分析。此次研究搭建的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)使直流電機(jī)的穩(wěn)態(tài)誤差始終保持在0.49%以下，直流電機(jī)速度精度控制在95%以上。在額定轉(zhuǎn)速時(shí)，其穩(wěn)態(tài)誤差為0.25%。隨著設(shè)定電機(jī)轉(zhuǎn)速
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2022年傳感器和致動(dòng)器成長15% 離散組件將回復(fù)正常水平

IC Insights日前發(fā)布報(bào)告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動(dòng)器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的成長。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統(tǒng)因素，沒有相對應(yīng)的結(jié)果。根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報(bào)告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當(dāng)時(shí)三個(gè)市場的總銷售額成長不到3 %。報(bào)告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

12月10日，第五屆“芯動(dòng)北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機(jī)、育“芯”才等主題進(jìn)行深入交流，探討當(dāng)前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。北京市委常委、副市長殷勇，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會設(shè)計(jì)分會理事長魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
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新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計(jì)超收斂

經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計(jì)中的過度設(shè)計(jì)和昂貴的后期ECO（工程變更指令）要點(diǎn)： ? 經(jīng)過驗(yàn)證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個(gè)產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析? 與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進(jìn)行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析? 與PrimeWave?設(shè)計(jì)環(huán)境整合
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多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知

　　原標(biāo)題：多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)：收到臺積電漲價(jià)通知強(qiáng)調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價(jià)，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進(jìn)制程漲幅達(dá)10%，到全面漲價(jià)20%，并從即日起生效?！　Υ耍瑩?jù)中央社報(bào)道，多家IC設(shè)計(jì)廠商證實(shí)收到臺積電漲價(jià)通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計(jì)業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進(jìn)制程漲價(jià)約7%至9%，其余成熟制程代工價(jià)格漲幅約20%?！　〈送猓_積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價(jià)隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
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媒體稱明年晶圓代工價(jià)漲定了，臺積電：不評論

　　財(cái)聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報(bào)道，IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，明年初晶圓代工價(jià)格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價(jià)格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價(jià)，部分8英寸和12英寸制程價(jià)格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價(jià)格問題。
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因?yàn)檫@類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運(yùn)行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
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中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長25%

據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，21Q1全球半導(dǎo)體市場銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長3.6%，較2020年同期(20Q1)成長17.8%；銷售量達(dá)2,748億顆，較上季成長4.9%，較去年同期成長22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面，中國大陸市場銷售值成長幅度最高，較上季(20Q4)成長8.9%，達(dá)到434億美元，較去年同期(20Q1)成長25.6%；歐洲市場次之，較上季(20Q4)成長8.8%，達(dá)到110億美元，較去年同期成長8.7%；
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Micro-LED顯示光學(xué)性能研究*

Micro-LED由于優(yōu)異的顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點(diǎn)。由于其為芯片直顯技術(shù)，芯片的光學(xué)性能決定了顯示屏幕大部分的光學(xué)性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對光學(xué)影響大，450 μm膠厚時(shí)比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發(fā)光，紅光芯片本身發(fā)光角度比藍(lán)綠光芯片小，再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射，紅光折射率比藍(lán)綠光小，藍(lán)綠光出光視角進(jìn)一步放大，導(dǎo)致色溫偏差。
關(guān)鍵字： Micro-LED顯示色溫光形圖 202009 PWM

砥礪前行，推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
關(guān)鍵字：集成電路微電子氮化鎵器件寬禁帶 IC GaN 202103

基于LCC拓?fù)涞?相輸入300W AC-DC LED電源

近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實(shí)現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個(gè)關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個(gè)以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個(gè)數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
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