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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進(jìn)入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強(qiáng)大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%，達(dá)421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計2016財年銷售不到5萬億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。 東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
2015年第四季NAND廠商營收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機(jī)、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預(yù)期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴(kuò)大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機(jī)構(gòu)研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
運(yùn)用材料工程解決半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)拐點的挑戰(zhàn)
- 今年，半導(dǎo)體行業(yè)將迎來幾大重要的技術(shù)拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術(shù)，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設(shè)備。我們預(yù)計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。 由平面結(jié)構(gòu)向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進(jìn)了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術(shù)的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進(jìn)行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設(shè)備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關(guān)重要。此外，隨著越來越多支持圖案
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 NAND
國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
- 2015年中國半導(dǎo)體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導(dǎo)體業(yè)值得關(guān)注的焦點。 TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運(yùn)上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應(yīng)用。主要目標(biāo)客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機(jī)關(guān)與國防軍工等原先合作關(guān)系密切，或是有投資關(guān)系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
- 在設(shè)計和推廣固態(tài)存儲設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！ 』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品： Ferri-eMMC?解決方案 Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND
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