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三星電子：半導(dǎo)體廠房跳電損失估計(jì)不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示，截至臺(tái)北時(shí)間25日下午3時(shí)為止，南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計(jì)不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示，目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出，三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實(shí)不大，主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 Yonhap News于南韓時(shí)間24日下午7時(shí)48分報(bào)導(dǎo)，三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電，其K2、K5廠區(qū)在
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三星公司Fab13/Fab14內(nèi)存/閃存芯片工廠再遭斷電事故侵?jǐn)_
- 韓國三星電子公司近日表示本月24日下午，其設(shè)在Kiheung地區(qū)的一個(gè)NAND閃存生產(chǎn)基地遭遇了斷電事故，不過據(jù)三星公司的發(fā)言人表示這次為期一小 時(shí)的斷電并沒有對(duì)其32Gb以及其它大容量NAND閃存芯片的生產(chǎn)造成顯著影響。 據(jù)三星的通路合作伙伴透露，在這次停電事故中受到影響的工廠主要包括三星旗下兩間12英寸廠Fab13和Fab14.其中Fab13主要負(fù)責(zé)為三星生產(chǎn)內(nèi)存芯片，而Fab14則主要生產(chǎn)NAND閃存芯片。Fab13和Fab14的月產(chǎn)能大約分別是12萬/13萬片晶圓。 無獨(dú)有偶，20
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東芝宣布其Fab5新廠房將于今年七月份開工建造
- 東芝公司近日宣布他們將在日本三重縣四日市現(xiàn)有的生產(chǎn)運(yùn)營中心附近新建一座Fab5閃存芯片廠，這間芯片廠將于今年七月份開始動(dòng)工。目前，東芝設(shè)在四日市的生產(chǎn)運(yùn)營中心 已建有四間NAND閃存芯片廠。盡管2008年秋季爆發(fā)了全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)，而NAND閃存芯片的市場需求也一度相當(dāng)萎靡，但近期隨著智能手機(jī)和其它應(yīng)用型產(chǎn) 品的熱銷，閃存芯片的市場需求已經(jīng)開始回暖，而且未來一段時(shí)間內(nèi)還將保持增長趨勢(shì)，因此東芝最終作出了開工建造Fab5芯片廠的決定。 按照東芝的計(jì)劃，其Fab5工廠將于明年春季完工，而后期的投資力度和
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NAND Flash控制芯片業(yè)淘汰賽登場 SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合
- NAND Flash控制芯片市場曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭相投入，隨著快閃記憶卡市場飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競爭對(duì)手環(huán)伺，過去擁有NAND Flash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再，未來NAND Flash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言，恐怕不再是大樹好乘涼，尤其包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)等大廠在走進(jìn)SSD時(shí)代后，由于用在PC的零組件輕忽不得，遂紛收回控制芯片采購權(quán)，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片產(chǎn)業(yè)勢(shì)必將展開一波整合及淘汰賽。 N
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東芝重啟產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃 新閃存生產(chǎn)廠7月開工
- 日本最大的內(nèi)存芯片廠商?hào)|芝將重啟因經(jīng)濟(jì)衰退而擱置的產(chǎn)能擴(kuò)展計(jì)劃，它將從7月開始建設(shè)新的閃存生產(chǎn)廠。 東芝表示，新生產(chǎn)廠位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2011年春季完建。東芝沒有透露該生產(chǎn)廠的建設(shè)成本。 包括蘋果iPhone在內(nèi)的智能手機(jī)銷售的增長，推動(dòng)了NAND內(nèi)存需求的增長。據(jù)市場調(diào)研公司 iSuppli預(yù)計(jì)，NAND閃存市場今年的總收入將增長34%達(dá)到181億美元。 東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠的投資規(guī)模，但是建立新
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 Intel NA
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09年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下滑 亞太供應(yīng)商表現(xiàn)出色
- 2009年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)急劇下滑，但亞太的芯片廠商安然無恙?？偛吭趤喬貐^(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商，2009年合計(jì)營業(yè)收入實(shí)際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。 “去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢(shì)黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實(shí)現(xiàn)了增長，因?yàn)樗麄儗Ｗ⒂跓衢T半導(dǎo)體產(chǎn)品而且受益于該地區(qū)的強(qiáng)勁需求，”iSuppli公司市場情報(bào)服務(wù)資深副總裁Dale Ford表示，“
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SanDisk變身 開始對(duì)外供應(yīng)NAND閃存晶圓
- 據(jù)報(bào)道，包括威剛、創(chuàng)見、PQI勁永等在內(nèi)的臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商以及閃存控制器廠商群聯(lián)電子近期都已經(jīng)開始從SanDisk公司購買NAND閃存晶圓。這意味著SanDisk已經(jīng)從自有品牌閃存設(shè)備制造商，搖身一變成了NAND晶圓供應(yīng)商。 據(jù)稱，SanDisk已經(jīng)從閃存制造合作伙伴東芝一道，成了多家臺(tái)灣閃存產(chǎn)品廠商的上游供應(yīng)商之一。實(shí)際上，自2008年起就有傳言稱SanDisk將對(duì)外供應(yīng)NAND閃存，但在當(dāng)時(shí)在全球閃存市場供求旺盛的狀況下，SanDisk一致謹(jǐn)慎的實(shí)行自有品牌的戰(zhàn)略。隨著近一兩年全球金融危機(jī)以
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局
- 最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競爭激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯 片，其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。 據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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全球存儲(chǔ)器短缺的三個(gè)理由
- 2010年全球存儲(chǔ)器可能出現(xiàn)供應(yīng)缺貨，而且非?？赡軙?huì)延續(xù)下去。為什么?可能有三個(gè)原因，1)，存儲(chǔ)器市場復(fù)蘇;2)，前幾年中存儲(chǔ)器投資不足;3)，由ASML供應(yīng)的光刻機(jī)交貨期延長。 巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報(bào)告中指出，通過存儲(chǔ)器的食物供應(yīng)鏈看到大量的例證，認(rèn)為目前存儲(chǔ)器供應(yīng)偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。 據(jù)它的報(bào)告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達(dá)70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達(dá)52%。 Luke認(rèn)為
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傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
- 消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。 報(bào)道稱，東芝的這一計(jì)劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟(jì)衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計(jì)劃。 市場調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報(bào)告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場，其NAND閃存
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Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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傳鎂光公司欲收購Numonyx公司
- 業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對(duì)NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會(huì)收購 Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽
- 在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來的意圖。 Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場，那
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