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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機密被捕
- 據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機密并出售給了競爭對手海力士。 美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經(jīng)確認此事，并透露說其中一人是前應(yīng)用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國子工廠的高管。 應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。 NAND閃存可用于存儲消費電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項技術(shù)成就將
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蘋果刺激NAND Flash需求 各界引頸盼望
- 蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據(jù)外資和市調(diào)機構(gòu)估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產(chǎn)業(yè)開創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報價波動相當(dāng)平靜，并未反映蘋果效應(yīng)，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開始嚴查走私，因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減，預(yù)計年后才會發(fā)動補貨行情。 蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。 首爾大學(xué)表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。 一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責(zé)教授表示
- 關(guān)鍵字： Samsung NAND NOR芯片
2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化
- NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。 近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND
內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購買海力士
- 業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商. 內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 另外有消息稱,海力士
- 關(guān)鍵字： 金士頓 內(nèi)存 NAND
為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND
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