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          Ramtron發(fā)布具射頻功能之無線存儲(chǔ)器MaxArias

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation日前宣布,現(xiàn)正向數(shù)個(gè)行業(yè)的客戶提供首款MaxArias™無線存儲(chǔ)器產(chǎn)品的beta測(cè)試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲(chǔ)器產(chǎn)品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性特性相結(jié)合,能夠在廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域中,實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新性數(shù)據(jù)采集功能。   Ramtron首個(gè)無線存儲(chǔ)器系列稱作MaxArias WM71
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  MaxArias  無線存儲(chǔ)器  

          Ramtron推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲(chǔ)器FM25L16-GA,進(jìn)一步擴(kuò)大其符合AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)要求的F-RAM存儲(chǔ)器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲(chǔ)器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作,是Ramtron不斷增長(zhǎng)的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的汽車存儲(chǔ)器產(chǎn)品的新成員。
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          關(guān)于V系列F-RAM的技術(shù)說明

          •   全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號(hào),工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  FM24V02  FM25V02  200909  

          加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

          •   全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。   恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NOR  NAND  RAM  PCM  

          Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲(chǔ)存器

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88,適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。   與nvSRAM相比,F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝,具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  儲(chǔ)存器  FM14C88  RAID  

          單片機(jī)系統(tǒng)RAM的測(cè)試方法回顧與研究

          • 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對(duì)系統(tǒng)的可...
          • 關(guān)鍵字: RAM  測(cè)試  單片機(jī)  

          Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  FM28V020  非易失性鐵電存儲(chǔ)器  

          單片機(jī)系統(tǒng)RAM的測(cè)試方法研究

          • 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性,對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對(duì)
          • 關(guān)鍵字: 方法研究  測(cè)試  RAM  系統(tǒng)  單片機(jī)  

          Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件擴(kuò)展V系列產(chǎn)品線

          •   全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation,發(fā)布了兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產(chǎn)品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設(shè)接口(SPI)的FM25V02。兩款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產(chǎn)品的最新型號(hào),工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay&t
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  非易失性  串口  

          恒憶與三星合作的生意經(jīng)

          •   2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory,PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。   韓國(guó)三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí),其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長(zhǎng)期無可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM,并利
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  PCM  DRAM  RAM  NOR  

          Ramtron 4Mb F-RAM器件獲選用于工業(yè)用固態(tài)硬盤

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布,其4Mb F-RAM器件FM22L16已獲深圳市盛博科技嵌入式計(jì)算機(jī)有限公司采用,以生產(chǎn)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備—固態(tài)硬盤 (solid-state disk, SSD)。   盛博科技專門研究、開發(fā)和生產(chǎn)基于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式硬件和軟件系統(tǒng),瞄準(zhǔn)工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng),終端客戶遍及軌道運(yùn)輸、電力、醫(yī)療設(shè)備和運(yùn)動(dòng)控制等應(yīng)用領(lǐng)域。   除了能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  固態(tài)硬盤  FM22L16  SSD  

          Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲(chǔ)器

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速讀/寫性能、低電壓運(yùn)行,以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲(chǔ)器,工作電壓為2.7V至3.6V,采用8腳SOIC封裝,使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
          • 關(guān)鍵字: Ramtron  F-RAM  非易失性存儲(chǔ)器  NoDelay  SOIC  

          瞄準(zhǔn)亞洲存儲(chǔ)增長(zhǎng)商機(jī) 恒憶積極開拓經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)

          •   全球非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)導(dǎo)廠商恒憶(Numonyx)今天宣布與益登、聯(lián)強(qiáng)、世平、文曄、東棉、金龍等授權(quán)經(jīng)銷商合作,在中國(guó)大陸地區(qū)銷售恒憶產(chǎn)品,并提供支持服務(wù)。通過這個(gè)穩(wěn)固的經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò),恒憶在亞洲區(qū)的產(chǎn)品與技術(shù)布局將更加完整,足以滿足亞洲快速增長(zhǎng)的嵌入式與無線市場(chǎng)需求,尤其是在數(shù)字消費(fèi)電子、通信和手持裝置等領(lǐng)域。   亞洲市場(chǎng)規(guī)模龐大且具備驚人的發(fā)展?jié)摿Γ诤銘浀娜虿季种惺冀K占有關(guān)鍵性地位,中國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū)更是其中最具代表性、成長(zhǎng)最快、爆發(fā)力最強(qiáng)的市場(chǎng)。根據(jù)iSuppli與Web Feet的研究顯示,2
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  非易失性存儲(chǔ)  PCM  手持裝置  NOR  RAM  

          AgigA推出首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)

          •   日前,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司美國(guó)技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了業(yè)界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)。該新型 AGIGARAM? 非易失性系統(tǒng) (NVS) 技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之間,傳輸峰值速度與 DRAM 的相當(dāng)。AGIGARAM 是多種系統(tǒng)的理想選擇,如存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、通信、工業(yè)計(jì)算和控制、醫(yī)療設(shè)備、游戲系統(tǒng)、ATM 和銷售點(diǎn)終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、汽車和軍事系統(tǒng)等。   至今,高速、非易失性存
          • 關(guān)鍵字: cypress  RAM  AGIGARAM  NVS  

          混合動(dòng)力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心

          •   目前,混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外,混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。   節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視,在最近的國(guó)際汽車展上,多家汽車企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車,這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今,中國(guó)對(duì)于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期,今年2月,財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》,推廣節(jié)能與
          • 關(guān)鍵字: 新能源  IGBT  F-RAM  混合動(dòng)力  
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          ram-x24c45器件介紹

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