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TI最新MCU實現(xiàn)產(chǎn)品擁有更長使用壽命甚或不使用電池

　　德州儀器 (TI) 宣布推出實現(xiàn)了超低功耗 MSP430 系列MCU產(chǎn)品，該系列能夠針對峰值高達 25 MHz 的產(chǎn)品實現(xiàn)低功耗，并擁有更高的閃存與RAM存儲容量，以及諸如射頻 (RF)、USB、加密和 LCD 接口等集成外設(shè)。MSP430F5xx MCU 的工作功耗與待機功耗分別僅為 160 μA/MHz（每兆赫微安）與 1.5μA，可為便攜式應(yīng)用實現(xiàn)超長的電池使用壽命以及采用超小型電池，甚至根本不使用電池，非常適用于采用太陽能、振動或人體溫度等能量收集系統(tǒng)。　　　由于該
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車載信息娛樂系統(tǒng)的動態(tài)數(shù)據(jù)完整性

　　當(dāng)今信息娛樂系統(tǒng)的動態(tài)數(shù)據(jù)量呈爆發(fā)式增長。這些數(shù)據(jù)往往是設(shè)備正常工作所必不可少的，且數(shù)據(jù)以用戶為中心，隨用戶的環(huán)境變化 (如接收當(dāng)?shù)亟煌ㄐ畔? 而改變。突然掉電　　許多車載信息娛樂系統(tǒng)設(shè)計人員面臨的普遍問題是突然掉電。掉電一般在發(fā)動機熄火重啟時發(fā)生。掉電會導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞，從而中斷正常的設(shè)備運轉(zhuǎn)，除非在設(shè)計中采用了維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的預(yù)防措施。　　采用下述標(biāo)準(zhǔn)電路技術(shù)，可讓大多數(shù) F-RAM 非易失性存儲器避免汽車設(shè)備因突然掉電而引起的各種隱患。首先，使用 F-RAM 存儲器替代 EEPP
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上海威爾泰設(shè)計使用Ramtron的串行FRAM存儲器

　　Ramtron宣布壓力變送器與電磁流量計供應(yīng)商上海威爾泰工業(yè)自動化股份有限公司已將 Ramtron 的 FM25L16 16 千位 (Kb) 串行 F-RAM 存儲器設(shè)計用于其 2000S 安全壓力變送器中。在其全新固有的安全防爆傳送器中，F(xiàn)-RAM 已完全替代 EEPROM。　　隨著工業(yè)領(lǐng)域中的過程控制的日益復(fù)雜，如化工、制藥、電力、水處理和食品加工等行業(yè)，智能壓力變送器已日益受到歡迎。2000S 壓力變送器具有多項先進的功能，包括雙向通信、遙控校正及自我診斷。這些功能可實現(xiàn)更高的精度、更高的可
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用雙端口RAM實現(xiàn)與PCI總線接口的數(shù)據(jù)通訊

　　采用雙端口RAM實現(xiàn)DSP與PCI總線芯片之間的數(shù)據(jù)交換接口電路。　　提出了一種使用CPLD解決雙端口RAM地址譯碼和PCI接口芯片局部總線仲裁的的硬件設(shè)計方案，并給出了PCI總線接口芯片寄存器配置實例，介紹了軟件包WinDriver開發(fā)設(shè)備驅(qū)動程序的具體過程。　　隨著計算機技術(shù)的不斷發(fā)展，為滿足外設(shè)間以及外設(shè)與主機間的高速數(shù)據(jù)傳輸，Intel公司于1991年提出了PCI總線概念。PCI總線是一種能為主CPU及外設(shè)提供高性能數(shù)據(jù)通訊的總線，其局部總線在33MHz總線時鐘、32位數(shù)據(jù)通路時，數(shù)據(jù)
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高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的存儲與傳輸控制邏輯設(shè)計

　　隨著信息科學(xué)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)采集和存儲技術(shù)廣泛應(yīng)用于雷達、通信、遙測遙感等領(lǐng)域。在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，由ADC轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)需要存儲在存儲器中，再進行相應(yīng)的處理，保證快速準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸處理是實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)采集的一個關(guān)鍵。由于高速ADC的轉(zhuǎn)換率很高，而大容量RAM相對ADC輸出速度較慢，保持高速數(shù)據(jù)存儲過程的可靠性、實時性是一個比較棘手的問題。對于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的大容量高速度數(shù)據(jù)存儲、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的存儲和傳輸?shù)姆桨?，并?yīng)用于1GS/s數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中，實現(xiàn)了以低
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在U—BooT中嵌入千兆網(wǎng)絡(luò)功能的方法

引言U-BOOT是德國DENX小組開發(fā)的用于多種嵌入式微處理器的引導(dǎo)加載程序，它是系統(tǒng)上電后運行的第一...
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80C51原始IP核內(nèi)部RAM的擴展方案

　　引言　　80C51系列單片機是一類經(jīng)典的8位微處理器，其設(shè)計方法和體系結(jié)構(gòu)一直是其他各類單片機設(shè)計的參考典范，自從20世紀(jì)80年代面世以后，得到了極大的發(fā)展與應(yīng)用。直到今天，市場上還有一大部分單片機應(yīng)用成品將其作為處理核心。基于80C51系列單片機無知識產(chǎn)權(quán)保護、市場應(yīng)用廣泛等優(yōu)點，對其進行功能拓展，既有利于經(jīng)濟上節(jié)約成本，也有利于成果的推廣使用。而隨著單片機應(yīng)用日趨復(fù)雜化，傳統(tǒng)的51系列單片機在設(shè)計上的不足逐漸顯現(xiàn)出來。如在現(xiàn)有128字節(jié)內(nèi)部RAM基礎(chǔ)上，處理一些比較復(fù)雜的算法就顯不足。鑒于此
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閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實力，新公司應(yīng)該讓人感覺很有希望。但是現(xiàn)實面臨兩個大的問題，其一是在專注的存儲器領(lǐng)域強手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲器類型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲器，并利用新型相變移位
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恒憶?（NUMONYX）強勢進軍存儲器市場

　　2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲器
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低功耗管理特性讓Mobile RAM受歡迎

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低功耗管理特性讓Mobile RAM受歡迎

作者:奇夢達消費類和移動裝置高級營銷經(jīng)理章志賢　　盡管Flash作為非易失性存儲能滿足特定的存儲需求，但相對SDRAM它的成本更高，并且需要更長的存取時間。Mobile RAM是SDRAM的擴展產(chǎn)品，得益于工藝的進步和特殊的芯片設(shè)計，與同等密度的標(biāo)準(zhǔn)SDRAM相比，Mobile RAM提供了更低的工作電壓、工作電流和待機電流，低功耗架構(gòu)設(shè)計可通過溫度補償自刷新（TCSR）和有效存儲空間部分陣列自刷新（PASR）兩種方式，進一步降低在自刷新模式下的電流，耗電量可節(jié)省80%。Mobile RAM可以取代
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Ramtron 擴展其用于引擎罩下的Grade 1汽車F-RAM存儲器產(chǎn)品

　　Ramtron International Corporation擴展其符合Grade 1 AEC-Q100 規(guī)范的汽車存儲器產(chǎn)品系列，新增一款4Kb F-RAM存儲器，使其符合125℃ 應(yīng)用的產(chǎn)品增至五款。FM25040A-GA 是4Kb、5V F-RAM，具有高速串行外設(shè)接口 (SPI)，并合乎125℃ 工作規(guī)范要求，保證在極端溫度條件下可保持?jǐn)?shù)據(jù)達9,000小時。　　FM25040A-GA具有快速寫入、幾乎無限次的擦寫次數(shù)及低功耗等特點，適用于先進的動力傳動系統(tǒng)。在嚴(yán)苛的數(shù)據(jù)收集應(yīng)用中，F(xiàn)-
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fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲器用于智能I/O模塊設(shè)計中

　　F-RAM和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計算機 (SBC) 和智能 I/O 擴展模塊中，采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM，以取代
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RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器

非易失性鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中，以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理系統(tǒng)，而這是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) F-RAM 電存儲器微控制器存儲器

揚長補短發(fā)展FeRAM

　　存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
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