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          端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹

          •   端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹   NI端到端網(wǎng)絡(luò)(P2P)流技術(shù)使用PCI Express接口在多個(gè)設(shè)備之間直接,點(diǎn)對(duì)點(diǎn)傳輸,而不必通過(guò)主處理器或存儲(chǔ)器。這可使同一個(gè)系統(tǒng)中的設(shè)備共享信息而不必占用其它的系統(tǒng)資源。NI P2P技術(shù)被以下設(shè)備支持:PXI Express NI FlexRIO現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R),PXI Express數(shù)字化儀和矢量信號(hào)分析儀,包括NI PXIe-5122,PXIe-5622和 PXI
          • 關(guān)鍵字: NI  RF  端到端  

          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

          • 目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對(duì)后期器件加工和應(yīng)用帶來(lái)很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對(duì)便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢(shì),因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

          基于BLF888設(shè)計(jì)的500W RF廣播發(fā)射方案

          • BLF888是500W LDMOS RF功率晶體管,用于廣播發(fā)射和工業(yè)應(yīng)用。在UHF頻帶470 MHz 到860 MHz可提供平均功率110W,峰值包絡(luò)功率500W,功率增益19dB,漏極效率46%,VDS 電壓50 V,漏極靜態(tài)電流1.3A。本文主要介紹了BLF888
          • 關(guān)鍵字: 廣播  發(fā)射  方案  RF  500W  BLF888  設(shè)計(jì)  基于  

          基于MAX19994A設(shè)計(jì)的雙路RF下變換方案

          • MAX19994A是雙路RF下變換器,RF范圍從1200MHz到2000MHz,LO范圍從1450MHz 到 2050MHz,IF范圍從50MHz到500MHz,典型的轉(zhuǎn)換增益為8.4dB,典型的噪音為9.8dB,輸入IP3典型值為+25dBm,輸入1dB壓縮點(diǎn)為+14dBm,單電源5.0V 或3.3
          • 關(guān)鍵字: 變換  方案  RF  雙路  MAX19994A  設(shè)計(jì)  基于  

          智能化電能計(jì)量技術(shù)提升能效,讓世界變得更環(huán)保

          • 引言我們都很熟悉那些隱藏在車庫(kù)、地下室或其它隱蔽之處的電表了。我們甚至可能每月會(huì)檢查它一次或...
          • 關(guān)鍵字: AMR  AMI  ADI  RF  

          被動(dòng)門禁系統(tǒng)中RF設(shè)計(jì)的考慮事項(xiàng)

          • 引言被動(dòng)門禁 (Passive Entry, PE)系統(tǒng)在汽車舒適度和安全性方面正在引領(lǐng)一個(gè)新的發(fā)展趨勢(shì)。盡管這種技術(shù)幾年前就已經(jīng)問(wèn)世了,但直到最近才開始快速流行,主要是因?yàn)橄到y(tǒng)集成度不斷提高,使系統(tǒng)成本得以大幅度降低。
          • 關(guān)鍵字: 考慮  事項(xiàng)  設(shè)計(jì)  RF  門禁系統(tǒng)  被動(dòng)  

          ADI 公司推出高性能射頻混頻器

          •   ADI最新推出兩款高性能射頻無(wú)源混頻器,適合各種無(wú)線應(yīng)用,如蜂窩基站接收機(jī)、發(fā)送觀測(cè)接收機(jī)和無(wú)線鏈路下變頻器。針對(duì)這些應(yīng)用的設(shè)計(jì)通常要求高線性度和低噪聲,而現(xiàn)有混頻器解決方案通常需要使用外部元件,如巴倫和匹配元件,從而增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜性,使設(shè)計(jì)變得極具挑戰(zhàn)性。ADI 公司新款單通道 ADL5353和雙通道 ADL5354集成式無(wú)源混頻器不僅可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),而且能提供同類最佳的性能,并通過(guò)擴(kuò)展 ADI 混頻器產(chǎn)品的頻率覆蓋范圍完善了 ADI 公司寬泛的混頻器產(chǎn)品組合。   單通道 ADL5353混頻器和雙
          • 關(guān)鍵字: ADI  RF  射頻混頻器  

          TI推出支持廣泛開發(fā)商社群的 CC430 MCU 平臺(tái)

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出支持廣泛開發(fā)商社群、可提供完整可擴(kuò)展軟硬件的 CC430F513x 微處理器 (MCU),進(jìn)一步推動(dòng)了單芯片射頻 (RF) 解決方案的發(fā)展。該 CC430F513x MCU 將業(yè)界領(lǐng)先的超低功耗 MSP430™ MCU 與 1GHz 以下的高性能 CC1101 RF 收發(fā)器進(jìn)行了完美結(jié)合,并采用 7 毫米 x 7 毫米小型封裝,不但可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 20 MIPS 的性能,而且還可支持如集成型 AES 硬件模塊等安全選項(xiàng)。此外,TI 還推出 CC430F61xx
          • 關(guān)鍵字: TI  MCU  RF  

          利用低成本四運(yùn)放驅(qū)動(dòng)RF調(diào)制器

          • 本文介紹的視頻電路組合了音頻副載波陷波器、群延遲均衡器和幅度調(diào)節(jié)電路,在NTSC應(yīng)用中用于驅(qū)動(dòng)RF視頻調(diào)制器。
            圖1所示視頻電路組合了ITU-470標(biāo)準(zhǔn)所要求的音頻副載波陷波器和群延遲均衡器。電路還包括一個(gè)幅度調(diào)節(jié)
          • 關(guān)鍵字: 調(diào)制器  RF  驅(qū)動(dòng)  成本  利用  

          臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事

          •   象過(guò)去多年來(lái)一樣, 在今年的會(huì)上臺(tái)積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對(duì)于會(huì)議的觀察及感受;   1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺(tái)積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見到張時(shí)仍是如1990年首次見到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  CMOS  Analog  MEMS  RF  

          利用電波暗室測(cè)試電路的RF噪聲抑制

          • GSM手機(jī)的隨處可見正導(dǎo)致不需要的RF信號(hào)的持續(xù)增加,如果電子電路沒(méi)有足夠的RF抑制能力,這些RF信號(hào)會(huì)導(dǎo)致電路產(chǎn)生的結(jié)果失真。為了確保電子電路可靠工作,對(duì)于電子電路RF抑制能力的測(cè)量已經(jīng)成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)必不可少的一
          • 關(guān)鍵字: RF  噪聲  抑制  電路  測(cè)試  電波  暗室  利用  

          針對(duì)下一代LTE基站發(fā)射機(jī)的RF IC集成設(shè)計(jì)策略

          • 從3G升級(jí)到LTE-Advance,對(duì)下一代移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無(wú)線設(shè)備要求支持更寬的信號(hào)帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式,以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運(yùn)行頻段上都能獲得更高的數(shù)據(jù)速率。因此
          • 關(guān)鍵字: IC  集成  設(shè)計(jì)  策略  RF  發(fā)射機(jī)  下一代  LTE  基站  針對(duì)  

          GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng),2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億

          •   美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè),該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。   目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段,或者剛開始商用化的階段。不過(guò),GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          TriQuint推出全新技術(shù)和產(chǎn)品,全力滿足市場(chǎng)需求

          •   全球射頻產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商和晶圓代工服務(wù)的重要供應(yīng)商 TriQuint 半導(dǎo)體公司宣布,推出一系列新技術(shù)和產(chǎn)品,滿足移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的需求。TriQuint利用創(chuàng)新的高性能射頻 (RF) 系列解決方案致力于為用戶難以滿足的需求提供創(chuàng)新支持,通過(guò)上網(wǎng)設(shè)備實(shí)現(xiàn)各種即時(shí)通信。   TriQuint為移動(dòng)設(shè)備制造商和寬帶連接提供了創(chuàng)新的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信解決方案,在方案中包括了滿足3G/4G基站功率要求的高效解決方案TriPower™,以及用于3G WEDGE手機(jī)的最新解決方案TRITON和HADRON II
          • 關(guān)鍵字: TriQuint  晶圓代工  RF  

          基于RF技術(shù)的口岸虛擬閘口系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          •  “加快電子口岸建設(shè),提高口岸工作效率”是提高政府行政執(zhí)法效能的需要。根據(jù)業(yè)務(wù)需求并結(jié)合口岸實(shí)際環(huán)境,應(yīng)用射頻通訊技術(shù)研究開發(fā)了一種雙頻識(shí)別語(yǔ)音導(dǎo)引的智能車載卡,并在口岸3~10 km2范圍內(nèi)布設(shè)通訊基站,建
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  實(shí)現(xiàn)  閘口  虛擬  RF  技術(shù)  口岸  基于  RF  
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