rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計(jì)

電壓比較器是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行鑒幅與比較的電路，其功能是比較一個(gè)模擬信號(hào)和另一個(gè)模擬信號(hào)(參考信號(hào))，并以輸出比較得到的二進(jìn)制信號(hào)。其在A／D轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。在
關(guān)鍵字： CMOS 性能集成電壓比較器

RF電路及其音頻電路的PCB設(shè)計(jì)技巧

1、元件布局　　先述布局總原則：元器件應(yīng)盡可能同一方向排列，通過(guò)選擇PCB進(jìn)入熔錫系統(tǒng)的方向來(lái)減少甚至避免焊接不良的現(xiàn)象；由實(shí)踐所知，元器件間最少要有0.5mm的間距才能滿足元器件的熔錫要求，若PCB板的空間允許
關(guān)鍵字：電路設(shè)計(jì) 技巧 PCB 音頻及其 RF

展訊連續(xù)四季虧損：靜待TD市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)

　　“隨著MTK(聯(lián)發(fā)科)市場(chǎng)份額的進(jìn)一步擴(kuò)大，包括展訊在內(nèi)的其他手機(jī)芯片廠商的市場(chǎng)被進(jìn)一步蠶食。” 這是iSuppli中國(guó)研究部總監(jiān)王陽(yáng)對(duì)展訊通信二季度虧損千萬(wàn)美元的解讀。　　8月19日，展訊通信發(fā)布了2009年第二季度未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，今年二季度實(shí)現(xiàn)總營(yíng)收1620萬(wàn)美元，同比下降60%;期內(nèi)凈虧損1310萬(wàn)美元，而去年同期盈利為260萬(wàn)美元。　　自去年三季度開始，這已經(jīng)是展訊連續(xù)四個(gè)季度出現(xiàn)虧損。最為嚴(yán)重的去年四季度，展訊一度虧損達(dá)5230萬(wàn)美元。　　而前
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耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

　　SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲(chǔ) 單元，科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu)，不過(guò)其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。　　這種技術(shù)能使存儲(chǔ)單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片 CMOS FeDRAM

CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級(jí)，列級(jí)和象素級(jí)的原理，性能和特點(diǎn)。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
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GPS應(yīng)用中的RF信號(hào)檢測(cè)技巧(三)

隨著無(wú)線系統(tǒng)中的復(fù)雜數(shù)字調(diào)制信號(hào)越來(lái)越多，對(duì)GPS等射頻信號(hào)進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)識(shí)別和分析越來(lái)越具挑戰(zhàn)性，特別是在市區(qū)環(huán)境中。但是，現(xiàn)場(chǎng)信號(hào)識(shí)別和分析對(duì)提高GPS應(yīng)用設(shè)計(jì)而言又非常重要。如何利用先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備和方案解決
關(guān)鍵字：檢測(cè) 技巧信號(hào) RF 應(yīng)用 GPS

國(guó)產(chǎn)芯片已達(dá)國(guó)際主流芯片品質(zhì)

　　今年國(guó)內(nèi)拉動(dòng)內(nèi)需，特別是3G的啟動(dòng)建設(shè)和FTTH進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的發(fā)展階段，使光模塊市場(chǎng)一片紅火，預(yù)計(jì)今年我們可實(shí)現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。　　由于對(duì)IC行業(yè)來(lái)說(shuō)光通信市場(chǎng)不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多，在國(guó)內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。　　國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢(shì)主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國(guó)外企業(yè)要低。對(duì)IC來(lái)說(shuō)，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢(shì)必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢(shì)，采用相對(duì)低成本的工藝，做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
關(guān)鍵字： 3G CMOS IC設(shè)計(jì) FTTH

ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)

　　意法半導(dǎo)體和法國(guó)電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-LETI宣布，法國(guó)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長(zhǎng)，以及國(guó)家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國(guó)格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。　　Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國(guó)家/私營(yíng)戰(zhàn)略研發(fā)項(xiàng)目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國(guó)國(guó)家、地區(qū)和本地政府的財(cái)政支持，旨
關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012

無(wú)線半導(dǎo)體市場(chǎng)接連受挫被打回2003-2004年

　　始于2008年下半年的全球經(jīng)濟(jì)衰退尚未結(jié)束，但已開始顯露接近尾聲的跡象。實(shí)際上，經(jīng)濟(jì)衰退的禍根在2008年下半年以前很早就埋下了。但當(dāng)我們確實(shí)觸底的時(shí)候——iSuppli公司預(yù)測(cè)將在今年中期觸底，全球經(jīng)濟(jì)將已抖落20世紀(jì)20年代全球大蕭條以來(lái)積聚的灰塵。　　iSuppli公司預(yù)計(jì)，當(dāng)今年下半年塵埃落地時(shí)，用于無(wú)線市場(chǎng)的半導(dǎo)體市場(chǎng)將收縮到2003和2004年之間的產(chǎn)業(yè)水平。　　雖然所有領(lǐng)域今年都將出現(xiàn)收縮，但無(wú)線領(lǐng)域無(wú)疑將是比較糟糕的領(lǐng)域。該領(lǐng)域不僅會(huì)受到疲軟的終端市場(chǎng)需
關(guān)鍵字：無(wú)線半導(dǎo)體 RF

豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電訂單

　　CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺(tái)積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品，陸續(xù)獲得一線智能型手機(jī)OEM廠設(shè)計(jì)案(design win)，預(yù)計(jì)本季度開始大量出貨。　　豪威已開始擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電下單，臺(tái)積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測(cè)試，并計(jì)畫在12寸廠以65納米投片。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CMOS 傳感器 65納米

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新

　　幾十年來(lái)，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲(chǔ)器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機(jī)等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟(jì)學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)革命性轉(zhuǎn)變。未來(lái)，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。　　產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)為經(jīng)濟(jì)學(xué)驅(qū)動(dòng) 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個(gè)相對(duì)年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測(cè)芯片上晶體管的數(shù)量每18個(gè)月翻一番以來(lái)，半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實(shí)沒(méi)錯(cuò)。如今消費(fèi)應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個(gè)晶體管。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
關(guān)鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管

MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競(jìng)爭(zhēng)性

　　法國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Development針對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)發(fā)表最新報(bào)告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù)，使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競(jìng)爭(zhēng)性，但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。　　Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢，并開始升級(jí)到8吋晶圓制程;不過(guò)由于MEMS在消費(fèi)性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長(zhǎng)性，以及來(lái)自其它高潛力應(yīng)用市場(chǎng)的商機(jī)，也吸引了許多來(lái)自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競(jìng)爭(zhēng)。　　Yole并指出，由于這些來(lái)自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者，具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字： MEMS 晶圓 CMOS

高清視頻CMOS電流舵數(shù)/模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：數(shù)／模轉(zhuǎn)換器電流舵型DAC CMOS

韓國(guó)三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器

　　韓國(guó)三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器“S5P6440”。其特點(diǎn)是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。　　該處理器配備有英國(guó)ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。　　還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯(cuò)誤訂正用硬件，以及支持移動(dòng)DDR或D
關(guān)鍵字：三星 45納米 CMOS S5P6440

集成電路發(fā)展哲理

　　半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。　　發(fā)展歷程　　根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段：
關(guān)鍵字：集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907