- 混合動力汽車 (HEV) 和全電動汽車 (EV) 設計如今廣受關注,一個重要的技術趨勢正悄然影響著汽車行業(yè)——汽車動力系統(tǒng)中的 48V 直流 (DC) 總線系統(tǒng)。48V 系統(tǒng)不僅適用于全電動汽車和混合動力汽車,它還適用于更常見的內燃機汽車。汽車應用 48V 電網48V 系統(tǒng)有何獨特之處?與在常規(guī)的供電條件下一樣,48V 系統(tǒng)歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學規(guī)律,與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關。供電仍需要電流與電壓的結合,但電勢差(損耗)隨電流
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Power-SOI Soitec
- 車用連接器的主要作用,就是在車載電路系統(tǒng)中實現可靠的物理連接,使電路可以實現預定的功能。對于汽車而言,車用連接器是必不可少的基礎元器件,事實上汽車領域已經成為連接器應用最廣泛的市場之一。隨著汽車智能化進程的迅速深入,高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)、車聯網(V2X)、車載信息娛樂系統(tǒng)等新型智能技術的滲透率正快速提升,并且智能駕駛體系正向著L3級(有條件自動駕駛)不斷迭代。在這樣的大趨勢下,車用傳感器(攝像頭、毫米波雷達和激光雷達等)的用量顯著增加,數據傳輸要求水漲船高,因而ADAS等系統(tǒng)需要配備更高帶寬的傳輸
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Mouser Amphenol RF FAKRA 車用連接器
- 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
- 本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預測和優(yōu)化下一代 GPU 的電源行為,其中高轉換率要求和超過 1,000 A 的電流水平需要更快的瞬態(tài)響應。如今,圖形處理單元 (GPU) 具有數百億個晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現,GPU 中的晶體管數量不斷增加,以提高處理器性能。然而,晶體管數量的增加也導致功率需求呈指數增長,這使得滿足瞬態(tài)響應規(guī)范變得更加困難。本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預測和優(yōu)化下一
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POI RF 濾波器
- RF復雜測試對測試設備提出更高需求無線通信系統(tǒng)的不斷更新產生了對先進RF測試設備的需求,以滿足這項新技術的復雜測試要求。這些測試設備需要能夠處理更高的頻率、更寬的帶寬和更復雜的調制方案。? 波束成形:使用先進的波束成形技術來提高信號強度和質量。多通道測試應側重于測試系統(tǒng)的波束成形能力,包括波束控制、波束跟蹤和波束成形算法性能。? 大規(guī)模MIMO:大規(guī)模MIMO技術涉及使用大量天線來提高信號質量和容量。多通道測試應側重于測試大規(guī)模MIMO系統(tǒng)的性能,包括天線放
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寬帶多通道 調試信號分析 RF 測試 泰克
- 過去十年,天線調諧技術領域發(fā)生了巨大變化。天線變得更小、性能更強,能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術——它提供的調諧能力提高了設計靈活性,并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時候,科技似乎在飛速發(fā)展,日新月異——產品變得越來越小,處理速度越來越快,我們的世界剎那間便不同以往。移動設備的天線也是如此。支持許多頻段的更小移動設備使得天線更加復雜。對于工程師而言,這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時,技術開發(fā)工程師每推出一代新技術,都會做出漸進式改進,通過這種持續(xù)改善來幫
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Qorvo SOI
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布,將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)(AAS)無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經實地驗證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數字前端OpenRAN無線電(O-RU)參考設計相搭配,包含RF開關、低噪聲放大器,和前置驅動器,提供了一套完整的解決方案,以滿足不斷增長的移動網絡基礎設施市場需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動通信大會AMD展臺(2展廳,#2M61展位)進行展示。全新5G設計平
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瑞薩 AMD 5G有源天線 RF 數字前端
- 致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于晶視智能(CVITEK)CV1821芯片和晶相光電(SOI)JX-K06圖像傳感器的網絡攝像機(IPC)方案。圖示1-大聯大友尚基于CVITEK和SOI產品的IPC方案的展示板圖近年來,消費電子、物聯網、工業(yè)互聯網、智能家居、智慧城市的發(fā)展,推動了智能監(jiān)控技術的革新,也驅動了IPC(網絡攝像機)的需求。相比于傳統(tǒng)攝像機,IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果,還具有網絡輸出接口,可直接將攝像機接入本地局域網。這些特性使其
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大聯大友尚 CVITEK SOI 網絡攝像機
- 相控陣雷達和有源電子掃描陣列(AESA)已經在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始,并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統(tǒng)工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實現,以實現的靈活性和可編程性。相控陣雷達和有源電子掃描陣列(AESA)已經在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始,并不斷遷移到更高水平的數字波束成形。系統(tǒng)工程目標不斷需要接近元素的數字波束成形實現,以實現的靈活性和可編程性。遷移到近元素數字波束成形存在許多挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)范圍
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數字波束 RF
- 現代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術的采用等,都將導致輸出信號的互調失真?,F代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量,提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面,人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率;另一方面,無源器件及有源器件的引入,多載波配置技術的采用等,都將導致輸出信號的互調
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RF 放大器
- 問題:什么是射頻衰減器?如何為我的應用選擇合適的RF衰減器?答案:衰減器是一種控制元件,主要功能是降低通過衰減器的信號強度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴展系統(tǒng)的動態(tài)范圍、提供阻抗匹配,以及在終端應用設計中實施多種校準技術。?簡介本文延續(xù)之前一系列短文,面向非射頻工程師講解射頻技術。ADI將在文中探討IC衰減器,并針對其類型、配置和規(guī)格提出一些見解,旨在幫助工程師更快了解各種IC產品,并為終端應用選擇合適的產品。該系列的相關文章包括:“為應用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
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RF 射頻衰減器 ADI
- 問題:什么是S參數?它有哪些主要類型? 答案:S參數描述了RF網絡的基本特征,其主要類型有小信號、大信號、脈沖、冷模式和混合模式S參數。 引言本文延續(xù)之前的一系列短文
- 關鍵字:
RF 散射參數 ADI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄,將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠旁邊新建一座聯合運營的300毫米半導體晶圓廠。新工廠將支持多種半導體技術和工藝節(jié)點,包括FD-SOI。ST和GF預計,該晶圓廠將于2024年開始生產芯片,到2026年將達到滿負荷生產,每年生產多達62萬片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles,距離意大利邊境不遠,長期以來一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來看,FD-SOI是一種技術含量較低的方法,可以實現FinF
- 關鍵字:
FD-SOI GAAFET FinFET
- 本文延續(xù)之前的一系列短文,旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下:“RF揭秘——了解波反射” ,探討了波反射;“如何輕松選擇正確的頻率產生器件”,探討了RF信號鏈中發(fā)揮作用的頻率產生器件的主要類型。問題:什么是S參數?它有哪些主要類型?答案:S參數描述了RF網絡的基本特征,其主要類型有小信號、大信號、脈沖、冷模式和混合模式S參數。引言本文延續(xù)之前的一系列短文,旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下:“RF揭秘——了解波反射” ,探討了波反射;“如何輕松選擇正確的頻率產生器件
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ADI RF
- 如今的射頻 (RF) 系統(tǒng)變得越來越復雜。高度的復
雜性要求所有系統(tǒng)指標(例如嚴格的鏈接和噪聲預算)
達到最佳性能。確保整個信號鏈的正確設計至關重要。
而信號鏈中,有一個部分經常會被忽視,那就是直流電
源。它在系統(tǒng)中占據著重要地位,但也會帶來負面影
響。RF 系統(tǒng)的一個重要度量是相位噪聲,根據所選的
電源解決方案,這個指標可能降低。本文研究電源設計
對 RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測試數據證明,
選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB,這是
優(yōu)化 RF 信號鏈性能的關鍵。
- 關鍵字:
202207 電源 ADI RF 相位噪聲
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