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基于S7-300PLC設(shè)計選型及應(yīng)用
- S7-300PLC的應(yīng)用非常廣泛，在設(shè)計選型和調(diào)試及實際應(yīng)用中可能會碰到各種各樣的問題，下面就S7-300PLC在選型和應(yīng)用中的一些要點做一下分析。
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Fairchild發(fā)布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
- Fairchild，現(xiàn)在是安森美半導(dǎo)體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務(wù)器、電動車(EV)充電器和太陽能產(chǎn)品的更高功率密度、系統(tǒng)效率和優(yōu)越的可靠性要求。 SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優(yōu)異熱性能，是高性能應(yīng)用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產(chǎn)品設(shè)計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設(shè)計。 Fair
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英飛凌800 V CoolMOS P7系列設(shè)立效率和散熱性能的新基準(zhǔn)
- 英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結(jié)技術(shù)，兼具出類拔萃的性能和優(yōu)異的易用性。這個新的產(chǎn)品家族非常適于低功率SMPS應(yīng)用，可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓?fù)?，這種拓?fù)涑Ｒ娪谶m配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。 800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3，或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品，這相當(dāng)于將
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基于PC+PLC等離子熔射自動控制系統(tǒng)
- 1 引言 等離子熔射由于其溫度高且能量集中，能夠熔射金屬、陶瓷或復(fù)合材料的特點在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應(yīng)用。為了保證熔射皮膜成形性與成形質(zhì)量，必須在數(shù)字圖像處理、過程控制、人工智能等方法基礎(chǔ)上進(jìn)行系統(tǒng)集成控制與工藝優(yōu)化。當(dāng)前國際上幾大熱噴涂設(shè)備和材料生產(chǎn)廠家，如英國Metallisation公司、瑞士Sulzer-Metco公司和美國Praxair公司等，已推出基于PC+PLC+現(xiàn)場檢測+過程控制的等離子熔射系統(tǒng)。但是由于國際上相關(guān)熔射設(shè)備價格昂貴，不能引進(jìn)到國內(nèi)每一個加工
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如何實現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信
- 如何實現(xiàn)西門子S7-300 PLC與DCS控制系統(tǒng)的通信, 一、 引言 現(xiàn)代工業(yè)的迅速發(fā)展，不斷促進(jìn)著自動化控制技術(shù)及設(shè)備通信技術(shù)創(chuàng)新的發(fā)展。當(dāng)前，PLC、DCS、智能儀表等已廣泛應(yīng)用到現(xiàn)場生產(chǎn)控制系統(tǒng)中，并發(fā)展到由上述設(shè)備相互協(xié)同、共同面向整個生產(chǎn)過程的分布式
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步進(jìn)電機的MOSFET管驅(qū)動設(shè)計
- H橋功率驅(qū)動電路可應(yīng)用于步進(jìn)電機、交流電機及直流電機等的驅(qū)動。永磁步
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意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管，其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。 電視和PC等設(shè)備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵，導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象，TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時，需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
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住在市區(qū)還是郊區(qū)？考慮采用轉(zhuǎn)換器或控制器調(diào)節(jié)大電流電壓
- 一般來講，尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便，并能享受城市服務(wù)，但他們更愿意搬到郊區(qū)，因為那里房子更大，院子更寬敞。同樣，當(dāng)工程師需要大電流用于負(fù)載點(POL)設(shè)計時，他們一般會放棄高密度轉(zhuǎn)換器(帶集成MOSFET)的便利，取而代之使用一個更復(fù)雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案?？刂破?，與郊區(qū)環(huán)境相類似，具有相對的靈活性和經(jīng)濟(jì)性，但會占據(jù)更多不動產(chǎn)，更多的電路板空間。 直到最近，電流超過10-15A的應(yīng)用一般會依賴帶外部MOSF
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關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識大合集
- 下面對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 1，MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。 至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。 對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開
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意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)碳化硅功率器件加快汽車電動化進(jìn)程
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV，Electric Vehicles)市場發(fā)布了先進(jìn)的高能效功率半導(dǎo)體器件，同時還公布了新產(chǎn)品AEC-Q101汽車質(zhì)量認(rèn)證時間表。 電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體最新的碳化硅(SiC)技術(shù)讓車企能夠研制續(xù)航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車，使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，針對汽車所有主要電氣模塊，意法半導(dǎo)體率先推
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三星手機逆襲了！它用了這兩招
- 5月24日消息，科技新聞網(wǎng)站DigitalTrends稱，盡管目前智能手機市場依然低迷，但韓國三星電子通過新的經(jīng)營哲學(xué)實現(xiàn)增長。 一年前，三星電子看似前途迷茫，其旗艦智能手機表現(xiàn)不盡如人意，整個手機市場正步入衰退。不過在短短一年的時間里，三星電子取得了長足的進(jìn)步，其前景也看似更加光明。這背后的原因不是手機市場重新回到高增長時代，而是三星電子自身的經(jīng)營哲學(xué)發(fā)生了變化。 三星電子第一次選擇不走尋常路，其不再嘗試通過硬件配置擊敗競爭對手。與此同時，三星電子也停止了“討好所有人&rdq
- 關(guān)鍵字： 三星 S7
英飛凌推出具備更大爬電距離的寬體封裝，進(jìn)一步擴大緊湊型門級驅(qū)動產(chǎn)品陣容
- 英飛凌科技股份公司為其EiceDRIVER? Compact隔離型門級驅(qū)動IC產(chǎn)品家族帶來了寬體封裝新成員。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封裝，可增大爬電距離并改善熱性能。 全新IC的爬電距離為8 mm，輸入至輸出隔離電壓1200 V。它們專為驅(qū)動高壓功率MOSFET和IGBT而設(shè)計。目標(biāo)應(yīng)用包括通用和光伏逆變器、工業(yè)變頻器、電動汽車充電站、焊接設(shè)備及商用和農(nóng)用車等。優(yōu)化的
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理解超級結(jié)技術(shù)
- 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾(EMI)、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應(yīng)用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。 為了理解兩種技術(shù)的差異，我
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