s7 mosfet 文章 進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體提升車用40V MOSFET的噪聲性能和能效
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布兩款40V汽車級MOSFET。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體最新的STripFET? F7制造技術(shù)，開關(guān)性能優(yōu)異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導(dǎo)通能力強(qiáng)。新產(chǎn)品最大輸出電流達(dá)到120A，主要目標(biāo)應(yīng)用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統(tǒng)，同時(shí)優(yōu)異的開關(guān)特性使其特別適用于電機(jī)驅(qū)動裝置，例如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPS)。 意法半導(dǎo)體的STripFET系列采用DeepGATE?技
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 MOSFET
關(guān)于MOS管失效，說白了就這六大原因
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。 目前在市場應(yīng)用方面，排名第一的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計(jì)算機(jī)主板、NB、
- 關(guān)鍵字： MOS管 MOSFET
OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷
- 英飛凌科技股份公司發(fā)布針對高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產(chǎn)品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應(yīng)用而優(yōu)化。它是英飛凌面向低壓馬達(dá)驅(qū)動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優(yōu)化器等系統(tǒng)解決方案的重要組成部分之一。 更環(huán)保的技術(shù) 英飛凌堅(jiān)持不懈地研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品，以幫助減少全球二氧化碳排放
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
東芝推出適用于移動設(shè)備中負(fù)載開關(guān)的業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)的N溝道MOSFET，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的1]低導(dǎo)通電阻。新產(chǎn)品出貨即日啟動。 新產(chǎn)品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進(jìn)的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
- 關(guān)鍵字： 東芝 MOSFET
借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。“您碰巧在設(shè)計(jì)中用過60V的負(fù)載開關(guān)嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個(gè)30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
- 關(guān)鍵字： SOT-23 MOSFET
微芯有刷直流電機(jī)控制方案
- 有刷直流電機(jī)通過電刷進(jìn)行換向。以下是關(guān)于有刷直流電機(jī)的一些關(guān)鍵點(diǎn)：典型的轉(zhuǎn)子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機(jī)的定子(或外部機(jī)筒)將有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 光學(xué)編碼器 PWM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動器
被忽略的細(xì)節(jié)：理解MOSFET額定電壓BVDSS
- 看到這個(gè)主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內(nèi)容?細(xì)節(jié)決定技術(shù)，今天研究功率MOSFET數(shù)據(jù)表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細(xì)節(jié)，來理解這個(gè)參數(shù)所設(shè)定的含義。 數(shù)據(jù)表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時(shí)漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數(shù)據(jù)表中標(biāo)稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關(guān)于雪崩擊穿問題
- 關(guān)鍵字： MOSFET BVDSS
基于S7―200PLC的機(jī)械手運(yùn)動控制
- 摘要：基于S7—200PLC村機(jī)械于的運(yùn)動進(jìn)行一系列控制，這些運(yùn)動包括手臂上下、左右直線運(yùn)動，手腕旋轉(zhuǎn)運(yùn)動，手爪夾緊動作和機(jī)械手整體旋轉(zhuǎn)運(yùn)動等。所采用的動力機(jī)構(gòu)是步進(jìn)電機(jī)，能夠做到精確控制。在多個(gè)行程開
- 關(guān)鍵字： 機(jī)械手 S7―200PLC 步進(jìn)電機(jī)
基于S7-300PLC設(shè)計(jì)選型及應(yīng)用
- S7-300PLC的應(yīng)用非常廣泛，在設(shè)計(jì)選型和調(diào)試及實(shí)際應(yīng)用中可能會碰到各種各樣的問題，下面就S7-300PLC在選型和應(yīng)用中的一些要點(diǎn)做一下分析。
- 關(guān)鍵字： S7-300PLC
消費(fèi)者選擇獎揭曉：三星S7 edge獲封全球最佳手機(jī)
- Strategy Analytics統(tǒng)計(jì)顯示，三星S7 Edge憑借1330萬臺的出貨成為上半年安卓陣營全球銷量第一(全品第一是iPhone 6S)。 現(xiàn)在，這款爆品拿到新的嘉獎。 據(jù)外媒報(bào)道，Mobile Choice Consumer Awards(移動設(shè)備消費(fèi)者選擇獎)揭曉，S7 edge獲封全球最佳手機(jī)，同時(shí)三星也被投為最佳手機(jī)制造商。 作為一項(xiàng)舉辦16年的老牌獎項(xiàng)，今年的獲獎陣容中也出現(xiàn)了國產(chǎn)手機(jī)的身影，華為P9成為“拍照王&rdqu
- 關(guān)鍵字： 三星 S7
s7 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
s7 mosfet電路
s7 mosfet相關(guān)帖子
s7 mosfet資料下載
s7 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473