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意法半導(dǎo)體(ST)新的MOSFET晶體管技術(shù)/封裝解決方案重新定義功率能效

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會(huì)?！　∪澜绲娜硕荚讷@取、保存、分享大量的電子書、視頻、相片和音樂(lè)文件，數(shù)據(jù)使用量連續(xù)快速增長(zhǎng)，運(yùn)行云計(jì)算技術(shù)的服務(wù)器集群、互聯(lián)互通的電信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)用戶終端設(shè)備的耗電量也隨之越來(lái)越高，人們對(duì)這些設(shè)備能耗最小化的需求越來(lái)越多
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MOSFET和三極管ON狀態(tài)有什么區(qū)別？

　　MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢?　　三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區(qū)，導(dǎo)通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rce來(lái)表示(因Rce會(huì)變化)。由于飽和狀態(tài)下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示?！　OS管在ON狀態(tài)時(shí)工作于線性區(qū)(相當(dāng)于三極管的飽
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

解析IGBT的工作原理及作用

　　本文通過(guò)等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f(shuō)，IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。　
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【E問(wèn)E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”？

　　MOSFET的擊穿有哪幾種?　　Source、Drain、Gate　　場(chǎng)效應(yīng)管的三極:源級(jí)S 漏級(jí)D 柵級(jí)G　　(這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對(duì)漏極電壓擊穿)　　先講測(cè)試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達(dá)到1uA。所以從器件結(jié)構(gòu)上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?！　?) Drain->Source穿通擊穿:　　這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk
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三星手機(jī)找到起死回生之術(shù)？

迅速普及的智慧手機(jī)市場(chǎng)日趨成熟，處于被其他廠商追趕的三星電子預(yù)計(jì)難以擴(kuò)大銷售規(guī)模，在此背景下，如何確保收益將成為關(guān)鍵。
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三星第一季度凈利潤(rùn)45.6億美元同比增長(zhǎng)13.55%

　　三星在監(jiān)管文件中稱，公司第一季度的營(yíng)收為49.7萬(wàn)億韓元(約合447.3億美元)，同比增長(zhǎng)5.65%;運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)6.67萬(wàn)億韓元(約合60.03億美元)，同比增長(zhǎng)11.65%。這些業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)與該公司本月早些時(shí)候公布的前瞻數(shù)據(jù)基本一致。　　其包括智能手機(jī)的移動(dòng)部門運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從去年同期的2.7萬(wàn)億韓元增長(zhǎng)至3.9萬(wàn)億韓元，漲幅達(dá)到42%，近7個(gè)季度以來(lái)首次超過(guò)芯片部門，成為公司的第一收入來(lái)源。芯片部門的運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)從去年同期的2.9萬(wàn)億韓元下降至2.6萬(wàn)億韓元，跌幅為10%。　　三星表示，移動(dòng)部門的出色表現(xiàn)
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如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障

　　為了降低能源成本，設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下，電源設(shè)計(jì)人員通過(guò)增大開關(guān)頻率來(lái)降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢(shì)如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開關(guān)，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來(lái)越普遍。但是，功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個(gè)問(wèn)題。在本文中，我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。　　初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
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完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

　　為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來(lái)完成?！　D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見(jiàn)的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過(guò)壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過(guò)壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)。　　 &n
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三星電子一季度利潤(rùn)超預(yù)期達(dá)6.6萬(wàn)億韓元

　　三星電子表示公司預(yù)計(jì)第一季度的收入為49萬(wàn)億韓元，較上年同一季度的47.1萬(wàn)億韓元有所上升，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)計(jì)從2015年第一季度的6萬(wàn)億韓元上升至6.6萬(wàn)億韓元。　　　　這些數(shù)據(jù)要比預(yù)期的好很多。此前，彭博社對(duì)分析師做的一次調(diào)查預(yù)測(cè)第一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為5.53萬(wàn)億韓元。預(yù)計(jì)三星電子在其旗艦產(chǎn)品Galaxy S7智能機(jī)銷售的首月中獲利不少。
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功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析

　　功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見(jiàn)的MOSFET電路設(shè)計(jì)類型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會(huì)就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式，即有隔離變壓器存在的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路，進(jìn)行簡(jiǎn)要分析?！　∮懈綦x變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路作為一種比較常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)電路形式，在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用較多，其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中，V1、V2為互補(bǔ)工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?！　?nbsp;
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享

　　功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，本文在這里將會(huì)分享一種比較常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案，該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?！　∠聢D中，圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路，這一電路系統(tǒng)的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單可靠，且設(shè)計(jì)成本比較低，尤其適用于不要求隔離的小功率開關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)速度很快，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，為防
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Diodes 40V車用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C，非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過(guò)750W的高功率無(wú)刷直流電機(jī)應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無(wú)刷直流應(yīng)用，包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)?！　MTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無(wú)刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求，
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Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能夠使需要100V MOSFET的電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他應(yīng)用
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開關(guān)管MOSFET的功耗分析　　　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
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手機(jī)里真的有水 Galaxy S7官方拆解

　　不少媒體已經(jīng)對(duì)三星的最新旗艦Galaxy?S7/S7?edge進(jìn)行了深入的拆解，而三星也在官網(wǎng)放出官方拆解圖，其中更是有這兩臺(tái)手機(jī)使用的熱管的解析：　　? ?　　Galaxy?S7的屏幕面板，采用5.1英寸的Super?AMOLED，分辨率達(dá)到QHD(2560*1440)，這個(gè)規(guī)格和上一代的Galaxy?S6一致，前面板采用了2.5D玻璃設(shè)計(jì)。比較特別的是，這次的觸控IC也是三星自家的芯片?！　? ?　　Ga
關(guān)鍵字： Galaxy S7