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s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：門(mén)極驅(qū)動(dòng)光耦隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性?xún)r(jià)比解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭(zhēng)議會(huì)阻礙數(shù)字控制電源以
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器辦法性能電源提升數(shù)字控制如何

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士德州儀器

電源設(shè)計(jì)小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
關(guān)鍵字：同步降壓 MOSFET 電阻比

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

汽車(chē)動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDB9403

IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能逆變器、叉車(chē)、電動(dòng)工具、代步車(chē)，以及ORing和熱插拔應(yīng)用等。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

高壓MOS缺貨晶片商搶推高整合LED驅(qū)動(dòng)器

　　半導(dǎo)體業(yè)者競(jìng)相開(kāi)發(fā)高整合度發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動(dòng)IC方案。在高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊之下，LED照明系統(tǒng)商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發(fā)表整合高壓MOSFET的LED照明驅(qū)動(dòng)IC方案，讓LED照明系統(tǒng)客戶(hù)免于高壓MOSFET缺貨之苦。　　恩智浦區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，調(diào)光與非調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過(guò)高整合LED驅(qū)動(dòng)IC方案確?？蛻?hù)掌握貨源無(wú)虞。　　恩智浦(NXP)區(qū)域市場(chǎng)總監(jiān)王永斌表示，20
關(guān)鍵字：恩智浦 LED MOSFET

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

Vishay將參加西安2012西部電源技術(shù)創(chuàng)新論壇

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國(guó)西部電源技術(shù)論壇。論壇與中國(guó)電源行業(yè)協(xié)會(huì)合辦，由Vishay技術(shù)專(zhuān)家做4場(chǎng)技術(shù)報(bào)告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應(yīng)用。
關(guān)鍵字： Vishay 電容器電感器 MOSFET

功率元器件的發(fā)展與電源IC技術(shù)的變革

　　前言　　為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類(lèi)的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下，羅姆通過(guò)用于LED照明的技術(shù)貢獻(xiàn)于節(jié)電，通過(guò)功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。　　而提高轉(zhuǎn)換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產(chǎn)生幾十萬(wàn)伏的電壓，通過(guò)電線(xiàn)和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機(jī)充電器所提供的約5V的電壓進(jìn)行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉(zhuǎn)換，每次轉(zhuǎn)換都會(huì)發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
關(guān)鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)湓趯捿斎搿⒏哂秒娏控?fù)載中的應(yīng)用

摘要：本文介紹了一種“零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓?fù)?，說(shuō)明了其給系統(tǒng)帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產(chǎn)品中的集成。
關(guān)鍵字：穩(wěn)壓器柵極驅(qū)動(dòng) MOSFET 201211

羅姆在新一代功率元器件領(lǐng)域的飛躍發(fā)展與前沿探索

在功率元器件的發(fā)展中，主要半導(dǎo)體材料當(dāng)然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時(shí)將電壓也降低到1/k，力爭(zhēng)更低功耗”的指導(dǎo)原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開(kāi)關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
關(guān)鍵字：羅姆功率元器件 MOSFET

節(jié)能家電電源整體解決方案

摘要：家電是節(jié)能推行過(guò)程中重要的一部分。在本文中，推薦了家電電源的整體解決方案。通過(guò)融合最先進(jìn)的技術(shù)，能夠設(shè)計(jì)出頂尖的開(kāi)關(guān)電源，這引起了系統(tǒng)設(shè)計(jì)者極大的興趣。本文描述每款產(chǎn)品的功能特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，并列出評(píng)估板的測(cè)試結(jié)果。
關(guān)鍵字：飛兆新能源 MOSFET 201211

提升能效,讓整個(gè)世界微笑

摘要：面對(duì)越來(lái)越嚴(yán)格的能效等級(jí)，電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn)，未來(lái)幾年，電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿(mǎn)足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計(jì)需求。
關(guān)鍵字：電源管理 DC/DC MOSFET 201211

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