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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> s7 mosfet

          提升能效,讓整個世界微笑

          • 摘要:面對越來越嚴(yán)格的能效等級,電源產(chǎn)品面臨著全新的技術(shù)需求挑戰(zhàn),未來幾年,電源半導(dǎo)體企業(yè)需要滿足更為嚴(yán)格的電源設(shè)計需求。
          • 關(guān)鍵字: 電源管理  DC/DC  MOSFET  201211  

          Microchip推出高電壓模擬降壓PWM控制器

          • 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調(diào)制(PWM)控制器與配套的低品質(zhì)因數(shù)(FOM)MOSFET產(chǎn)品系列組合支持高效的DC/DC電源轉(zhuǎn)換設(shè)計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: Microchip  PWM  MOSFET  單片機(jī)  

          反激式電源中MOSFET的鉗位電路

          • 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這種電源成本較低,使用一個控制器就能提供多路輸出...
          • 關(guān)鍵字: 反激式  MOSFET  鉗位電路  

          安森美新器件用于富于挑戰(zhàn)的不同汽車應(yīng)用

          • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產(chǎn)品系列,專門為發(fā)展迅速的汽車市場而設(shè)計,配合汽車電子成分持續(xù)升高,用于燃油經(jīng)濟(jì)性、安全、信息娛樂系統(tǒng)及車載通信等先進(jìn)功能。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  LED  

          Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  驅(qū)動器  

          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

          • b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  光電耦合器  

          實現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措

          • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來有失偏頗,并且如果您的...
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  IR  MOSFET  

          雙柵極SET與MOSFET的混合特性

          • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
          • 關(guān)鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

          MOSFET柵漏電流噪聲分析

          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

          瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器

          • 高級半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機(jī)CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

          安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

          Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39m?~600m?,將最高電流等級擴(kuò)展至7A~73A。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Intersil擴(kuò)展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動器產(chǎn)品系列

          • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時間,可調(diào)節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
          • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  驅(qū)動器  

          功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計

          • 摘要: 對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進(jìn)行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動  變壓器設(shè)計    

          Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  
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