3. 

        <meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機(jī) 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	s7 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動電路
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
            關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

            功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  急聚點(diǎn)  損耗                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇
          
                                                            
            
                    	
          • L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動電阻                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案
          
                                                            
            
                    	
          • 在電源設(shè)計(jì)小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  驅(qū)動器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步
          
                                                            
            
                    	
          • 要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實(shí)現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        晶圓減薄  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Vishay發(fā)布用于功率MOSFET的免費(fèi)在線仿真工具
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費(fèi)在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強(qiáng)大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時(shí)間縮放功能，定義更多的真實(shí)條件以提高仿真精度和設(shè)計(jì)靈活性，減輕對用戶使用經(jīng)驗(yàn)的要求。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  MOSFET  DrMOS                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要： 先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  鎮(zhèn)流器  FRFET  201302                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動IC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IR  驅(qū)動IC  AUIR3200S  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        TrenchFET  MOSFET  DC/DC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        mosfet  場效應(yīng)管                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          通過可定制單芯片系統(tǒng)提高光伏逆變器的效率(上)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • PV逆變器系統(tǒng)通常有兩個(gè)主要的組成部分：用于實(shí)施系統(tǒng)管理任務(wù)和控制算法的控制器，以及AC至DC轉(zhuǎn)換電路?？刂破鞯奶匦匀Q于PV系統(tǒng)的類型和結(jié)構(gòu)以及功能需求。以下章節(jié)將更詳細(xì)地分析每個(gè)組成部分以及它們?nèi)绾斡绊懻w系統(tǒng)效率。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        PV系統(tǒng)  逆變器  MOSFET  光伏逆變器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          采用具有最新超級結(jié)MOSFET的高功率因數(shù)反激式轉(zhuǎn)換器的LED照明解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著LED用于室內(nèi)照明解決方案日漸盛行，成本結(jié)構(gòu)已成為關(guān)鍵因素。簡單的反激式轉(zhuǎn)換器是實(shí)現(xiàn)低成本LED照明的最佳解決方案之一。然而，LED照明的開關(guān)電源仍要求高功率因數(shù)及高系統(tǒng)效率。為應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，采用最新的功率器件至關(guān)重要。本文將介紹用作LED照明解決方案的全新集成控制器和高性能高壓超級結(jié)MOSFET。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        LED  MOSFET  DCM                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          討論在PFC中應(yīng)用的新型超級結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 超級結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導(dǎo)通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        PFC  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          功率元器件應(yīng)用秘訣，采用專用MOSFET提高效率
          
                                                            
            
                    	
          • 新的MOSFET將瞄準(zhǔn)多個(gè)市場，包括直流對直流（DC-DC）、離線交流對直流（AC-DC）、電機(jī)控制、不斷電系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆 ...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        功率元器件  MOSFET  效率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          安森美半導(dǎo)體汽車音響及信息娛樂系統(tǒng)方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 過去，汽車娛樂系統(tǒng)基本上指的就是音響系統(tǒng)。如今，越來越多消費(fèi)領(lǐng)域的功能正逐步應(yīng)用到汽車中，使得現(xiàn)代汽車信息娛樂系統(tǒng)已經(jīng)取代傳統(tǒng)的汽車娛樂系統(tǒng)。當(dāng)今的汽車搭載了先進(jìn)的信息娛樂系統(tǒng)，包括導(dǎo)航、音響、遠(yuǎn)程信息處理、緊急呼叫、USB、藍(lán)牙、SD卡、HDMI和視頻等。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET  LED  娛樂系統(tǒng)                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Cypress PSoC 1在步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器中的應(yīng)用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 利用PSoC 1系列芯片中的可編程模擬單元可實(shí)現(xiàn)對步進(jìn)電機(jī)的高細(xì)分?jǐn)?shù)和精確的正弦波形控制。圖1為利用PSoC 1實(shí)現(xiàn)以上步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器方案電路圖，只需一個(gè)芯片，就可實(shí)現(xiàn)可編程模擬電路，例如高速/低速比較器，DAC等功能模塊，以及可編程數(shù)字電路，并且利用芯片內(nèi)的模擬/數(shù)字總線非常方便靈活地進(jìn)行互聯(lián)。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        PSoC  DAC  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1329條
	51/89		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																														49																50																51																52																53																54																55																56																57																58																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																												»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          s7 mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關(guān)于我們 - 
        		廣告服務(wù) - 
        		企業(yè)會員服務(wù) - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機(jī)EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
      		
          
    	
          
  	





          




          



看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人

(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();