s7 mosfet 文章 進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)
典型功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路設(shè)計(jì)方案
- 功率場效應(yīng)晶體管（PowerMOSFET）是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路
MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
- 摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時(shí)過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求；計(jì)算了MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗及MOSFET驅(qū)動(dòng)器與MOSFET的匹配
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 應(yīng)用 電路 保護(hù) 驅(qū)動(dòng) MOSFET
應(yīng)用S7-300 PLC進(jìn)行罩式爐控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與分析
- 摘要 針對(duì)罩式退火爐結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及退火工藝要求，以西門子s7-300 PLC為核心控制設(shè)備，采用Pariahs總線實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)的主從站分布式I/O控制，利用西門子Step7軟件實(shí)現(xiàn)控溫系統(tǒng)的PID限幅控制和脈沖燃燒控制。實(shí)際運(yùn)行結(jié)果表
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 分析 控制系統(tǒng) 進(jìn)行 S7-300 PLC 應(yīng)用
IR推出緊湊型PowIRaudio模塊
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出PowIRaudio集成式功率模塊系列，適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及車用音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個(gè)數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝，提供高效緊湊的解決方案，有助于減少零部件數(shù)量，縮小高達(dá)70% 的電路板尺寸，并能簡化D類放大器設(shè)計(jì)。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET PowIRaudio
功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
- 鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點(diǎn)，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動(dòng)自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對(duì)環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會(huì)越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型
- 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì) 保護(hù) 鋰電池 MOSFET 功率
恩智浦推出可實(shí)現(xiàn)高功率LED設(shè)計(jì)靈活性的GreenChip
- 新型純控制器降壓LED驅(qū)動(dòng)器成本優(yōu)勢明顯、效率傲視群雄 中國上海，2012年5月7日訊 —— 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今天宣布推出SSL2109，該款高效降壓控制器面向采用非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率非調(diào)光型LED照明應(yīng)用。SSL2109 LED驅(qū)動(dòng)器IC與外部功率開關(guān)一同使用，為100V、120V和230V電源輸入電壓和最高25 W的功率范圍提供了單一的設(shè)計(jì)平臺(tái)。SSL2109提供了廣受歡迎的SSL2108x系列的
- 關(guān)鍵字： 恩智浦 MOSFET
基于S7-300 PLC的商場恒溫控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要 介紹了基于S7-300PLC的商場恒溫控制系統(tǒng)。為給顧客提供舒適的購物環(huán)境，需要將商場溫度控制在合適的范圍，該系統(tǒng)運(yùn)用了計(jì)算機(jī)監(jiān)控、智能傳感器、可編程控制器、工業(yè)現(xiàn)場總線、光纖通信等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的自動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 控制系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 恒溫 商場 S7-300 PLC 基于
Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎(jiǎng)
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎(jiǎng)。
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 轉(zhuǎn)換器
s7 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)s7 mosfet的理解，并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
s7 mosfet電路
s7 mosfet相關(guān)帖子
s7 mosfet資料下載
s7 mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473