3. 

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          <label id="pryje"></label>
          


          
	
  	
          
	
          
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	s7 mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言　　在開關(guān)電源設(shè)計中，效率是一個關(guān)鍵性的參
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        減少  開關(guān)  損耗  MOSFET  新型  變換器  利用  升壓                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          安森美半導(dǎo)體推出六款汽車用功率MOSFET器件
          
                                                            
            
                    	
          • 六款新的邏輯電平功率MOSFET通過AEC-Q101認(rèn)證，采用小型扁平引腳封裝，兼具大額定電流及低導(dǎo)通阻抗，針對汽車...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  安森美半導(dǎo)體                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
                                
          
                    
          UniFET?II MOSFET功率轉(zhuǎn)換器[飛兆半導(dǎo)體]
          
                                                            
                    
          
                
          
                                
          
                    
          電源設(shè)計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 1 部分
          
                                                            
            
                    	
          • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        溫升  1部分  MOSFET  估算  設(shè)計  電源  TI  德州儀器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升――第 2 部分
          
                                                            
            
                    	
          • 在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        溫升  2部分  MOSFET  估算  設(shè)計  電源  TI  德州儀器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          估算熱插拔MOSFET溫升的方案
          
                                                            
            
                    	
          • 　本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  熱插拔  方案                            
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          估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升
          
                                                            
            
                    	
          • 在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔MOSFET溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  溫升                          
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          MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮
          
                                                            
            
                    	
          • 　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        考慮  應(yīng)用  能量  雪崩  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
                                
          
                    
          國際整流器公司擴大汽車專用MOSFET 組合
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布擴大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車專用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應(yīng)用。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IR  MOSFET                          
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          RF功率MOSFET產(chǎn)品及工藝
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        3G  MOSFET  RF功率放大器  RF                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專門針對4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。
　　技術(shù)要點：
　　&mi
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        恩智浦  MOSFET                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Diodes新即插即用器件提升負(fù)載點轉(zhuǎn)換器效率
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Diodes公司推出兩款新型雙通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，擴展了旗下DIOFET產(chǎn)品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD將一個經(jīng)過優(yōu)化的控制MOSFET及一個專有DIOFET集成在一個SO8封裝中，為消費類及工業(yè)應(yīng)用的負(fù)載點轉(zhuǎn)換器提供高效的解決方案。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Diodes  mosfet                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET
          
                                                            
            
                    	
          • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對于服務(wù)器電源中的負(fù)載開關(guān)這類應(yīng)用，由于MOSFET基本上
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1331條
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