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PI推出帶集成控制器/MOSFET的高效率功率因數(shù)校正IC產(chǎn)品系列
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產(chǎn)品，一款集成高壓MOSFET并可實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創(chuàng)新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設(shè)計(jì)相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數(shù)和縮小電路板占用面積，同時(shí)簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)并增強(qiáng)可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIPä封裝，適合75 W至1 kW的PFC應(yīng)用。 歐洲
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Vishay Siliconix推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷減小到216nC，采用TO-247封裝。
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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IR 拓展堅(jiān)固可靠、系統(tǒng)可擴(kuò)展的車用 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET®2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負(fù)載應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電源、混合動(dòng)力汽車的電池開關(guān)、微型混合動(dòng)力汽車的集成起動(dòng)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)等。 與傳統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝器件相比，IR 的車用 DirectFET®2 器件可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)系統(tǒng)級(jí)尺寸和更低的成本，以及超高的性
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Diodes 推出強(qiáng)固型MOSFET 輕松應(yīng)對(duì)IP電話通信設(shè)備的嚴(yán)峻考驗(yàn)
- Diodes 公司推出專為IP電話(VoIP)通信開發(fā)的新型60V N溝道器件，擴(kuò)展了其MOSFET產(chǎn)品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列專為處理產(chǎn)生正極線和負(fù)極線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈沖電流，以及抵擋電源開關(guān)時(shí)引起的雪崩能量而設(shè)計(jì)。該器件能夠滿足基于變壓器的用戶線路接口電路 (SLIC) 直流/直流轉(zhuǎn)換器對(duì)基本切換功能的嚴(yán)格要求。 Diodes 這次推出的四款產(chǎn)品提供四種不同的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選擇，包括：SOT223封裝的DMN606
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路
- 前言 Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號(hào)用而開發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。 上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線等。 FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路 圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
- 關(guān)鍵字： Panansonic PhotoMOS MOSFET
瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
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