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s7 mosfet 文章進入s7 mosfet技術社區(qū)

MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用

　下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路?！≡谑褂肕OS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電
關鍵字： MOSFET 應用原理電路驅動

IGBT核心技術及人才缺失工藝技術缺乏

　　新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。　　眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節(jié)省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統(tǒng)的核心開關元器件，它的性能參數(shù)將直接決定著電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
關鍵字：器件 IGBT 封裝測試 MOSFET

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
關鍵字： MOSFET 噪聲測試方法研究

安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC

　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開關應用。　　NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。　　安森美半導體汽車
關鍵字：安森美 MOSFET 驅動IC

利用低端柵極驅動器IC進行系統(tǒng)開發(fā)

利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據(jù)額定電流和功能來選擇適當?shù)尿寗悠鳎寗悠髦車枰男┭a償元件，以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。
關鍵字： Fairchild 轉換器 MOSFET 開關電源柵極驅動器 200912

D類MOSFT在發(fā)射機射頻功放中的應用

O 引言
隨著微電子技術的發(fā)展，MOS管在電子與通信工程領域的應用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中，利用MOS管的開關特性，可使整個射頻功率放大器工作在開關狀態(tài)，從而提高整機效
關鍵字：應用功放射頻發(fā)射機 MOSFT MOSFET 開關特性射頻功放調幅發(fā)射機

能效需求催生功率器件應用熱潮

　　市場需求逐步恢復　　● 能效需求催生功率器件應用熱潮　　● 擴內需政策為企業(yè)提供增長空間　　陳坤和　　從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內容，許多企業(yè)開始關注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產(chǎn)品
關鍵字：功率器件 MOSFET

針對應用選擇正確的MOSFET驅動器

現(xiàn)有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
關鍵字： MOSFET 選擇正確驅動器

Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET

　　Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。　　ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統(tǒng)、PBX系統(tǒng)、有線和DSL網(wǎng)關。　　兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
關鍵字： Diodes MOSFET

MOSFET柵漏電流噪聲模型研究

CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規(guī)體MOSFET，當氧化層厚度2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
關鍵字：研究模型噪聲電流 MOSFET

功率半導體充當節(jié)能先鋒中國企業(yè)加快步伐

　　過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統(tǒng)提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統(tǒng)中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統(tǒng)“供血”的“心臟&rdq
關鍵字：功率半導體 MOSFET IGBT

Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
關鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數(shù)導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現(xiàn)自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發(fā)現(xiàn)，上述的理論只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
關鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數(shù)

Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET

　　日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。　　在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現(xiàn)更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
關鍵字： Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB

安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET

　　全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝，為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。　　新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩(wěn)壓電源
關鍵字：安森美 MOSFET 溝槽同步降壓轉換器

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