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爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨
- 爾必達(dá)存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) SDRAM
DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對被測對象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR 高速數(shù)據(jù) 采集系統(tǒng)
DDR測試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？
- DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。 DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會出現(xiàn)在市場上。
- 關(guān)鍵字： SDRAM DDR測試
基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)
- 要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)。可以提供大容量的存儲空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
- 關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號 采集系統(tǒng)
一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計(jì)
- 自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
- 關(guān)鍵字： FPGA 立體視頻轉(zhuǎn)換 SDRAM DVI
基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)
- 基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言 面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
- 關(guān)鍵字： 方式 數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲 結(jié)構(gòu) SDRAM 文件 基于
茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM
- 臺系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字： Qimonda DRAM SDRAM
力晶王其國：DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩
- 力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會因?yàn)樨?cái)務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。 王其國表示，過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 SDRAM DRAM
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SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]
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