sdram 文章進(jìn)入sdram技術(shù)社區(qū)

三星跳電　存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

　　三星電子(Samsung Electronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲(chǔ)器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。　　三星器興廠發(fā)生停電意外，在啟動(dòng)不斷電系統(tǒng) (UPS)后，1小時(shí)內(nèi)便恢復(fù)運(yùn)作，估計(jì)此事件對(duì)公司營(yíng)運(yùn)影響不大。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，這次三星受影響廠區(qū)
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM SDRAM 存儲(chǔ)器

中芯國(guó)際全面停止DRAM芯片生產(chǎn) 臺(tái)灣廠商受惠

　　上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。　　由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市場(chǎng)SDRAM最大供應(yīng)商，此次停產(chǎn)后導(dǎo)致市場(chǎng)供貨短缺效應(yīng)逐步發(fā)酵，128Mb及256Mb x32規(guī)格SDRAM現(xiàn)貨價(jià)近日飆出新天價(jià)，臺(tái)灣地區(qū)SDRAM供應(yīng)商受惠最大。　　中芯這兩年因SDRAM月投片產(chǎn)能維持在2萬(wàn)片8吋芯片規(guī)模，在大陸消費(fèi)性電子及家電市場(chǎng)，擁有超過(guò)30%的市場(chǎng)占有率，
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際芯片代工 SDRAM

基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計(jì)

　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，具有速度更快、功耗更低、效能更高以及信號(hào)質(zhì)量更好等優(yōu)點(diǎn)，對(duì)于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖像處理系統(tǒng))設(shè)計(jì)中由于存儲(chǔ)
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計(jì) SDRAM DDR3 Stratix III 基于控制器

多路讀寫(xiě)SDRAM接口設(shè)計(jì)

存儲(chǔ)器是容量數(shù)據(jù)處理電路的重要組成部分。隨著數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)于存儲(chǔ)器的容量和性能提出了越來(lái)越高的要求。同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫(xiě)速度快
關(guān)鍵字： SDRAM 多路讀寫(xiě) 接口設(shè)計(jì)

Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過(guò)Intel驗(yàn)證

　　韓國(guó)Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過(guò)了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱(chēng)將開(kāi)始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱(chēng)面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。　　這次通過(guò)驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。　　Hynix宣稱(chēng)
關(guān)鍵字： Hynix 40nm SDRAM 50nm

實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)

描述了一種在PAL→VGA的實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理的方法。針對(duì)實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)一般使用2片SDRAM進(jìn)行乒乓緩存的方式，給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進(jìn)行乒乓操作的相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)的SDRAM控制器設(shè)計(jì)方法。該方法通過(guò)充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計(jì)數(shù)的方式進(jìn)行讀寫(xiě)狀態(tài)轉(zhuǎn)換，在PAL→VGA實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了利用一片SDRAM進(jìn)行圖像緩存。它在實(shí)時(shí)視頻采集系統(tǒng)中圖像數(shù)據(jù)處理方面，具有良好的應(yīng)用價(jià)值。
關(guān)鍵字：控制器設(shè)計(jì) SDRAM 系統(tǒng) 視頻采集實(shí)時(shí)

以FPGA為橋梁的FIFO設(shè)計(jì)方案及其應(yīng)用

引言在利用DSP實(shí)現(xiàn)視頻實(shí)時(shí)跟蹤時(shí)，需要進(jìn)行大量高速的圖像采集。而DSP本身自帶的FIFO并不足以支持...
關(guān)鍵字： FPGA FIFO SDRAM DSP

電源管理IC是DDR SDRAM存儲(chǔ)器的理想選擇(二)

與其它存儲(chǔ)器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本。可與以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲(chǔ)器便攜設(shè)備

電源管理IC是DDR SDRAM存儲(chǔ)器的理想選擇

與其它存儲(chǔ)器技術(shù)相比，DDRSDRAM具有出眾性能、很低的功耗以及更具競(jìng)爭(zhēng)力的成本?？膳c以前的SDRAM技術(shù)相...
關(guān)鍵字：電源管理IC DDR SDRAM 存儲(chǔ)器便攜設(shè)備

多端口SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　0 引言　　目前，在很多視頻數(shù)據(jù)采集以及實(shí)時(shí)顯示的應(yīng)用開(kāi)發(fā)中，常需要用到存儲(chǔ)容量大、讀寫(xiě)速度快的存儲(chǔ)器。在各種存儲(chǔ)器件中，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM 以其速度快、容量大、價(jià)格低的特點(diǎn)而備受關(guān)注。SDRAM 的工
關(guān)鍵字： SDRAM 多端口控制器

爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片開(kāi)發(fā)完成

　　爾必達(dá)公司近日宣布已經(jīng)完成了40nm制程2Gb密度DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片的研發(fā)工作，今年11月份這種芯片將進(jìn)入送樣階段，年底前則可實(shí)現(xiàn)正式批量供貨。據(jù)爾必達(dá)公司表示，這種新芯片的面積更小，總體良品率方面也比過(guò)去的50nm制程DDR3產(chǎn)品提升44%，而1.6Gbps數(shù)據(jù)傳輸率的產(chǎn)品良率更可達(dá)100%。　　比較舊有的50nm制程產(chǎn)品，新40nm 2Gb DDR3內(nèi)存驅(qū)動(dòng)電流只有前者的2/3左右，支持1.2V/1.35V的較低工作電壓，同時(shí)也可以在DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓下工作。這樣這種芯片的
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40nm SDRAM 內(nèi)存芯片

基于FPGA的高速SDRAM控制器的視頻應(yīng)用

0 引言
SDRAM(同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)是一種應(yīng)用廣泛的存儲(chǔ)器，具有容量大、數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度快、價(jià)格低廉等優(yōu)點(diǎn)，特別適合那些需要海量存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域，例如視頻方面。
這里有一個(gè)視頻項(xiàng)目要求將非標(biāo)準(zhǔn)的ITU-R BT.
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 控制器視頻應(yīng)用

6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1，DDR3 SDRAM開(kāi)始發(fā)力

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利用率正在快速增長(zhǎng)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 SDRAM 存儲(chǔ)器芯片設(shè)備

VLSI Research：6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比突破1

　　市場(chǎng)調(diào)研公司VLSI Research指出，6月全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比11個(gè)月來(lái)首次超過(guò)1。　　VLSI Research的數(shù)據(jù)顯示，6月全球芯片設(shè)備訂單出貨比升至1.01，是去年7月來(lái)首次突破1。　　6月全球設(shè)備訂單額達(dá)25億美元，較5月增長(zhǎng)40%，但較去年6月減少41%。6月出貨額較5月增長(zhǎng)31%，達(dá)24億美元，但較去年6月減少57%。　　VLSI Research指出目前訂單出貨額仍低于正常水平，但已出現(xiàn)了一些積極的趨勢(shì)。　　后端設(shè)備供應(yīng)商預(yù)計(jì)將獲得一次強(qiáng)勁增長(zhǎng)，后端工廠產(chǎn)能利
關(guān)鍵字：芯片設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 SDRAM 存儲(chǔ)器

嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)

嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)中SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn),介紹一種用于嵌入式實(shí)時(shí)圖像處理系統(tǒng)的SDRAM控制器的實(shí)現(xiàn)方案。根據(jù)實(shí)時(shí)系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速率及連續(xù)性的要求，將SDRAM配置為全頁(yè)突發(fā)操作模式，并采用異步FIFO作為FPGA與SDRAM間的數(shù)據(jù)緩沖器。為配合SDRAM的全頁(yè)操作模式，并充分利用其高速讀寫(xiě)性能，將FIFO設(shè)計(jì)為基于乒乓操作的流水線結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)的無(wú)縫緩存。將該方案用于實(shí)時(shí)紅外熱成像系統(tǒng)，經(jīng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該SDRAM控制器執(zhí)行效率高，占用資源少，可移植性強(qiáng)。
關(guān)鍵字： SDRAM 控制器實(shí)現(xiàn) 理系處理實(shí)時(shí) 圖像嵌入式

共149條 8/10 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 »

sdram介紹

　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]