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基于CMOS探測器的射線檢測設計應用
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- 概述:以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù),檢測精度高、溫度適應性好、結(jié)構(gòu)適應性強。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列,需要在檢測時進行相對掃描運動,逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測工裝設計,完成了探測器的固定、位置調(diào)節(jié)及實現(xiàn)與檢測工件的相對運動。介紹了檢測應用中的探測器配置與校準、透照方式選取、運動速度控制、檢測參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應用結(jié)果表明,經(jīng)過工藝優(yōu)化,CMOS探測器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測。最后分析了應用中存在的問題及后續(xù)研究方向。
- 關(guān)鍵字: 設計 應用 檢測 射線 CMOS 探測器 基于
CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖
- CL102型CMOS-LED數(shù)碼顯示器電路圖CMOS-LED數(shù)碼顯示器的,亦叫十進制技術(shù)、譯碼驅(qū)動顯示器,是一種功能齊全,使用 ...
- 關(guān)鍵字: CL102 CMOS-LED 數(shù)碼顯示器
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn),以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧,效果會比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng),而非將它們平行排列在電路板上,以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是,目前用以填充硅晶孔洞的銅,卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題,因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅,包括熱
- 關(guān)鍵字: TSV芯片 CMOS
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