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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> si cmos

          基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅(qū)動電路

          • PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構(gòu)成一種高效電機控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能,給出了
          • 關(guān)鍵字: 驅(qū)動  電路  電機  步進  PMM8731  SI-7300  基于  

          力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強其分析和仿真能力

          • ??????? 力科公司,作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商,今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品:信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品,它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作,還可以作為一個獨立的軟件使用。   可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能   SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā),可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
          • 關(guān)鍵字: 力科  軟件包  SI-Studio  

          思比科微電子籌備上市:已完成股份制改造

          •   7月10日,北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露,公司已于去年12月完成公司股份制改造,現(xiàn)已進入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
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          APTINA榮獲成像技術(shù)創(chuàng)新大獎

          • CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術(shù)最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業(yè)協(xié)會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發(fā)VISION 2020成像技術(shù)創(chuàng)新銅獎。
          • 關(guān)鍵字: Aptina  CMOS  

          Silicon Labs廣播收音機IC出貨量突破十億顆

          •   高性能模擬與混合信號IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆,締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數(shù)字CMOS廣播收音機芯片廣泛應(yīng)用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導(dǎo)航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統(tǒng)、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產(chǎn)品。   Silicon Labs公司于2005年推出業(yè)界首顆單芯片F(xiàn)M接收器。作為業(yè)界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC,Si4700 IC重構(gòu)了消
          • 關(guān)鍵字: Silicon-Labs  IC  CMOS  

          CMOS Sensor的調(diào)試經(jīng)驗

          • 目前,包括移動設(shè)備在內(nèi)的很多多媒體設(shè)備上都使用了攝像頭,而且還在以很快的速度更新?lián)Q代。目前使用的攝像頭分為兩種:CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
          • 關(guān)鍵字: Sensor  CMOS  調(diào)試  經(jīng)驗    

          基于SI濾波器的一種小波變換的實現(xiàn)

          • 摘要:文中在應(yīng)用對數(shù)域電路的基礎(chǔ)上,提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法,它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式,并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程,并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結(jié)果顯示
          • 關(guān)鍵字: 變換  實現(xiàn)  小波  濾波器  SI  基于  

          “寬動態(tài)”未來或成視頻監(jiān)控攝像機標配

          • 寬動態(tài)攝像機作為攝像機一個非常重要的分支,在明暗反差太大、光線來源單一的場合,發(fā)揮了重要的作用。寬動...
          • 關(guān)鍵字: 寬動態(tài)攝像機  CCD+DSP  CMOS+DPS  

          CMOS振蕩器設(shè)計

          • 1 引言   集成電路是采用半導(dǎo)體制作工藝,在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件,并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu)如圖1 所示
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  振蕩器  CMOS  

          標準有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序

          • 制定行業(yè)公認的標準是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作        就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣,納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機遇和極大風(fēng)險。正如在淘金熱時代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣,人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù),抓住創(chuàng)造巨大財 富的機遇,但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù),催生很多新的研究領(lǐng)域,但是也可能對那些不了解
          • 關(guān)鍵字: 納米  CMOS  

          高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析

          •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來,本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù),能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)(FTCE)的高k柵晶體管的本征(無俘獲)性能進行特征分析。 先進CMOS器件高k柵技術(shù)的進展        近年來,高介電常數(shù)(高k)材料,例如鉿氧化物(HfO2)、鋯氧化物(ZrO2)、氧化鋁(Al2O3)以及
          • 關(guān)鍵字: 脈沖  CMOS  

          SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗

          •   SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗,同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布,富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。   
          • 關(guān)鍵字: SuVolta  CMOS  

          安森美半導(dǎo)體擴充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件

          • ?????? 6月9日,應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器,強化用于智能手機及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù),均能提供150毫安(mA)的輸出電流。   NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA),輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  CMOS  NCP4682  

          PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗

          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
          • 關(guān)鍵字: SuVolta  CMOS  PowerShrink  

          0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設(shè)計

          • 基準電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  電壓  基準  CMOS  0.18  
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