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當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導(dǎo)讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是常見的設(shè)計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會造成空壓機線包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因
- _____開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 功率 MOSFET 耐用性
常見MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個目標，需要提高開關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。對于當今的開關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開關(guān)(ZVS) 或零電流開關(guān)(ZCS) 拓撲允許采用高頻開關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開關(guān)損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應(yīng)用的尺寸，還能夠降 低功率開關(guān)的應(yīng)力，因此可以改善系統(tǒng)的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應(yīng)用，包括高端服務(wù)
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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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瑞能半導(dǎo)體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，瑞能半導(dǎo)體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復(fù)二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應(yīng)用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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Nexperia推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導(dǎo)通內(nèi)阻、邏輯控制電平MOSFET，應(yīng)用于LFPAK33封裝。ASFET是專門為用于某一應(yīng)用而設(shè)計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(qū)(SOA)技術(shù)
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安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小
- 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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場效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通
- 1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標尺工序。由于場
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開關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗
- 一、什么是開關(guān)電源開關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設(shè)備，例如個人電腦，而開關(guān)電源就進行兩者之間電壓及電流的轉(zhuǎn)換。二、開關(guān)損耗開關(guān)損耗包括導(dǎo)通損耗和截止損耗。1、導(dǎo)通損耗指功率管從截止到導(dǎo)通時,所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導(dǎo)通到截止
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10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過流保護
- 摘要傳統(tǒng)上，過流保護使用的是保險絲。但是，保險絲體積龐大，響應(yīng)速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應(yīng)速度快的10 A電子保險絲，它沒有上述這些無源保險絲缺點。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過流保護。簡介為了盡量減少由電氣故障引起的系統(tǒng)停機時間，使用率高的電源或全年無休的系統(tǒng)需要在供電板上增加過載和短路保護。當電源為多個子系統(tǒng)或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務(wù)器和路由器）供電時，必須為電源提供過流保護?？焖贁嚅_發(fā)生故障的子系統(tǒng)與共享電源總
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功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新驅(qū)動下一代能源網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，構(gòu)建可持續(xù)發(fā)展的未來
- 全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個可持續(xù)發(fā)展的未來。要實現(xiàn)面向未來的可持續(xù)能源網(wǎng)絡(luò)，綠色轉(zhuǎn)型勢在必行，下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡(luò)將主要基于太陽能和風能等可再生能源，并結(jié)合能源儲存的能力。此外，我們認為能耗必須向電動汽車 (EV) 等高效和零排放的負載遷移，以實現(xiàn)可行且可持續(xù)的能源網(wǎng)絡(luò)。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡(luò)無論是太陽能、風能和儲能等可再生能源，還是電動汽車
- 關(guān)鍵字： MOSFET
健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇
- 可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設(shè)備已成為過去5年來消費電子領(lǐng)域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： 202009 MOSFET
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