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羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：快充測(cè)試
- 一、測(cè)試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測(cè)試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號(hào)2、DCDC 在線測(cè)試1）空載測(cè)試驅(qū)動(dòng)空載輸出12V，gs驅(qū)動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號(hào)2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動(dòng)信號(hào)波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動(dòng)信號(hào)單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對(duì)應(yīng)設(shè)備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
羅姆SiC評(píng)估板測(cè)評(píng)：射頻熱凝控制儀測(cè)試
- 測(cè)試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個(gè)低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測(cè)試電源的帶載能力非常好用。③信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號(hào)，用于MOS管的驅(qū)動(dòng)④示波器觀察驅(qū)動(dòng)信號(hào)、輸出信號(hào)、MOS管的波形⑤萬用表測(cè)量各測(cè)試點(diǎn)的電壓⑥溫度巡檢儀測(cè)量帶載后MOS管的溫度測(cè)試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個(gè)直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
- 離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路（有時(shí)稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個(gè)開關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴(kuò)展新應(yīng)用領(lǐng)域，PI推出首款汽車級(jí)開關(guān)電源IC
- 2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會(huì)，推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級(jí)開關(guān)MOSFET的汽車級(jí)開關(guān)電源IC，可提供高達(dá)70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動(dòng)巴士、卡車和各種工業(yè)電源應(yīng)用。在ACDC消費(fèi)類應(yīng)用中積累了深厚經(jīng)驗(yàn)的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車領(lǐng)域的ACDC應(yīng)用上
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET 電動(dòng)汽車 ACDC 開關(guān)電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當(dāng)前電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿。該器件的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機(jī)驅(qū)
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Power Integrations推出業(yè)界首款內(nèi)部集成1700V SiC MOSFET的汽車級(jí)高壓開關(guān)IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴(kuò)大，新器件不僅能顯著減少元件數(shù)量，還可大幅提高電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用的效率
- 關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車 牽引逆變器
用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究
- 系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，SiP）設(shè)計(jì)理念是實(shí)現(xiàn)電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關(guān)MOSFET的集成封裝方案對(duì)電源性能影響大。本文討論同步開關(guān)電源拓?fù)渲械陌霕騇OSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設(shè)計(jì)、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復(fù)雜度、組裝維修等方面，對(duì)比了不同方案的優(yōu)缺點(diǎn)，為電源SiP的設(shè)計(jì)提供參考。
- 關(guān)鍵字： 系統(tǒng)級(jí)封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應(yīng)用
- 本文闡述了大容量鋰離子電池包內(nèi)部功率MOSFET的配置以及實(shí)現(xiàn)二級(jí)保護(hù)的方案；論述了其實(shí)現(xiàn)高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術(shù)和CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術(shù)參數(shù)，以及如何正確測(cè)量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯(lián)電阻以及提高控制芯片的輸出檢測(cè)電壓2種方案，避免漏電流導(dǎo)致電池包不正常工作的問題。
- 關(guān)鍵字： 電池充放電管理 雪崩 短路 漏電流 MOSFET 202112
大功率電池供電設(shè)備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
- 電池供電電機(jī)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項(xiàng)棘手且耗時(shí)的工作；現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可以用現(xiàn)代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
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ROHM開發(fā)出45W輸出、內(nèi)置FET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調(diào)、白色家電、FA設(shè)備等配備交流電源的家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，開發(fā)出內(nèi)置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AC/DC轉(zhuǎn)換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標(biāo)準(zhǔn)“Energy Star*3”和安全標(biāo)準(zhǔn)“IEC 62368”等，需要從國際視角構(gòu)建電源系統(tǒng)。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
- 一、復(fù)雜的電子環(huán)境汽車、工業(yè)和航空電子設(shè)備所處的供電環(huán)境非常復(fù)雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運(yùn)行，需要具備對(duì)抗各種浪涌傷害的能力。以汽車電子系統(tǒng)供電應(yīng)用為例，該系統(tǒng)不但需要滿足高可靠性要求，還需要應(yīng)對(duì)相對(duì)不太穩(wěn)定的電池電壓，具有一定挑戰(zhàn)性；與車輛電池連接的電子和機(jī)械系統(tǒng)的差異性，也可能導(dǎo)致標(biāo)稱12 V電源出現(xiàn)大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時(shí)間段內(nèi)，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現(xiàn)+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車和工業(yè)系統(tǒng)是常見的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
- 如今，越來越多的設(shè)計(jì)者在各種應(yīng)用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個(gè)主要因素（在一個(gè)簡化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)阻抗，稱為rds(on)，另一個(gè)是并聯(lián)電容，稱為coss。這兩個(gè)晶體管參數(shù)限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設(shè)計(jì)者可以用它來降低由于晶體管特性的不同而對(duì)電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著rds(on)的減小，管芯尺寸會(huì)增加，這會(huì)導(dǎo)
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