MT9V126 是Aptina 針對車載倒車影像市場推出的高靈敏度CMOS sensor產品，其主要特性：內部集成overlay(on chip)功能;Lens Distortion correction(鏡頭光學變形校正); Vertical Perspective Adjustment 感光能力可達11.5V/lux-s(55onm); 動態(tài)范圍pixel Dynamic Range 大于82db;可對客戶為開發(fā)應用于低照，強眩光等嚴苛條件下的倒車影像產品，并同時降低客戶整體開發(fā)成本提供強有力的幫
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Aptina CMOS MT9V126 倒車影像 200911
采用0.18micro;m CMOS設計用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路,本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路。該電路采用數(shù)?；旌系姆椒ㄟM行設計，第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復用，第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復用，從而實現(xiàn)16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結果表明，當電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時，電路可以
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收發(fā)器 系統(tǒng) 復用器 電路 2.5Gb/s 用于 0.18µ CMOS 收發(fā)器
Avago Technologies(安華高科技)今日宣布，推出二款面向油電混合動力車(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應用所設計的車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器產品。ACPL-M71T單通道高速15MBd和ACPL-M72T低功耗LED驅動光電耦合器為Avago R2Coupler™數(shù)字系列產品的最新成員，這些采用小型化SOIC-5封裝，擁有耐高溫和低功耗特性的光電耦合器非常適合控制器局域網總線(CANBus, Controller Area Ne
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Avago CMOS 光電耦合器
日前在西安曲江國際會展中心召開的第四屆中國民營科技產品博覽會上，本土IC設計公司西安優(yōu)勢微電子公司推出了中國內首顆物聯(lián)網核心芯片——“唐芯一號”。
“唐芯一號”核心芯片是中國第一顆完全自主知識產權的2.4GHz超低功耗射頻可編程片上系統(tǒng)(PSoC)，采用0.18μm數(shù)字CMOS工藝，集無線射頻收發(fā)、數(shù)字基帶、數(shù)據(jù)處理、電源管理于一體，具有無線通信、無線組網、無線傳感、無線控制、數(shù)據(jù)處理等能力，是目前同類芯片中集成度最高
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IC設計 CMOS 物聯(lián)網 唐芯一號
近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進制程，亦與無錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當?shù)鼐A廠生產力，全力擴展大陸市場，未來IBM技術勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。
大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術平臺奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機會，不僅對于技術授權相當開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉至
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IBM 45納米 晶圓代工 CMOS
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。
“我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內部測試”，Microstaq 工程部副總裁 Mark Luckevich 表示，“Ventilum 芯片通過了最高級別的認證，我們正期待著這項技術應用于暖通空調和制冷市場。”
“這是一
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中芯國際 MEMS CMOS
近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進制程，亦與無錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當?shù)鼐A廠生產力，全力擴展大陸市場，未來IBM技術勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。
大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術平臺奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機會，不僅對于技術授權相當開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉至
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IBM 晶圓代工 CMOS
“雖然國際金融危機對中國半導體產業(yè)的沖擊非常大，但以中國內需市場為突破口和切入點，中國半導體產業(yè)將進入新的黃金發(fā)展期?！敝袊雽w行業(yè)協(xié)會理事長俞忠鈺充滿信心地指出。在IC CHINA2009召開前夕，俞忠鈺就中國半導體產業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀和未來，以及產業(yè)發(fā)展的策略和重點等熱點話題，接受了《中國電子報》記者的專訪。
全球半導體業(yè)進入變革和創(chuàng)新時代
記者：由于國際金融危機的影響，全球半導體產業(yè)呈現(xiàn)出新的變化和特點。你認為國際金融危機后全球半導體產業(yè)發(fā)生哪些改變?你對全球半導
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半導體 CMOS 摩爾定律
中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術將延伸至40納米以及55納米。
這些新工藝技術進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內。其應用產品包括多媒體產品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。
“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標完成了45納米的技術工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術為
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中芯國際 CMOS 45納米 40納米 55納米
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力，推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。
這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺，用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療應用?；贠NC18工藝的方案將在安森美半導體位于美國俄勒岡州Gresham的8英寸晶圓制造廠制造，因此，預期對于尋求遵從國際武器貿易規(guī)章(ITAR)的合作伙伴、在美國國內生產的美國軍事應用設計人
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安森美 CMOS 晶圓制造
1969年，貝爾實驗室(Bell Laboratories)的科學家Willard S. Boyle和George E. Smith發(fā)明了第一個成功的數(shù)字影像傳感器技術：電荷耦合組件(CCD)。40年后，隨著影像傳感器逐漸發(fā)展成為一個年出貨量達13億顆的龐大市場，這兩位技術先鋒也在2009年獲頒諾貝爾物理獎，以表揚他們在數(shù)字成像領域的貢獻。
“影像傳感器技術對世界和整個社會帶來了巨大且深遠的影響，”iSuppli分析師Pamela Tufegdzic說。“影像
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CCD CMOS 影像傳感器
本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進行設計，第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復用，第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復用，從而實現(xiàn)16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型，使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結果表明，當電源電壓為1.8V，溫度范圍為0～70℃時，電路可以工作在2.5b/s，功耗約為6mW。
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micro 0.18 CMOS 2.5
臺積電宣布與AMCC(應用微電路;Applied Micro Circuits Corporation;AMCC-US)結盟，AMCC的Power Architecture嵌入式微處理器將以臺積電90奈米CMOS制程生產，未來將進一步推進到65奈米及40奈米制程。這意味著臺積電在 CPU代工領域再下一城。
AMCC為全球能源及通訊解決方案商，臺積電表示，這次雙方的合作，是AMCC Power Architecture嵌入式微處理器首次采用非SOI制程技術，受惠于臺積電成熟的bulk CMOS技術
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臺積電 CPU代工 CMOS
為了提高CMOS圖像傳感器的圖像質量，通過對圖像主要的噪聲源以及圖像失真的分析，提出一種新型的CMOS有源像素圖像傳感器。該CMOS圖像傳感器使用4T有源像素，大大提高了圖像傳感器的靈敏度。通過在傳感器中集成圖像預處理功能，對改善圖像的質量起到了很好的效果。
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CMOS 圖像傳感器
世界領先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司(以下簡稱“華虹NEC”)日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS 圖像傳感器 (CIS162) 工藝技術，已進入量產階段。
華虹NEC和關鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標準0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，3.3V的輸入輸出電路。經過精細調整集成了4個功能晶體管和光電二極管(photo diode) 的像素單元可以提供超低的漏電和高清優(yōu)質的圖像。而特別處理的后端布線工藝保證了像素區(qū)高敏感性，可
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華虹NEC 晶圓代工 CMOS 圖像傳感器
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