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          CMOS射頻接收機系統(tǒng)與電路

          • CMOS技術(shù)作為設(shè)計射頻接收機電路的一種主要技術(shù),正在得到廣泛研究。本文首先總結(jié)了當(dāng)前射頻接收機的幾種常用結(jié)構(gòu)和主要的工作特性、參數(shù),然后介紹了三種最新的不同結(jié)構(gòu)形式的CMOS射頻前端電路。
          • 關(guān)鍵字: 電路  系統(tǒng)  接收機  射頻  CMOS  CAN  

          基于CMOS圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng)設(shè)計

          • 為滿足納型衛(wèi)星的遙感系統(tǒng)要求, 設(shè)計了一套基于互補型金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS 圖像傳感器的納型衛(wèi)星遙感系統(tǒng), 采用PC 機模擬星上數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能, 通過控制器局域網(wǎng)CAN總線實現(xiàn)了對CMOS 相機的控制和圖像傳輸?shù)裙δ?。通過熱循環(huán)實驗, 得到了該CMOS 相機平均暗輸出和暗不一致性隨溫度的變化曲線, 預(yù)測其適于在10~25 ℃的空間溫度環(huán)境中工作, 并可經(jīng)受- 25~60 ℃的衛(wèi)星艙內(nèi)溫度變化。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  納型衛(wèi)星  遙感    

          DALSA與IBM等多方合作 創(chuàng)立新微電子創(chuàng)新中心

          •   日前,由謝布克大學(xué)、加拿大魁北克政府以及IBM(加拿大)和DALSA公司攜手成立的新微電子創(chuàng)新中心在加拿大魁北克Bromont高科技園區(qū)正式落成。該研究中心將對下一代硅片集成以及MEMS系統(tǒng)進(jìn)行深入研究與開發(fā)。   新的微電子創(chuàng)新中心對于DALSA未來的發(fā)展尤為關(guān)鍵,尤其是在MEMS與WLP相關(guān)設(shè)備的安裝和未來操作職責(zé)上擔(dān)負(fù)主要角色。   Dalsa是一家MEMS、高壓CMOS和先進(jìn)CCD制造代工廠。
          • 關(guān)鍵字: IBM  MEMS  CMOS  

          2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預(yù)測

          •   市場研究機構(gòu)StrategiesUnlimited指出,全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%,來到64億美元規(guī)模,不過接下來將逐漸恢復(fù)正常成長。該機構(gòu)預(yù)期,未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止,其十年來的復(fù)合年成長率高達(dá)22%。   圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響,而這樣的負(fù)面影響恐怕會持續(xù)下去,特別是在該市場因為幾乎所有手機都內(nèi)建相機而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年,預(yù)計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長,但短期需求波動、供應(yīng)過剩或吃緊,以及沉重的價
          • 關(guān)鍵字: CCD  傳感器  CMOS  

          基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

          • 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術(shù)上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對
          • 關(guān)鍵字: Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

          高性能CMOS集成電壓比較器設(shè)計


          • 電壓比較器是對輸入信號進(jìn)行鑒幅與比較的電路,其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號),并以輸出比較得到的二進(jìn)制信號。其在A/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。在
          • 關(guān)鍵字: CMOS  性能  集成  電壓比較器    

          耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

          •   SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項技術(shù)使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲 單元,科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結(jié)構(gòu),不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。   這種技術(shù)能使存儲單元的體積更小,信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右,刷新的時間間隔可以更大,因此耗電量也更小,還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外,有關(guān)的制
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  CMOS  FeDRAM  

          CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

          • 片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件,文章分析和比較了三類不同集成方式:芯片級,列級和象素級的原理,性能和特點。最后,展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來發(fā)展趨勢。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  集成  轉(zhuǎn)換器    

          國產(chǎn)芯片已達(dá)國際主流芯片品質(zhì)

          •   今年國內(nèi)拉動內(nèi)需,特別是3G的啟動建設(shè)和FTTH進(jìn)入實質(zhì)性的發(fā)展階段,使光模塊市場一片紅火,預(yù)計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長。   由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大,所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多,在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。   國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上,研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說,基于同樣的工藝,制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢,采用相對低成本的工藝,做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
          • 關(guān)鍵字: 3G  CMOS  IC設(shè)計  FTTH  

          ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

          •   意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布,法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長,以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層,齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。   Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持,旨
          • 關(guān)鍵字: ST  CMOS  32nm  22nm  Nano2012    

          豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴大對臺積電訂單

          •   CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作,采用最新背面照度(Backside Illumination,BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品,陸續(xù)獲得一線智能型手機OEM廠設(shè)計案(design win),預(yù)計本季度開始大量出貨。   豪威已開始擴大對臺積電下單,臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試,并計畫在12寸廠以65納米投片。
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  CMOS  傳感器  65納米  

          從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新

          •   幾十年來,摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而,經(jīng)濟學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命性轉(zhuǎn)變。未來,“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。   產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動轉(zhuǎn)為經(jīng)濟學(xué)驅(qū)動   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來,半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
          • 關(guān)鍵字: NXP  摩爾定律  CMOS  晶體管  

          MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性

          •   法國市場研究機構(gòu)Yole Development針對微機電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出,目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù),使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競爭性,但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。   Yole表示,大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢,并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長性,以及來自其它高潛力應(yīng)用市場的商機,也吸引了許多來自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競爭。   Yole并指出,由于這些來自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者,具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: MEMS  晶圓  CMOS  

          韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器

          •   韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。   該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。   還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件,以及支持移動DDR或D
          • 關(guān)鍵字: 三星  45納米  CMOS  S5P6440  
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