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安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)
- 隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展，市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展，設(shè)計人員面臨如何在性能、能效、尺寸、成本、控制難度之間權(quán)衡取舍的挑戰(zhàn)，安森美(onsemi)基于新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)的方案，有助于變革性地優(yōu)化UPS設(shè)計。安森美是領(lǐng)先的智能電源方案供應(yīng)商之一，也是全球少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商，提供先進的SiC、SiC/Si 混合和 IGBT 模塊技術(shù)，以及廣泛的分立器件、門極驅(qū)動器等周邊器件，滿足低
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SiC設(shè)計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動電壓的分析及探討
- 隨著制備技術(shù)的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo?收購）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品，此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性，適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案，如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計人員提供了
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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因
- _____開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準(zhǔn)的開關(guān)過程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關(guān)器件的一個重要區(qū)別是它
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
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瑞能半導(dǎo)體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，瑞能半導(dǎo)體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復(fù)二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應(yīng)用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
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UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
- 2022年5月11日移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）系列。
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Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力
- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應(yīng)用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認(rèn)證和ASIL B認(rèn)證，可實現(xiàn)AS
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英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導(dǎo)通電阻。與此同時，隨著柵極運行
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克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付
- _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學(xué)深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導(dǎo)體測試的硬件設(shè)備，從而解決了“測不準(zhǔn)”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導(dǎo)體及應(yīng)用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
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ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制
- 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達(dá)8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
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羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負(fù)載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉(zhuǎn)55V 2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負(fù)載，溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應(yīng)設(shè)備
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羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
- 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負(fù)載半橋電源電源的輸出負(fù)載，可恒流或者恒壓或者恒負(fù)載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓?fù)鋵⒄f明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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sic 介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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