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          Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅動器

          • 美國加利福尼亞州圣何塞,2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊,具有增強的保護功能,可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能,保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅動器還具有高
          • 關鍵字: Power Integrations  短路保護  SiC  IGBT模塊  門極驅動器  

          Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

          • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝,為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經過二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大規(guī)模、高質量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識,如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯氮化鎵場效應管(GaN FET),Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用CCP
          • 關鍵字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

          “四兩撥千斤”,寬禁帶技術如何顛覆性創(chuàng)新

          • 在半導體行業(yè),新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力,輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中,寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本,因此將在數據中心、智能樓宇、個人電子設備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂,怎么做到的?寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現在:? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比,寬禁帶產品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度,更高的擊穿
          • 關鍵字: GaN  寬禁帶  SiC  

          Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準

          • 奈梅亨,2023年11月30日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產品組合中首批發(fā)布的產品,隨后Nexperia將持續(xù)擴大產品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動
          • 關鍵字: Nexperia  SiC  MOSFET  工業(yè)電源開關  

          三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體

          • 11月,日本三菱電機、安世半導體(Nexperia)宣布,將聯合開發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認,預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示,安世半導體總部位于荷蘭,目前是中國聞泰科技的子公司。11月初,安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司,三菱電機與安世半導體的側重點不同,前者以“多個離散元件組合
          • 關鍵字: 三菱電機  安世  SiC  功率半導體  

          理想自研芯片進展曝光:在新加坡設立辦公室,團隊規(guī)模已超160人

          • 11 月 21 日消息,據晚點 LatePost 報道,在芯片自研方面,理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片,和用于驅動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱,理想目前正在新加坡組建團隊,從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上,已經可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位,包括:總經理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設計專家。報道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
          • 關鍵字: 理想  自研芯片  新能源汽車  智能駕駛  AI  推理芯片  驅動電機  控制器  SiC  功率芯片。  

          FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

          • 由于半導體生物傳感器的低成本、迅速反應、檢測準確等優(yōu)點,對于此類傳感器的研究和開發(fā)進行了大量投入。特別是基于場效應晶體管 (FET) 的生物傳感器或生物場效應管,它們被廣泛用于各種應用:如生物研究,即時診斷,環(huán)境應用,以及食品安全。生物場效應管將生物響應轉換為分析物,并將其轉換為可以使用直流I-V技術輕松測量的電信號。輸出特性 (Id-Vd)、傳輸特性 (Id-Vg) 和電流測量值相對于時間 (I-t) 可以與分析物的檢測和幅度相關。根據設備上的終端數量,可以使用多個源測量單元(SMU) 輕松完成這些直流
          • 關鍵字: 泰克科技  FET  生物傳感器  

          Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

          • Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè),雙方聯手開發(fā),將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度,同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
          • 關鍵字: Nexperia  三菱電機  SiC MOSFET  

          三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體

          • 三菱電機將與Nexperia(安世)合力開發(fā)SiC芯片,通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大,并有助于推動Si
          • 關鍵字: 三菱電機  安世  SiC  

          電裝5億美元入股這家SiC公司

          • 11月6日,株式會社電裝(Denso)宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關于本次投資,市場方面早有相關消息傳出。今年9月底有報道稱,電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務感興趣,并且已經就收購Coherent的SiC業(yè)務少數股權進行過討論。分拆SiC業(yè)務能夠給投資者提供更多投資機會,同時也是對SiC發(fā)展前景的看好,Coher
          • 關鍵字: 電裝  SiC  

          EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機

          • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統(tǒng)的效率、扭矩而同時使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆變器非常微型,可集成到電機外殼中,從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V,可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器,包括電動自行車、電動滑板車、無人
          • 關鍵字: EPC  GaN FET  電機驅動器  

          應對汽車檢測認證機構測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案

          • _____近年來,在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下,汽車行業(yè)油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經超過25%。汽車電動化浪潮中,半導體增量主要來自于功率半導體,根據 Strategy Analytics,功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%,躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣,車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導體器件,業(yè)界已經建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發(fā)
          • 關鍵字: 汽車檢測認證  泰克  SiC  

          通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)

          • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量,這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構,然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外,鋰離子電池技術成熟,因
          • 關鍵字: 202310  碳化硅  SiC  電池儲能系統(tǒng)  

          良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產 8 英寸 SiC

          • IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長徐秀蘭表示,公司克服了量產碳化硅(SiC)晶圓的重重技術難關,已經將 SiC 晶圓推進至 8 英寸,和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產品,2025 年大幅增長,到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經超過 50%,而且有進一步改善的空間,明年上半年開始交付相關樣品。IT之家從報道中
          • 關鍵字: 晶圓廠  SiC  

          2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國

          • 2023年,中國化合物半導體產業(yè)實現歷史性突破。 在碳化硅(SiC)晶體生長領域,尤其得到國際IDM廠商的認可,中國廠商產能大幅提升。 此前,來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而,到2024年,預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司,包括SICC、TankeBlue和三安,幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè),為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。 目前,他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產,預計到2024年月產能將達到12萬單位
          • 關鍵字: SiC  碳化硅  
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