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保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應(yīng)用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽(yáng)
關(guān)鍵字：碳化硅 SiC

意法半導(dǎo)體為博格華納提供SiC，“上車(chē)”沃爾沃？

近日，意法半導(dǎo)體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)。為了充分發(fā)揮意法半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體和博格華納技術(shù)團(tuán)隊(duì)密切合作，力爭(zhēng)讓意法半導(dǎo)體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅(qū)架構(gòu)尺寸并提升經(jīng)濟(jì)效益。意法半導(dǎo)體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導(dǎo)體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車(chē)輛性能
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體博格華納 SiC 沃爾沃

基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設(shè)計(jì)針對(duì)5G通信應(yīng)用的3 kW/53.5V AC-DC轉(zhuǎn)換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設(shè)計(jì)包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構(gòu)。前級(jí)圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉(zhuǎn)換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設(shè)計(jì)為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測(cè)量峰值效率為96.3%
關(guān)鍵字： ST 第三代半導(dǎo)體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無(wú)橋PFC 全橋LLC 數(shù)字電源

意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)

●? ?意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)●? ?博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專(zhuān)有的基于 Viper 功率模塊
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 SiC 博格華納功率模塊沃爾沃電動(dòng)汽車(chē)

自動(dòng)執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測(cè)試

_____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對(duì)電氣技術(shù)的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據(jù)彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報(bào)告，到 2050 年，幾乎所有道路運(yùn)輸都將實(shí)現(xiàn)電氣化，預(yù)計(jì)將導(dǎo)致全球電力需求激增 27%。這一趨勢(shì)凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉(zhuǎn)變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
關(guān)鍵字：寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測(cè)試

碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？阿斯麥臉色不再重要！

在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開(kāi)始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導(dǎo)體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢(shì)之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結(jié)構(gòu)決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應(yīng)用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年內(nèi)DC?1500V將得到廣泛應(yīng)用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
關(guān)鍵字：東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊

大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設(shè)計(jì)

TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)，該參考設(shè)計(jì)為 OEM 和設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎(chǔ)。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(shù)（包括用于驅(qū)動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的高性能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器

適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

隨著設(shè)備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計(jì)人員有一個(gè)優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計(jì)劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計(jì)需要在設(shè)計(jì)過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(zhǎng)系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅(qū)
關(guān)鍵字： SiC

全球SiC爭(zhēng)霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國(guó)家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對(duì)美國(guó)具有深遠(yuǎn)的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設(shè)一個(gè)國(guó)家級(jí)SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國(guó)學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國(guó)新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國(guó)大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(zhǎng)期
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗碳中和

意法半導(dǎo)體是怎樣煉成巨頭的？擅長(zhǎng)聯(lián)合，布局多重應(yīng)用，投資未來(lái)

歐洲是世界半導(dǎo)體的重要一極，ST（意法半導(dǎo)體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導(dǎo)體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導(dǎo)體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應(yīng)用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年?duì)I收158.4億美元，年增長(zhǎng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導(dǎo)體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數(shù)的半導(dǎo)體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導(dǎo)體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MCU SiC

汽車(chē)芯片，有兩大好賽道

汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢(shì)，勢(shì)必帶動(dòng)車(chē)用半導(dǎo)體的價(jià)值量提升，其中功率半導(dǎo)體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機(jī)。先看功率半導(dǎo)體，車(chē)規(guī)功率半導(dǎo)體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導(dǎo)體企業(yè)都在瞄準(zhǔn)這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導(dǎo)體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應(yīng)用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號(hào)鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統(tǒng)
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體 SiC GaN 模擬芯片

更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

最先進(jìn)的電子硬件在大數(shù)據(jù)革命面前都顯得有些“捉襟見(jiàn)肘”，這迫使工程師重新思考微芯片的幾乎每一個(gè)方面。隨著數(shù)據(jù)集的存儲(chǔ)、搜索和分析越來(lái)越復(fù)雜，這些設(shè)備就必須變得更小、更快、更節(jié)能，以跟上數(shù)據(jù)創(chuàng)新的步伐。鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FE-FETs）是應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的最有趣的答案之一。這是一種具有鐵電性能的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它利用鐵電材料的非易失記憶性質(zhì)，在其中植入場(chǎng)效應(yīng)和電荷積累，實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定的記憶效應(yīng)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等優(yōu)勢(shì)。因此，一個(gè)成功的FE-FET設(shè)計(jì)可以大大降低傳統(tǒng)器件的尺寸和能量使
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體芯片 FE-FET

英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅(qū)動(dòng)。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應(yīng)鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(zhǎng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號(hào)供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
關(guān)鍵字：英飛凌賽米控電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT

羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能

全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨(dú)霸，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計(jì)劃在2025年，將SiC功率半導(dǎo)體的營(yíng)收擴(kuò)大至1,000億日?qǐng)A以上，成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo)，該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統(tǒng)廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內(nèi)，預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo)，羅姆將從日本的石油公
關(guān)鍵字：羅姆 SiC