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          SiC二極管逆變器投入應用,讓燃料電池車更輕

          •   日產(chǎn)汽車開發(fā)出了采用SiC二極管的汽車逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車“X-TRAIL FCV”上,并開始行駛實驗。通過把二極管材料由原來的Si變更為SiC,今后有望實現(xiàn)逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動汽車而言,逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。   SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場比Si大1位數(shù)左右,理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數(shù)以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場3次方成反比。導通電阻小,因此可
          • 關鍵字: 二極管  SiC  汽車  逆變器  日產(chǎn)  

          TI推出具有啟動過程中禁止吸入功能的DC/DC 轉換器

          •   TPS54377 是一款輸入電壓為 3V ~6V 的 DC/DC 轉換器,具有可將電壓步降至 0.9V 的集成的 FET。其轉換頻率為同步頻率并可調(diào)至 1.6MHz,以減少外部組件數(shù)量且有助于確定頻譜噪聲頻帶。該器件在整個溫度范圍內(nèi)均可提供高達 3A 的輸出電流并可支持 4A 的峰值輸出電流。其具有電源狀態(tài)良好指示、啟動、可調(diào)慢啟動、電流限制、熱關斷以及 1% 的參考精度等特性。TPS54377 可用于寬帶、聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施、分布式電源系統(tǒng)以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 穩(wěn)壓。
          • 關鍵字: TI   轉換器  DC/DC  FET  

          探討基于SiC集成技術的生物電信號采集方案

          •   人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了,但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰(zhàn)。本文介紹采用IMEC的SiC技術,它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來,在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額外堆疊層,這樣就能構成一套完全獨立的生物電信號采集方案。   
          • 關鍵字: SiC  EEG  生物電信號采集  IMEC  

          集成功率FET的鋰離子開關充電器

          •   當輸入至輸出的開銷電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時,線性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節(jié)鋰離子電池組、12V車載適配器、1.2A額定充電電流)為例,其線性充電器的平均功耗超過5W。   bq241xx系列開關充電器是對過熱問題的簡便解決方案。內(nèi)置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz,輸入電壓最高可達18V,非常適用于由單節(jié)、雙或三節(jié)電池組供電的系統(tǒng)。該系列開關充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性,并且
          • 關鍵字: FET  鋰離子開關充電器  電源  

          一種基于大功率FET的數(shù)控直流電流源設計

          車載SiC功率半導體前景光明 逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化

          •   豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中,談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中,“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體,將有助于逆變器大幅實現(xiàn)小型化及低成本化。   在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標,但多數(shù)看法認為,就元器件的成本、性能及可靠性而言,比起在產(chǎn)業(yè)設備以及民用設備上配備,在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期,但表示“到本世紀10年代前
          • 關鍵字: 汽車電子  豐田  SiC  半導體  汽車電子  

          Intersil集成式FET穩(wěn)壓器支持60V輸入電壓和100V尖峰

          •    Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 開關穩(wěn)壓器系列,支持廣泛的工作輸入電壓,并且可以處理高達 100V 的瞬態(tài)尖峰。   ISL8560 支持 9V 至 60V 的輸入電壓以及 1.21V 至 55V 的可編程輸出電壓;而 ISL8540 支持 9
          • 關鍵字: 模擬技術  電源技術  Intersil  FET  穩(wěn)壓器  電源  

          飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅(qū)動器多芯片模塊

          •   飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅(qū)動器功率級解決方案FDMF6700,采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用,比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統(tǒng)、圖形卡、網(wǎng)絡和電信設備,以及其它電路板空間有限的DC-DC應用,F(xiàn)DMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。   在個人電腦主板中,典型的降壓轉換器在每個相位可能包含:采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  飛兆  DrMOS  FET  模塊  

          京大等三家開發(fā)成功SiC外延膜量產(chǎn)技術

          •    京都大學、東京電子、羅姆等宣布,使用“量產(chǎn)型SiC(碳化硅)外延膜生長試制裝置”,確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術已經(jīng)有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數(shù)等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前,三家已經(jīng)開始使用該裝置進行功率半導體的試制,面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途,“各廠商供應工程樣品,并獲得了好評”。      此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產(chǎn)技術。
          • 關鍵字: 消費電子  京大  SiC  外延膜  消費電子  

          移動終端中三類射頻電路的演進方向

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: 射頻  GSM  CMOS  GaAs  HBT  FET  SAW  FEM  VOC  DCR  DCT  

          如何使低功耗放大器在便攜式產(chǎn)品中提高性能

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: FET  DAC  ADI  

          功率P-FET控制器LTC4414

          • LTC4414是一種功率P-EFT控制器,主要用于控制電源的通、斷及自動切換,也可用作高端功率開關。該器件主要特點:工作電壓范圍寬,為3.5~36V;電路簡單,外圍元器件少;靜態(tài)電流小,典型值為30μA;能驅(qū)動大電流P溝道功率MOSFET;有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護;可采用微控制器進行控制或采用手動控制;節(jié)省空間的8引腳MSOP封裝;工作溫度范圍-40℃~+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列   引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示,各引腳
          • 關鍵字: LTC4414  P-FET  電源技術  工業(yè)控制  模擬技術  工業(yè)控制  

          FET新版本可用于Serial RapidIO端點

          擴展射頻頻譜分析儀可用范圍的高阻抗 FET 探頭

          • 頻譜分析儀的電流模式一般有自10Hz低頻起始的頻率響應。當與1Hz或帶寬更窄的 FET 軟件結合使用時,現(xiàn)代頻譜分析儀就具備了擴展的低頻性能,使之成為設計與調(diào)試高性能模擬電路不可或缺的工具。
          • 關鍵字: FET  射頻  頻譜分析儀  高阻抗    
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