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SiC 長期供貨，理想簽協(xié)議
- 意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： SiC
SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴展仿真模型功能！
- 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更復雜的結(jié)構(gòu)，如超級結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過引入物理和可擴展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
- 關(guān)鍵字： 功率器件 Spice模型 SiC 仿真
SiC MOSFET用于電機驅(qū)動的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關(guān)頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創(chuàng)了新的機會。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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SiC是否會成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進入了全面的市場拓展階段。加上面向再生能源的市場，汽車使用市場的增長比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動向。然而，解決SiC容量增強問題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場全方位戰(zhàn)略已擴大工業(yè)化加速進入公司約100家?！敝袊鳶i
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Power Integrations推出具有快速短路保護功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動器
- 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動器，新驅(qū)動器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動器可在不到2微秒的時間內(nèi)部署短路保護功能，保護緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動器還具有高
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新
- 在半導體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬禁帶技術(shù)將推動電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個人電子設(shè)備等應用場景中為能效提升作出貢獻。寬禁帶材料讓應用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場強度，更高的擊穿
- 關(guān)鍵字： GaN 寬禁帶 SiC
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標準
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內(nèi)開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同，前者以“多個離散元件組合
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理想自研芯片進展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團隊規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息，據(jù)晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大，并有助于推動Si
- 關(guān)鍵字： 三菱電機 安世 SiC
電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資，市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務少數(shù)股權(quán)進行過討論。分拆SiC業(yè)務能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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應對汽車檢測認證機構(gòu)測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來，在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動化浪潮中，半導體增量主要來自于功率半導體，根據(jù) Strategy Analytics，功率半導體在汽車半導體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應用于開發(fā)
- 關(guān)鍵字： 汽車檢測認證 泰克 SiC
通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統(tǒng)
良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
- 關(guān)鍵字： 晶圓廠 SiC
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