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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項(xiàng)目

2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺(tái)電機(jī)控制器”建設(shè)項(xiàng)目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露，該項(xiàng)目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體（嘉興）有限公司，臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項(xiàng)目建筑面積達(dá)45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅(qū)科技成立于2017年，是一家提供國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國(guó)亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

中國(guó) 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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SiC生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷

眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對(duì)制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因?yàn)樗苯記Q定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(zhǎng)仍然非常具有挑戰(zhàn)性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(zhǎng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩(wěn)定性，這導(dǎo)致生長(zhǎng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導(dǎo)致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結(jié)了?SiC 生長(zhǎng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
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Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對(duì)高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域擴(kuò)展產(chǎn)品線

加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器工業(yè)電力轉(zhuǎn)換氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管碳化硅 SiC

安森美：緊握第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展

1 轉(zhuǎn)型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，在汽車和工業(yè)市場(chǎng)增長(zhǎng)的推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jī)都超預(yù)期。其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基礎(chǔ)設(shè)施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(zhǎng)約 50%，在第二季度汽車業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(zhǎng) 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，安森美專注于 SiC，重點(diǎn)聚焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)
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SiC 長(zhǎng)期供貨，理想簽協(xié)議

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
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SiC仿真攻略手冊(cè)——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能！

過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個(gè)摻雜層來(lái)處理大電場(chǎng)。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級(jí)結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡(jiǎn)單器件結(jié)構(gòu)沒(méi)有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過(guò)引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
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SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)

低電感電機(jī)有許多不同應(yīng)用，包括大氣隙電機(jī)、無(wú)槽電機(jī)和低泄露感應(yīng)電機(jī)。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機(jī)類型中。這些電機(jī)需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對(duì)于50kHz以上的調(diào)制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿足這些需求，如果是380V系統(tǒng)，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng)了新的機(jī)會(huì)。在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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SiC是否會(huì)成為下一代液晶

碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車使用市場(chǎng)的增長(zhǎng)比最初的預(yù)想早了一年多，功率半導(dǎo)體的投資增長(zhǎng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強(qiáng)問(wèn)題現(xiàn)在成為主流。這一趨勢(shì)不僅限于日本和歐洲的功率半導(dǎo)體制造商。美國(guó)和中國(guó)之間的摩擦導(dǎo)致了SiC的國(guó)產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據(jù)電子器件行業(yè)報(bào)道，2023年9月7日，該公司表示，“中國(guó)SiC市場(chǎng)全方位戰(zhàn)略已擴(kuò)大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊?guó)Si
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Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器

美國(guó)加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過(guò)電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
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“四兩撥千斤”，寬禁帶技術(shù)如何顛覆性創(chuàng)新

在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。寬禁帶材料讓?xiě)?yīng)用性能炸裂，怎么做到的？寬禁帶材料的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：? 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，寬禁帶產(chǎn)品具有更寬更高的禁帶寬度、電場(chǎng)強(qiáng)度，更高的擊穿
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)

奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)
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三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同，前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人

11 月 21 日消息，據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道，在芯片自研方面，理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱，理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì)，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。報(bào)道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
關(guān)鍵字：理想自研芯片新能源汽車智能駕駛 AI 推理芯片驅(qū)動(dòng)電機(jī) 控制器 SiC 功率芯片。

Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
關(guān)鍵字： Nexperia 三菱電機(jī) SiC MOSFET