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          泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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          • 關鍵字：
                        泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN                          
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          投身車電領域的入門課：IGBT和SiC功率模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
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          • 關鍵字：
                        車用  電能轉換  車電領域  IGBT  SiC  功率模塊                          
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          采用增強互連封裝技術的1200 V SiC MOSFET單管設計高能效焊機
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • “引言”近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產品，因此，關于焊機能效的強制性規(guī)定應運而生。經改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設計方法通過改良設計提高了能效和功率密度。?逆變焊機通常是通過功率模塊解決方案設計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多
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          • 關鍵字：
                        增強互連封裝技術  SiC MOSFET單管  焊機                          
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          目標 2027 年占領 40% 的汽車 SiC 芯片市場，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現(xiàn)有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經在生產 SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構建完整產業(yè)鏈，實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
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          • 關鍵字：
                        汽車電子  安森美  SiC                          
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          2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強勁增長。
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          • 關鍵字：
                        SiC                          
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          意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  隔離式降壓轉換器  功率轉換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅動                          
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          相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
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          • 關鍵字：
                        安森美  IGBT  SiC                          
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          SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當?shù)钠胶?。?yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC  MOSFET                          
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          德國博世收購美國TSI，全球半導體領域再添并購案
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務。目前，博世和TSI公司已經達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節(jié)，且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業(yè)的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
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          • 關鍵字：
                        博世  TSI  半導體  SiC                          
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          功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環(huán)節(jié)，布局完成后將形成：外延設備+外
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC                          
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          優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
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          • 關鍵字：
                        SiC MOSFET  柵極驅動  安森美                          
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          SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級收購者？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 第三代半導體「愈演愈烈」。
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率器件                          
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          適用于運輸領域的SiC：設計入門
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導體開關器件的半導體物理學原理，以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對目標應用的影響。理想開關在關斷時的電阻無窮大，導通時的電阻為零，并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看，由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件，因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結構中的導通狀態(tài)電流
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          • 關鍵字：
                        SiC  Microchip                          
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          功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
          
                                                            
            
                    	
          • 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
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          • 關鍵字：
                        功率半導體  盛美上海  Ultra C SiC  襯底清洗                          
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          連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網讓我們曾經暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  Matter  SiC FET  UWB                          
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