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	sic jfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 
SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON 
Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率半導體  IGBT  美光                          
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          GaN 出擊
          
                                                            
            
                    	
          • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據公告，英飛凌計劃
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
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          • 關鍵字：
                        ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設備功率模塊                           
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          OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  OBC  SiC                          
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          英飛凌持續(xù)賦能數字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展
          
                                                            
            
                    	
          • 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負責人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務的發(fā)展提供
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  數字化  低碳化  SiC                          
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          Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 中國 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? （納斯達克代碼：QRVO）今日宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術，其高性能具體表現在：750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產品，其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景，如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
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          • 關鍵字：
                        Qorvo  750V  SiC FETs                          
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          SiC融資火熱！今年以來超20家獲融資，金額超23億
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%?！鱏ource：TrendForce集邦咨詢今年以來，SiC領域屢受資本青睞，融資不斷。截至今日，已有20家SiC相關企業(yè)宣布獲得融資，融資金額超23億。融資企業(yè)包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業(yè)。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
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          • 關鍵字：
                        SiC  融資                          
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          是時候從Si切換到SiC了嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關器件，特別是SiC MOSFET，已經從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅動系統(tǒng)中采用，但現在，越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統(tǒng)設計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么，你從哪里開始呢？工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動力一直是降低損耗
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          • 關鍵字：
                        英飛凌  SiC                          
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          碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發(fā) 
          
                                                            
            
                    	
          • 據報道，近年來，光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近，又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德國KATEK集團宣布，其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體，以提高效率，同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術，可以在高溫和高速下運行，壽命最多可延長3倍，適用于大功率和快速上市的應用。1月13日，美國制造商Brek Electronics開發(fā)了采
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          • 關鍵字：
                        SiC MOSFET                          
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          SiC市場產值 今年估增4成
          
                                                            
            
                    	
          • 根據市調統(tǒng)計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作案明朗化，將推動2023年整體碳化硅（SiC）功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4％。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統(tǒng)效率。集邦表示，SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率組件市場產值約67.4％和13.1％。車用方面，安森美與大眾汽車簽屬戰(zhàn)略協議，另外該系列產品亦被起亞
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          • 關鍵字：
                        SiC                          
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          市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升，第三代半導體成收購的熱門賽道
          
                                                            
            
                    	
          • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日，中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書（草案）（修訂稿）》。根據該修訂稿，中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式，購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上，除中瓷電子外，近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式，布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
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          • 關鍵字：
                        第三代半導體  收購  SiC  GaN                          
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          新能源汽車時代的半導體材料寵兒——SiC（碳化硅）
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •   前  言  1824年，一種全新的材料被瑞典科學家，貝采里烏斯合成出來，這是一種名為碳化硅的黑色粉末，平平無奇的樣子，仿佛是隨處可見的灰燼，也許誰也沒能想到，就是這一小撮雜質般的黑色顆粒，將會在近200年后，在其之上長出絢爛的花朵，幫助人類突破半導體的瓶頸。在人類半導體產業(yè)的起步初期，基于硅（Si）芯片的技術發(fā)展速度卓越，無論是成本還是性能都達到了完美的平衡，自然對于碳化硅（SiC）沒有過多的注意。直到20世紀90年代，Si基電力電子裝置出現了性能瓶頸，再次激發(fā)
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          • 關鍵字：
                        SiC  新能源汽車  汽車電子                          
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          GaN 時代來了？
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%，預計第三代化合物半導體市場狀況將發(fā)生變化，GaN 被認為會產生后續(xù)替代效應。據業(yè)內消息人士透露，這有望使臺積電、世界先進半導體 (VIS) 和聯華電子受益，它們已經進行了早期部署，并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級，并具備高載流能力，因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          碳化硅快充時代來臨，800V高壓超充開始普及！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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          • 關鍵字：
                        碳化硅  SiC                          
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          5大重要技巧讓您利用 SiC 實現高能效電力電子產品！
          
                                                            
            
                    	
          • 當您設計新電力電子產品時，您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關電源，其應用領域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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          • 關鍵字：
                        安森美  SiC                          
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(function(){
    var bp = document.createElement('script');
    var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0];
    if (curProtocol === 'https') {
        bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js';
    }
    else {
        bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js';
    }
    var s = document.getElementsByTagName("script")[0];
    s.parentNode.insertBefore(bp, s);
})();