sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
羅姆買新廠 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車用SiC功率組件市場(chǎng),目前主要由IDM大廠獨(dú)霸,根據(jù)統(tǒng)計(jì),全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中,羅姆計(jì)劃在2025年,將SiC功率半導(dǎo)體的營收擴(kuò)大至1,000億日?qǐng)A以上,成為全球市占龍頭。為了達(dá)成目標(biāo),該公司積極擴(kuò)充SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能,并宣布買下日本一家太陽能系統(tǒng)廠的舊工廠,未來將引進(jìn)SiC功率半導(dǎo)體8吋晶圓產(chǎn)線到工廠內(nèi),預(yù)計(jì)在2024年底啟動(dòng),將使羅姆的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能,到2030年增加為2021年的35倍。根據(jù)日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報(bào)導(dǎo),羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章,和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況,同時(shí)也分享了安森美在器件開發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對(duì)于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片,對(duì)于一個(gè)SiC功率器件來說只是完成了一半的工作,還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來,這次我們會(huì)從AQG324這個(gè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的角度來看芯片和封裝的開發(fā)與驗(yàn)證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖,圖二是整個(gè)SSDC模塊的結(jié)構(gòu)圖,從圖一和圖二我們可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)用在主驅(qū)的功率模塊還是比較復(fù)雜的,里面包含了許
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耗盡型功率MOSFET:被忽略的MOS產(chǎn)品
- 功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí),功率MOSFET需要作為?!伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET,稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中,發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而,在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
- 自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來,電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程,電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁,如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC),那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級(jí)到800V電池架構(gòu)
- 自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來,電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程,電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而,電池越大,意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對(duì)電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁,如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC),那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來越多,必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異,以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響,作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分,還將提供 NCP51705(用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器)的使用指南。本文為第三部分,將重點(diǎn)介紹NCP517
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國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展
- 近年來,汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長(zhǎng),并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代,實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng),今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。近期,科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日,科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度
- 關(guān)鍵字: 8英寸 SiC 科友半導(dǎo)體
使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)
- 最近,碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注,但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解,讓工程師們?cè)谖磥矸判牡厥褂?SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如,一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT,而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而,額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能,其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競(jìng)爭(zhēng)力,反向恢復(fù)電荷也非常小。因此,在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
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Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨,2023年6月21日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝,而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性,適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。 長(zhǎng)期以來,品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而,一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議
- SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡(jiǎn)稱“Vitesco”)簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣
- 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案
- 如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步,但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
- 關(guān)鍵字: SiC
采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
- 近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。逆變焊機(jī)通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。在焊機(jī)行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢(shì)一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如,多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)已經(jīng)或即將強(qiáng)制規(guī)
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱功率MOSFET(Power MOSFET)。結(jié)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管(Sta
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市,工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是,PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓?fù)洌驗(yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知,使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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