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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國(guó) 慕尼黑）　　摘要：通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能?！　￡P(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
關(guān)鍵字： 201905 IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器耐受性隔離

工程師必須掌握的MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級(jí)之間，有結(jié)電容存在。這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單......
關(guān)鍵字： MOS MOSFET

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型，產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車(chē)載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車(chē)電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型?！　OHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車(chē)載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車(chē)載品質(zhì)，并于2012年開(kāi)始供應(yīng)車(chē)載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級(jí)和符合車(chē)規(guī)的SiC MOSFET，補(bǔ)足成長(zhǎng)的生態(tài)系統(tǒng)，并為迅速增長(zhǎng)的應(yīng)用帶來(lái)寬禁帶性能的優(yōu)勢(shì)

　　2019年3月19日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級(jí)NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車(chē)級(jí)NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢(shì)帶到重要的高增長(zhǎng)終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車(chē)DC-DC、電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)、太陽(yáng)能、不間斷電源及服務(wù)器電源。　　這標(biāo)志著安森美半導(dǎo)體壯大其全面且不斷成長(zhǎng)的SiC 生態(tài)系統(tǒng)，包括SiC二極管和SiC驅(qū)動(dòng)器等互補(bǔ)器件，以及
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600V 超級(jí)結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品，在保持極快反向恢復(fù)時(shí)間(trr※1))的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁。近日，該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機(jī)型。　　此次開(kāi)發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨(dú)有的壽命控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，通過(guò)提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓水
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

　　2019年3月14日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將在美國(guó)加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開(kāi)發(fā)平臺(tái)支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡(jiǎn)易評(píng)估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶(hù)能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購(gòu)硬件和完成設(shè)計(jì)之前對(duì)系統(tǒng)性能有信心?！　trata Developer S
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Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度

　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商，產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域，包括獨(dú)立、邏輯、模擬及混合訊號(hào)半導(dǎo)體市場(chǎng)。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管，采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm)，可為需要高達(dá) 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小，可在閘極驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開(kāi)關(guān)電路，提供更高的功率密度設(shè)計(jì)?！?/li>
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無(wú)源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019

　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim，California)舉行的2019年國(guó)際應(yīng)用電力電子展會(huì)(APEC)上展示其強(qiáng)大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺(tái)，將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無(wú)源器件、二極管和MOSFET技術(shù)。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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滿(mǎn)足新能源汽車(chē)應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

　　世紀(jì)金光是國(guó)內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級(jí)碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，形成了較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈體系，正在大力進(jìn)行垂直整合，全面推進(jìn)從產(chǎn)業(yè)源頭到末端的全鏈貫通?！　≈饕獞?yīng)用　　w高效服務(wù)器電源 w新能源汽車(chē) w充電樁充電模組　　w光伏逆變器 w工業(yè)電機(jī) w智能電網(wǎng) w航空航天　　SiC MOSFET系列　　產(chǎn)品覆蓋額定電壓650-1200V，額定電流30-92A，可滿(mǎn)足多
關(guān)鍵字：新能源汽車(chē) MOSFET

集邦咨詢(xún)：需求持續(xù)擴(kuò)張，2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模逾2,900億元

　　Mar. 7, 2019 ---- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢(xún)?cè)谧钚隆吨袊?guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出，受益于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià)，帶動(dòng)了2018年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1,874億元人民幣，較2017年同比成長(zhǎng)14.7%;電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元人民幣，較2017年同比增長(zhǎng)8%?！　〖钭稍?xún)分析師謝瑞峰指出，功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè)，2019年
關(guān)鍵字： IGBT SiC

碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)性能與有限元分析法熱模型的開(kāi)發(fā)

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
關(guān)鍵字：碳化硅(SiC)MOSFET 短路熱模型

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度提高效率及安全性

　　深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門(mén)極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門(mén)極電流且無(wú)需外部推動(dòng)級(jí)。新品件經(jīng)過(guò)設(shè)定后可支持不同的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓，來(lái)滿(mǎn)足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動(dòng)器、電焊機(jī)和電源。　　SIC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
關(guān)鍵字： Power Integrations SiC-MOSFET

SiC市場(chǎng)趨勢(shì)及應(yīng)用動(dòng)向

介紹了SiC的市場(chǎng)動(dòng)向，SiC市場(chǎng)不斷擴(kuò)大的原因，SiC技術(shù)及解決方案的突破，以及羅姆公司在SiC方面的特點(diǎn)。
關(guān)鍵字： SiC 市場(chǎng) 應(yīng)用汽車(chē) 201903

貿(mào)澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

　　專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能微型逆變器等設(shè)備的功率密度?！　≠Q(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 STMicroelectronics MOSFET

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提高逆變器級(jí)工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率。　　日前發(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級(jí)光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設(shè)備提供所需驅(qū)動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET