- 受到市場需求減緩以及庫存調整等問題的影響，2007年，中國功率器件市場增長率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場銷售額為762.3億元，比2006年增長了13.3%。
在中國功率器件市場中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產品銷售額占到整體市場的80%
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功率器件 消費電子 電源管理IC MOSFET
- 卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應管采用高密度DMOS生產工藝，具有極低的導通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時具有極佳的反向漏電特性。
該兩款產品主要應用在充電電路，DC/DC 轉換器和LED控制電路。整個器件在正向導通時具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進行充電的要求，同時具有極低的功率耗散，提升整個系統(tǒng)的能效。
這兩款產
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MOSFET 卓芯微電子 充電電路 電源管理
- Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動器MAX15018/MAX15019，用于驅動高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達125V的輸入電壓，該指標優(yōu)于競爭產品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產品中，保證足夠的安全裕量。
MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅動器之間能夠保證2ns (
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Maxim MOSFET 驅動器 TTL
- 意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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MOSFET ST 意法半導體 晶體管
- 不同應用對功率半導體器件提出了新的需求，包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等，這些新的需求又對功率半導體器件的生產工藝提出了種種新的挑戰(zhàn)。
天津中環(huán)半導體股份有限公司技術部部長饒祖剛表示，性能不同的功率半導體器件滿足了差異化應用的需求，而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰(zhàn)。
功率器件要滿足差異化應用需求
功率半導體器件工作在大功率條件下，除了要具備低功耗的特點外，不同的應用還提出了一些新需求。例如，在電動車、混合動力汽車這樣的應用中，功率半導體器件需要
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功率半導體器件 低功耗 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4447，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器加上功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器，就可組成一個完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
LTC4447 在一個 4V 至 6.5V 的電壓范圍內對上端和下端 MOSFET 柵極進行軌至軌驅動，并可從一個高達 38V 的電
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB，該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導通電阻。
隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望，
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Vishay MOSFET 芯片 手機 PDA 數(shù)碼相機 MP3 智能電話
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特 MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動器 LTC4446，用來驅動雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關。
這個強大的驅動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動高端 MOSFET 時可以提供高達 2.5A 的電流
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Linear MOSFET 驅動器 轉換器
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器 LT3755，該器件為驅動大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用，如汽車、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET，可以用標稱 12V 的輸入驅動多達 14 個 1A 的白光 LED，提供超過 50W 的功率。該器件具高壓側電流檢測，能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
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凌力爾特 轉換器 高壓側電流檢測 LED MOSFET
- Maxim推出內置MOSFET開關的8串白光LED (WLED)驅動器MAX17061。器件采用內部開關型電流模式升壓控制器驅動LED陣列，最多可驅動8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個LED)。為保證均勻的LED亮度，每串LED采用一個電流源驅動，各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外，MAX17061還提供一路DPWM信號，用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時進行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置，進一步增加
- 關鍵字：
Maxim MOSFET WLED 驅動器
- 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象。且封裝很簡單，主要采用TO220 和 TO247封裝。電動車窗、燃油噴射、間歇式雨刷和巡航控制等應用已逐漸成為大多數(shù)汽車的標配，在設計中需要類似的功率器件。在這期間，隨著電機、螺線管和燃油噴射器日益普及，車用功率MOSFET也不斷發(fā)展壯大。
今天的汽車電子系統(tǒng)已開創(chuàng)了功率器件的新時代。本文將介紹和討論幾種推動汽車
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汽車電子 MOSFET 溝道型 功率 解決方案
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