- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動器 LTC4442/-1，該器件用來在同步整流轉換器拓撲中驅動高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅動器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。
這個強大的驅動器可以吸收高達
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模擬技術 電源技術 凌力爾特 MOSFET 驅動器 模擬IC
- 豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會第一天的主題演講中，談到了對應用于車載的SiC功率半導體的期待。為了在“本世紀10年代”將其嵌入到混合動力車等所采用的馬達控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導體，將有助于逆變器大幅實現小型化及低成本化。
在汽車領域的應用是許多SiC半導體廠商瞄準的目標，但多數看法認為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產業(yè)設備以及民用設備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計劃采用SiC半導體的日期，但表示“到本世紀10年代前
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汽車電子 豐田 SiC 半導體 汽車電子
- 當今的小型家電，如洗碗機、烘干機、電爐等用開關電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對這些電流從50mA~1A的電源進行了測試，一般使用電阻或標準現成的電負載。工程師會使用各種大功率電阻來檢驗多種負載條件以滿足合適的設計。多數標準的電負載都是針對平均300W功率的。在測量50mA ~ 300mA電流時，顯示結果并不準確，多數顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡單雙恒流負載設計，這種設計可以利用廉價的通用元件來構建電路。
負載電流流過MOSFET和一個 1Ω
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模擬技術 電源技術 雙恒流載荷 MOSFET 運算放大器 放大器
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產品大獎，獲評審小組肯定而勝出的產品是飛兆半導體全面優(yōu)化的集成式12V驅動器加MOSFET功率級解決方案FDMF8700。飛兆半導體的30V同步降壓轉換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎項。 FDMF8700將驅動器IC和兩個功率MOSFET集成在一個節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
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消費電子 飛兆半導體 FDMF8700 MOSFET 消費電子
- 飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV的ESD(HBM)電壓保護，較市場現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用(如筆記本電腦和手機)的最新架構。利用飛兆半導體的PowerTrench工藝，這些低導通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導損耗并且延長寶貴的電池壽命。它們還提供堅固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
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嵌入式系統(tǒng) 單片機 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達8kV 的ESD (HBM) 電壓保護，較市場現有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護應用 (如筆記本電腦和手機) 的最新架構。利用飛兆半導體的Power Trench®工藝，這些低導通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
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模擬技術 電源技術 飛兆半導體 MOSFET ESD 模擬IC 電源
- 1 引言
人類的經濟活動已經到了工業(yè)經濟時代，并正在轉入高新技術產業(yè)迅猛發(fā)展的時期。電源是位于市電（單相或三相）與負載之間，向負載提供優(yōu)質電能的供電設備，是工業(yè)的基礎。
電源技術是一種應用功率半導體器件，綜合電力變換技術、現代電子技術、自動控制技術的多學科的邊緣交叉技術。隨著科學技術的發(fā)展，電源技術又與現代控制理論、材料科學、電機工程、微電子技術等許多領域密切相關。目前電源技術已逐步發(fā)展成為一門多學科互相滲透的綜合性技術學科。他對現代通訊、電子儀器、計算機、工業(yè)自動化、電力工程、國防及某些
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模擬技術 電源技術 創(chuàng)新 高頻 MOSFET 模擬IC 電源
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOSFET 德州儀器
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MOSFET 德州儀器
- NEC電子近日完成了8款用于汽車的P溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)小型封裝產品的開發(fā)，并將于即日起開始發(fā)售樣品。
此次推出的新產品主要用于繼電器、電機等通過電流為數十安培的控制單元，其中NP50P04等4款產品為40V耐壓、導通阻抗為業(yè)界最低的產品；另外4款產品與現有的60V耐壓品相比，導通阻抗最大可減至一半。
對于汽車廠商及器件廠商等用戶而言，使用低導通阻抗產品可以減少電流流經時產生的熱量，從而減輕電路設計時的負擔。
新產品的樣品價格因耐壓及導通阻抗的不同而有
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NEC電子 MOSFET 汽車電子
- 京都大學、東京電子、羅姆等宣布，使用“量產型SiC（碳化硅）外延膜生長試制裝置”，確立對SiC晶圓進行大批量統(tǒng)一處理的技術已經有了眉目。由此具備耐高溫、耐高壓、低損耗、大電流及高導熱系數等特征的功率半導體朝著實用化邁出了一大步。目前，三家已經開始使用該裝置進行功率半導體的試制，面向混合動力車的馬達控制用半導體等環(huán)境惡劣但需要高可靠度的用途，“各廠商供應工程樣品，并獲得了好評”。 此次開發(fā)的是SiC外延生長薄膜的量產技術。
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- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOSFET
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MOSFET 美國國家半導體
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