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ST高效功率MOSFET晶體管提高照明應(yīng)用性能

意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM)推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的第一款產(chǎn)品。通態(tài)電阻極低，動(dòng)態(tài)特性和雪崩特性非常優(yōu)異，新系列產(chǎn)品為客戶大幅度降低照明應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗、全面提升效率和可靠性帶來了機(jī)會(huì)。商用照明應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)更高的功率密度和更低的成本的日益增長(zhǎng)的需求激勵(lì)半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個(gè)這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實(shí)例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，最大通態(tài)電阻 RDS&nb
關(guān)鍵字： MOSFET ST 電源技術(shù) 晶體管模擬技術(shù) 消費(fèi)電子意法半導(dǎo)體照明消費(fèi)電子

降低高性能CPU電源中的元件成本

新處理器對(duì)電源的要求越來越高，快速的負(fù)載階躍響應(yīng)、嚴(yán)格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此，選用合適的控制器至關(guān)重要。同樣的控制器，不同的電感和電容首先來看現(xiàn)有的控制器。對(duì)于臺(tái)式計(jì)算機(jī)和一些較大的筆記本電腦來說，具有最小紋波電流的四相控制器為負(fù)載階躍提供最快速的響應(yīng)。但是，必須有足夠高的開關(guān)頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來響應(yīng)負(fù)載瞬變，還需要MOSFET來保證低的導(dǎo)通電阻RDSON并且使高頻開關(guān)損耗最小。如果需要提高開關(guān)頻率，那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應(yīng)，可是大
關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 工業(yè)控制模擬技術(shù) 模擬IC 電源工業(yè)控制

瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）”

瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的第二代 “集成驅(qū)動(dòng)器MOSFET（DrMOS）” 實(shí)現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應(yīng)用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
關(guān)鍵字： DrMOS MOSFET 單片機(jī) 電源技術(shù) 集成驅(qū)動(dòng)器模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩

Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器

Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個(gè)邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓，并提高了每個(gè)輸出（2個(gè)輸出的總輸出電流為6A）的用戶可編程負(fù)載電流的靈活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝，并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護(hù)功能，使其成為為當(dāng)今的小型應(yīng)用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進(jìn)行轉(zhuǎn)
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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

1 引言智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點(diǎn)在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計(jì)和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
關(guān)鍵字： IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊

飛兆半導(dǎo)體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

為汽車電子設(shè)計(jì)提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢(shì) 飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種面向電機(jī)控制應(yīng)用的新型30/40V器件飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴(kuò)充其AEC-Q101認(rèn)證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應(yīng)用的效率、性能和線路板空間而設(shè)計(jì)，其應(yīng)用包括動(dòng)力轉(zhuǎn)向、集成啟動(dòng)器/交流發(fā)電機(jī)，
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降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇

同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構(gòu)?？刂破魃a(chǎn)商會(huì)在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應(yīng)用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應(yīng)用電路不同，要根據(jù)實(shí)際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。對(duì)功率MOSFET的要求同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅(qū)動(dòng)MOSFET的控制器及外接開關(guān)管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因?yàn)樗鼈兡軡M足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關(guān)頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。圖
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飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
關(guān)鍵字： Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機(jī) 飛兆嵌入式系統(tǒng)

Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ

　Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強(qiáng)化型N信道器件，可用于簡(jiǎn)單的線性調(diào)節(jié)器，在起動(dòng)階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動(dòng)時(shí)間。　　Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
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擴(kuò)展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級(jí)聯(lián) MOSFET

　IC 升壓穩(wěn)壓器面向需要將電池電壓升高的便攜系統(tǒng)應(yīng)用，它往往有一個(gè)能驅(qū)動(dòng)儲(chǔ)能電感的輸出晶體管。
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能改進(jìn)動(dòng)圈表頭對(duì)小電流測(cè)量的MOSFET

以前曾經(jīng)有一個(gè)設(shè)計(jì)實(shí)例介紹了用動(dòng)圈模擬表頭測(cè)量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻(xiàn) 1）。
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IR推出100V集成MOSFET解決方案

為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個(gè)HEXFET MOSFET集成在一個(gè)功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡(jiǎn)稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對(duì)網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個(gè)獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
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MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

　　一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計(jì)的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。
關(guān)鍵字：研究問題 MOSFET 功率