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5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當您設(shè)計新電力電子產(chǎn)品時，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅（SiC）材料供應(yīng)協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續(xù)擴大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示，英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術(shù)相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設(shè)備更小、更輕，相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
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功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)選型避坑指南
- _____“?動態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學術(shù)研究等各個環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用雙脈沖測試進行?！卑凑毡粶y器件的封裝類型，功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統(tǒng)占據(jù)絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統(tǒng)需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產(chǎn)化進程加快，功率器件廠商和系統(tǒng)應(yīng)用企業(yè)也越來越重視功率器件動態(tài)參數(shù)測試，特別是針對分立器件的測試系統(tǒng)提出了越來越多
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功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
- 高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。高頻高效是開關(guān)電源及電力電子系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關(guān)損耗增加，因此要使用軟開關(guān)技術(shù)，保證在高頻工作狀態(tài)下，減小功率元件開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率。功率MOSFET開關(guān)損耗有2個產(chǎn)生因素：1）開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
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高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究價值?；仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進展，總結(jié)了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu)，介紹了針對高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對更大電流的需求
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟
- 功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個細分領(lǐng)域性能要求
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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來爆發(fā)
- 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產(chǎn)品設(shè)計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續(xù)航里程，對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸，乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內(nèi)普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區(qū)別？未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)？01、特斯拉 Model 3 首批
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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧
- 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進一步改進原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC 用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議，進一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制
- SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動作成為可能。但是，由于開關(guān)的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻
- PC、消費性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應(yīng)鏈預期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結(jié)束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應(yīng)鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶端重復下單情況在2
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