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瑞薩電子宣布推出低通態(tài)電阻功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)于日前宣布推出三種新型的低通態(tài)電阻 MOSFET 產(chǎn)品，包括在網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器和存儲系統(tǒng)內(nèi)的電源裝置中作為ORing FET使用的 μPA2766T1A。
關(guān)鍵字：瑞薩 MOSFET

Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該功率模塊系列還擴(kuò)展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。　　SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場強(qiáng)度和更好的熱傳導(dǎo)性
關(guān)鍵字： Microsemi SiC

恩智浦推出針對熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET

憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：NXPI)近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時(shí)提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
關(guān)鍵字：恩智浦 MOSFET NextPower 以太網(wǎng)

Microchip推出基于模擬的電源管理控制器

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全球第一款數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬控制器MCP19111，它擴(kuò)展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。此外，Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，擴(kuò)展其高速M(fèi)OSFET系列。
關(guān)鍵字： Microchip 控制器 MOSFET

IR推出全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括110V-120V交流電壓線性調(diào)節(jié)器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出配備IR最新...
關(guān)鍵字：基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET

基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10

汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢

汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
關(guān)鍵字：汽車應(yīng)用 MOSFET 電機(jī)控制

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動器芯片

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對通過一個(gè)比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動器-高頻開關(guān)電源的理想選擇

MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號，驅(qū)動外部MOSFET。該器件具...
關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動器

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：門極驅(qū)動光耦隔離驅(qū)動IGBT Power MOSFET

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立難分高下

　　進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。　　SiC早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了，但直到1955年，才有生長高品質(zhì)碳化硅的方法出現(xiàn);到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場;進(jìn)入21世紀(jì)后，SiC的商業(yè)應(yīng)用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場強(qiáng)度，高3倍的熱導(dǎo)率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
關(guān)鍵字： ROHM SiC 半導(dǎo)體

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

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