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	sic-mosfet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          安森美推出兩款新的MOSFET器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  MOSFET  鋰離子電池                          
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          Vishay大幅擴充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  E系列  MOSFET                          
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          功率MOSFET基礎(chǔ)知識
          
                                                            
            
                    	
          • 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識                          
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          用IGBT代替MOSFET的可行性分析
          
                                                            
            
                    	
          • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  MOSFET                          
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          AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，集設(shè)計，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
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          • 關(guān)鍵字：
                        AOS  AON6250  MOSFET                          
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          飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機)中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計變得更復(fù)雜。
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          • 關(guān)鍵字：
                        飛兆  FDMQ86530L  MOSFET                          
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          未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  半導(dǎo)體  SiC                          
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          未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅(qū)動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
　　據(jù)有關(guān)報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導(dǎo)體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測，未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
　　SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導(dǎo)體則剛剛進入市場。G
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  半導(dǎo)體  SiC                          
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          淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • 我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  三極管                          
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          MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計。基于單芯片MAX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器，能夠為...
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  降壓轉(zhuǎn)換器  RGB  LED                          
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          Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴展至150V。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP                          
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          針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器
          
                                                            
            
                    	
          • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會把電
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          • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器                          
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          繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。
　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。
　　明年增長將更加強勁，預(yù)計營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
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          • 關(guān)鍵字：
                        消費電子  MOSFET                          
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          常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
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          • 關(guān)鍵字：
                        MOSFET  功率器件                          
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          SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • SiC集成技術(shù)在生物電信號采集設(shè)計, 人體信息監(jiān)控是一個新興的領(lǐng)域，人們設(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何將他們的體
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  集成技術(shù)  生物電信號采集                            
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          sic-mosfet介紹
          
      			
          
		      	
          
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