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怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 【問題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會把驅(qū)動的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管 MOS JFET 場效應(yīng)管工作原理
高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計
- 混頻器是無線收發(fā)機(jī)中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強(qiáng)度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機(jī)系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機(jī)系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點(diǎn)。 在CMOS電路設(shè)
- 關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器
你造嗎？ 四大MOSFET實(shí)用技巧
- MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為工程師們的首選。 在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實(shí)用技巧的事情。 為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS
CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計
- 1 引 言 靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。 2 ESD保護(hù)原理 ESD保護(hù)電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS
LED驅(qū)動設(shè)計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點(diǎn)
- 1、芯片發(fā)熱 這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點(diǎn)，就是考慮更好的
- 關(guān)鍵字： LED MOS 變壓器
一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠(yuǎn)低于現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進(jìn)行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負(fù)、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
- 關(guān)鍵字： MOS CMOS
一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案
- 為了解決現(xiàn)有浪涌保護(hù)電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機(jī)載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計思路從以下幾個方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡單，通過分離元器件可實(shí)現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時，電路轉(zhuǎn)換效率能達(dá)到80%以上
- 關(guān)鍵字： PCB MOS 恒流源
移動電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400
- 引言： 鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設(shè)計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧。 正文： 移動電源網(wǎng)獨(dú)家撰稿，轉(zhuǎn)載請保留出處鏈接?！ 〈蠹液?我是來福，移動電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，
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