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          X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝

          • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018,世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上,大幅減少了印刷電路板的組件數量,也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
          • 關鍵字: X-FAB  XT018  MOS  

          舞臺功放MOS管改裝介紹

          • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
          • 關鍵字: 介紹  改裝  MOS  功放  舞臺  

          英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關器件

          • 英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應用而設計的電源開關器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能,可支持面向空間應用的高能效電源調理和電源系統(tǒng)設計。
          • 關鍵字: 英飛凌  MOS  

          舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

          • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變,要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現改
          • 關鍵字: 電路圖  方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

          基于C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

          • 電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當,容易停振或
          • 關鍵字: C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

          無比型動態(tài)MOS反相器

          采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅動電路及工作原理分析

          • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光,正向偏流只能在數10MA以下,允以獲得大的發(fā)光輸出,若采用縮小導通時的占空比,則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ,脈沖載頻為38KHZ,受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
          • 關鍵字: 電路  工作  原理  分析  驅動  脈沖  C-MOS  與非門  發(fā)光二極管  

          采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

          • 采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產品 ...
          • 關鍵字: C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路  

          可設定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理

          • 電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路,R用高阻值,便可加長CR時間常數,但是,由于內部比較器的輸入偏流較大,難以充電到門限電壓,比較器無法驅動,為此,本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片,選用高阻
          • 關鍵字: 工作  原理  電路  定時  時間  C-MOS  設定  

          SJ-LDMOST中的襯底輔助耗盡效應

          • 本文分析了SJ-LDMOST中襯底輔助耗盡效應的產生機理。文中將業(yè)界消除襯底輔助耗盡效應的主要方法分成兩類,并提出消除襯底輔助耗盡效應的途徑
          • 關鍵字: SJ-LDMOST  功率集成電路  201112  

          V-MOS管測試

          羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

          • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備,與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計,由于最大限度地利用了SiC器件的特點,從而大幅改善了電氣特性、機械特性,同時實現了超小型化、輕量化、高效化,在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
          • 關鍵字: 羅姆  SiC  MOS  

          MOS場效應管逆變器自制

          • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程:     圖1  工作原理  一、方波的產生  這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻,用于改善由于電源電壓的變化而
          • 關鍵字: 自制  逆變器  效應  MOS  

          高性能、可高壓直接驅動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

          • NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器,在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
          • 關鍵字: 光耦  可調  死區(qū)時間  MOS  

          MOS管短溝道效應及其行為建模

          • 1 引 言  目前,實現微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現的短溝道效應將對器件的特性
          • 關鍵字: 行為  建模  及其  效應  管短溝  MOS  
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          sj-mos介紹

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