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可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路

電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：電路定時 C-MOS 時間設(shè)定

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長，但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報(bào)告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計(jì)

　　美國麻省理工學(xué)院一個為第三世界家庭開發(fā)廉價計(jì)算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。　　一些Mac計(jì)算機(jī)網(wǎng)站指出，《波士頓先驅(qū)報(bào)》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國際設(shè)計(jì)峰會部分內(nèi)容“教育家庭計(jì)算計(jì)劃”。這個計(jì)劃的目標(biāo)是開發(fā)成本只有12美元的初級計(jì)算機(jī)。　　雖然設(shè)計(jì)師之一的27歲研究生Derek Lomas說他希望給第三世界的學(xué)校提供類似于伴隨他長大蘋果II計(jì)算機(jī)，但是，他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字： PC 廉價處理器 MOS 6502

　　0 引言　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產(chǎn)生很大的啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。　　所謂熱插拔(Hot
關(guān)鍵字：電路熱插拔 MOS 電源

　　1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。　　　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動電放大器 MOS

新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
關(guān)鍵字： MOS 日立瑞薩存儲器

　　1994年6月，我國“七五”電子工業(yè)的頭號工程———無錫微電子工程在中國華晶電子集團(tuán)公司全面通過國家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國當(dāng)時微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
關(guān)鍵字：華晶電子集成電路 MOS