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基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計
- 0 引言 很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時，一般會產(chǎn)生很大的啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時，插件板上附加電容的充放電會給工作背板提供一個低阻抗，此時背板到插件板的高涌入電流可能會燒毀連接器和電路元件，或者暫時使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。 所謂熱插拔(Hot
- 關(guān)鍵字： 電路 熱插拔 MOS 電源
AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設(shè)計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設(shè)計目標(biāo) 在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。 A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動電 放大器 MOS
日立瑞薩開發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個單元的功耗降低了50％。此外，相對于現(xiàn)有的非易失存儲器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
- 關(guān)鍵字： MOS 日立 瑞薩 存儲器
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