- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會(huì)，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。
海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。
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海力士 DRAM
- 韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項(xiàng)有關(guān)芯片三維互連研究計(jì)劃，這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實(shí)現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個(gè)方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
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海力士 半導(dǎo)體
- 據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，全球第2大存儲(chǔ)器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進(jìn)行資本投資。
據(jù)海力士計(jì)劃，該筆資金將用于擴(kuò)張既有廠房、設(shè)備升級(jí)與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出，本次投資規(guī)畫旨在因應(yīng)市場需求與成本競爭壓力加劇。
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海力士 半導(dǎo)體
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國半導(dǎo)體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴(kuò)大和升級(jí)現(xiàn)有工廠，以及開展研發(fā)工作。
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海力士 半導(dǎo)體
- 存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士 NAND
- 1月30日，海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項(xiàng)目4.5億美元銀團(tuán)貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項(xiàng)目，由國家開發(fā)銀行江蘇省分行、中國農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團(tuán)，融資總額4.5億美元。這次銀團(tuán)簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目銀團(tuán)后的又一次成功合作。
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海力士 集成電路
- 韓國《東亞日報(bào)》周一報(bào)道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會(huì)繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買家。
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海力士 半導(dǎo)體
- 海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
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海力士 DRAM
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。
彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
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海力士 DRAM
- 海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開始量產(chǎn)30納米芯片。
這一表態(tài)證實(shí)了韓國網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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海力士 30納米
- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示，公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。
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海力士 DRAM
- 海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對象。
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海力士 閃存
- 11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。
該公司對證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士 芯片
- 受惠于出貨成長及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開始止跌回穩(wěn)。
海力士周四公布，第三季營業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場預(yù)期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長近5倍，同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。
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海力士 DRAM
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