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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國(guó)快閃記
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韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
- 韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。 該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國(guó)，其他位于美國(guó)和日本。不過公平交易委員會(huì)沒有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。 根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國(guó)司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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Gartner指出2009年全球半導(dǎo)體收入下滑290億美元
- 根據(jù)全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner的初步估計(jì)，2009年全球半導(dǎo)體總收入為2,260億美元，比2008年下滑11.4%， 這將是該行業(yè)在過去的25年來經(jīng)歷的第六次收入下滑。 Gartner半導(dǎo)體調(diào)研總監(jiān)Stephan Ohr先生表示：“2009年第一季度半導(dǎo)體收入急劇下降，這一持續(xù)惡化是從2008年第四季度開始的。而2009年第一季度末收入的輕微上揚(yáng)，則導(dǎo)致了隨后明顯的同比增長(zhǎng)。” 然而，對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)來說，2009年依舊是自2001年網(wǎng)絡(luò)泡沫破裂以來收入最差
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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍
- 據(jù)《韓國(guó)時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。 這項(xiàng)開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。 這篇報(bào)道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報(bào)道還預(yù)計(jì)海力士在2010年將在全球DRAM市場(chǎng)擴(kuò)大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢(shì)。
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海力士CEO稱Win 7系統(tǒng)有助于DRAM行業(yè)
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存制造商海力士半導(dǎo)體CEO周三表示，公司預(yù)計(jì)明年1至3月DRAM收入下滑將小于以往季度。 “過去在第一季度，DRAM收入會(huì)下滑20%，但我認(rèn)為在2010年首季不會(huì)出現(xiàn)這種幅度的下滑。”首席執(zhí)行官Kim Jong-Kap表示。 Kim稱，微軟新操作系統(tǒng)Windows 7推漲了個(gè)人電腦的需求。同時(shí)有利的因素還包括新興市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)，以及趨緊的供貨。
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從挫敗中站起 海力士重振的秘訣
- 不畏過往一年間金融風(fēng)暴沖擊，南韓內(nèi)存大廠海力士(Hynix)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位仍屹立不搖。2000年因資金不足，差點(diǎn)滅頂?shù)暮Ａκ?，再次展現(xiàn)其在景氣低迷態(tài)勢(shì)中伺機(jī)而起的韌性，它重新站起的秘訣為何? 海力士2009年7~9月營(yíng)收較前1季大幅成長(zhǎng)26%;營(yíng)業(yè)利益為2,090億韓元(約23億美元)，交出暌違8季來首見由虧轉(zhuǎn)盈的漂亮成績(jī)單。 過去2年遭遇空前的半導(dǎo)體景氣低迷，但海力士仍將營(yíng)收的10%拿來做研發(fā)。即便是景氣最差的2008年，海力士仍將營(yíng)收的10.8%，約當(dāng)6,990億韓元投入研發(fā)。
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海力士封裝項(xiàng)目通過發(fā)改委核準(zhǔn)
- 11月8日從無錫新區(qū)獲悉，海力士集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目不久前獲得了國(guó)家發(fā)改委核準(zhǔn)。據(jù)了解，該項(xiàng)目的順利實(shí)施對(duì)于完善無錫集成電路產(chǎn)業(yè)鏈，帶動(dòng)相關(guān)上下游企業(yè)新發(fā)展具有重要意義。 作為2009年省、市的重點(diǎn)項(xiàng)目，由無錫太極實(shí)業(yè)股份有限公司和韓國(guó)海力士半導(dǎo)體株式會(huì)社合資設(shè)立的集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目，總投資達(dá)3.5億美元，是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體后道封裝項(xiàng)目。此次，新區(qū)僅用了10天時(shí)間就獲得了國(guó)家發(fā)改委的一次性核準(zhǔn)通過，確保了項(xiàng)目在明年3月份的正式投產(chǎn)。據(jù)介紹，屆時(shí)將形成月封裝集成電路芯片750
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韓國(guó)曉星申請(qǐng)推遲收購海力士半導(dǎo)體股權(quán)的出價(jià)期限
- 韓國(guó)曉星日前稱其已提出申請(qǐng)，將其收購全球第二大存儲(chǔ)芯片廠商--海力士半導(dǎo)體股權(quán)的出價(jià)期限延期。 "由于準(zhǔn)備不足，我們錯(cuò)過了10月30號(hào)的初步收購要約截止日期。所以我們現(xiàn)在申請(qǐng)延期，目前還在等候回復(fù)。"曉星發(fā)言人表示。 韓國(guó)外換銀行周日稱其預(yù)期曉星將于本周提交最終決定。 "交易顧問和股東委員會(huì)將在聽取曉星的最終立場(chǎng)後做出決定，"韓國(guó)外換銀行在一則聲明中稱。 曉星是一家關(guān)注纖維及化學(xué)品的中型企業(yè)。在海力士前債權(quán)人決定出售其持有的28%股權(quán)後，
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢(shì)將結(jié)束
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財(cái)報(bào)預(yù)期顯示，本季度有望實(shí)現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢(shì)或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示，其季度利潤(rùn)有望超市場(chǎng)預(yù)期，分析師對(duì)其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對(duì)三星股票評(píng)級(jí)為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標(biāo)股價(jià)由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報(bào)告中稱，因三星上半年收益強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)其股價(jià)將持續(xù)上漲。周一，三星股價(jià)在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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海力士稱微軟Win 7系統(tǒng)將拉動(dòng)內(nèi)存芯片需求
- 10月14日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)芯片制造商海力士半導(dǎo)體CEO周二表示，全球經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)暖加上微軟Windows 7操作系統(tǒng)的發(fā)布，將在2010年上半年拉動(dòng)內(nèi)存芯片的需求。海力士首席執(zhí)行官金鐘甲在韓國(guó)當(dāng)?shù)匾粋€(gè)科技論壇上表示，“只要經(jīng)濟(jì)不出現(xiàn)二次探底的情況，需求就會(huì)好轉(zhuǎn)。” 金同時(shí)表示，海力士將在2010年加大資本投資力度，公司今年在該項(xiàng)目上的開支為1萬億韓元，約合8.555億美元，但他拒絕透露詳情。
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì)在本月開始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號(hào)稱是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。 根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級(jí)計(jì)算機(jī)或
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